All Optical Wavelength Conversion from 1.3μm to 1.55μm Using Two-segment DFB Lasers

ＡｌＯｐｔｉｃａｌＷａｖｅｌｅｎｇｔｈＣｏｎｖｅｒｓｉｏｎｆｒｏｍ１．３μｍｔｏ１．５５μｍＵｓｉｎｇＴｗｏ－ｓｅｇｍｅｎｔＤＦＢＬａｓｅｒｓ①ＬＵＯＢｉｎ，ＬＵＨｏｎｇｃｈａｎｇ，ＣＨＥＮＪｉａｎｇｕｏ（ＳｏｕｔｈｗｅｓｔＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉｖｅ...     

单晶AgGaSe_2红外倍频器

采用竖式布里奇曼法生长了若干优质的ф２０×８０ｍｍＡｓＧａＳｅ２单晶体。经过Ａｇ２Ｓｅ共存下退火的样品，其通光波段透过率几乎都达到反射极限。计算了Ⅰ型和Ⅱ型红外倍频器的角度调谐特性曲线，利用上述晶体制备了１０．６μｍ辐射的Ⅰ型相位匹配倍频器。在一台ＴＥＡＣＯ２激光器的１０．６μｍ信频实验中测得相位匹配角为５６．１°，接收角参数△θ·Ｌ为１．０４°·ｃｍ。     

用于1．2μmCMOS70MS／sADC阵列中的一种10位5MS／s逐次逼近ADC单元

用于１．２μｍＣＭＯＳ７０ＭＳ／ｓＡＤＣ阵列中的一种１０位５ＭＳ／ｓ逐次逼近ＡＤＣ单元＝Ａ１０－ｂｉｔ５ＭＳ／ｓｓｕｃｃｅｓｓｉｖｅａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎＡＤＣｃｅｌｌｕｓｅｄｉｎａ７０ＭＳ／ｓＡＤＣａｒｒａｙｉｎ１．２μｍＣＭＯＳ［刊，英］／Ｙ...     

高迁移率Si／Si_（0．7）Ge_（0．3）／Si调制掺杂异质结构的生长和输运性质

采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于浓度ｐｓ为２．６e１３ｃｍ－２）和８４００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（７７Ｋ，ｐｓ为１．１e１３ｃｍ－２）．     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材

采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为６．０ｃｍ的ＮｉＣｒ合金基带上制备０．１３μｍ厚的Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）隔离层，再用脉冲激光在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ带上制备１．５μｍ厚的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导厚膜形成ＹＢＣＯ／ＹＳＺ／ＮｉＣｒ超导带材。实验测得在７７Ｋ，０Ｔｅｓｌａ下其临界电流密度为８．７５×１０４Ａ／ｃｍ２，超导转变温度为８８．６Ｋ。     

分子束外延HgCdTe／GaAs的生长和光伏探测器的研制

文中报导了用分子束外廷工艺在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长了较高质量的中、长波ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为ｘ＝０．３３０和０．２２６的两种材料，７７Ｋ时载流子浓度和迁移率分别为ｐ＝６．７×１０１５ｃｍ－３、ｕｐ＝２６０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１和４．４５×１０１５ｃｍ－３、４１０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１。研制了平面型中、长波线列光伏探测器，其典型的探测器Ｄ分别为５．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１和２．６８×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（１８０°视场下），其中６４元线列中波探测器与ＣＭＯＳ电路芯片在杜瓦瓶中耦含后读出并实现了红外成像演示。     

1″级四面体组合合作目标激光雷达散射截面实验与理论研究

采用激光雷达散射截面（ＬＲＣＳ）测量系统，在１．０６μｍ激光波段，测量了１″级四面体角反射器俯仰角０°时，方位角±５０°范围的ＬＲＣＳ，并对由四面体角反射器组合而成的梯形合作目标进行了俯仰角０°～２４°变化时，方位角±６４°范围的激光雷达散射截面测量，角分辨率１°。给出了实验曲线与数据，实验结果与理论计算较好吻合。表明合理选择角反射器组合形式，保证加工精度，可以增强反射信号，扩大光测范围，实现在恶劣条件下，雷达的远程和大角度范围跟踪。最后讨论了影响测量精度的原因。     

SOI／SDB COMS环形振荡器的研究

本文主要研究了硅片直接键合技术制备ＳＯＩ材料，并在此材料上采用全离子注入硅栅工艺制造了１μｍ沟道ＣＭＯＳ环形振荡器。由于ＳＯＩ。ＳＤＢ中的硅膜保持着本体硅的性质，故所得陪管的特性比较好，（迁移率：ＮＭＯＳ为６８０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，ＰＭＯＳ为３７０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，跨导：ＮＭＯＳ为３８ｍＳ，ＰＭＯＳ为２５ｍＳ）。但发现ＭＯＳ管具有“Ｋｉｎｋ”效应，随着硅膜厚度的减小，“Ｋｉｎｋ”效应有所抑制。实验所得ＣＭＯＳ１９级环形振荡器的单级延时为０．７９ｎｓ，由此可见，ＳＯＩ／ＳＤＢ材料在ＶＬＳＩ中将有很大的发展前景     

MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致．     

索尼的CSL软件无线电

索尼计算机科学研究所（索尼ＣＳＬ）,展示了试制的软件无线机“ＳＯＰＲＡＮＯ（Ｓｏｆｔｗａｒｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ａｎｄ Ｈａｒｄｗａｒｅ Ｒｅｃｏｎｆｉｇｕｒａｂｌｅ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ ｆｏｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ）１．０”。ＳＯＰＲＡＮＯ接收信号的ＲＦ电路部分。频率波段为８００ ＭＨｚ带～１０ ＧＭｚ带,带宽是数１０ＭＨｚ。采用了无变频器的Ｍｕｌｔｉｐｏｒｔ Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ结构。此举主要是为了降低失真和拓宽频带。在Ｍｕｌｔｉｐｏｒｔ Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ方式的接…     

国外光放大器产品状况

根据“ｌｉｇｈｔｗａｖｅ”１９９９ＷｏｒｄｗｉｄｅＤｒｅｃｔｏｒｙｏｆＦｉｂｅｒ－ＯｐｔｉｃＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓＰｒｏｄｕｃｔｓａｎｄＳｅｒｖｉｃｅｓ第１６４－１７５页资料统计,目前国外生产销售光放大器的厂家（公司）共有２８个;推出有光放大器产品１１０种。其中,光纤放大器８８种,正好占１１０种光放大器的８０％;半导体光放大器产品有２２种（有适用于１．５μｍ和１．３μｍ带的两类）,占１１０种光放大器的２０％。在光纤放大器中,适用于１．５μｍ带的掺铒光纤放大器（ＥＤＦＡ）有８６种,占８８种光…     

7.6cm多色有源矩阵液晶显示器

介绍了南京电子器件研究所、华中理工大学和电子部４７所三单位联合研制的７．６ｃｍ２４０（Ｈ）×２２０（Ｖ）单元ａ－ＳｉＴＦＴ－ＬＣＤ,简要论述了ＴＦＴ矩阵板、行列驱动电路、彩色滤色器、液晶盒、离密度柔性引线带、控制引线电路等一系列关键技术。显示器的有效显示面积６０ｍｍ×４５ｍｍ,亮度≥５０ｃｄ／ｍ＾２,时比度（最大值）约３０：１,视角范围（对比度５：１）：水平方向〉±４０°,垂直方向〉±３０°,灰度     

三明治腔结构的Nd:YVO_4激光器

报道了一种三明治腔结构（Ｓａｎｄｗｉｃｈ－ｔｙｐｅｒｅｓｏｎａｔｏｒ）的ＮｄＹＶＯ４全固态激光器。用发射波长８０６ｎｍ的光纤耦合二极管激光器（ＬＤ）泵浦ＮｄＹＶＯ４晶体，泵浦光功率为７Ｗ时获得１．０６４μｍ连续波（ＣＷ）ＴＥＭ００模最大输出功率为３．７Ｗ，光学斜效率为６２％；将ＫＴＰ放入腔内倍频，当泵光为５．６Ｗ时，获得ＣＷ绿光输出６２０ｍＷ。光－光转换效率达１１％。     

硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究

分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法地硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测定了１．３μｍ，单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ。     

MOCVD生长GaAs／AlxGa1—xAs多量子阱子带间红外吸收特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０Ａ）／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（３００Ａ）多量子阱结构观察到阱内电子从基态到第一激态跃迁引起的红外吸收。用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ＾－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ＾－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致。     

用光学光谱分析仪测量准分子激光等离子体的空间角分布

本文用光学光谱分析仪（ＯＳＡ，ＷＰ－４）首次测量了ＸｅＣｌ准分子激光在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导靶面激励等离子体发射谱的轴向、径向分布。综合空间分辩率＜３００μｍ。结果表明在入射激光功率密度为２．２４×１０８Ｗ／ｃｍ２，背景氧压为２×１０－１Ｔｏｒｒ时，等离子体激发态粒子具有ＣＯＳ（ｎ）θ的空间角分布。其中，ｎ的值为２．９到４．８之间。     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

脉冲激光沉积铌酸锶钡铁电薄膜及其性能表征

利用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上在位制备了铌酸锶钡（ＳＢＮ）铁电薄膜,发现ＳＢＮ薄膜在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上均呈（００１）择优取向。用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）表明ＳＢＮ薄膜的晶粒细小致密,铁电微畴尺寸约为２００ｎｍ。ＳＢＮ薄膜的剩余极化强度为１８．６μＣ／ｃｍ２,矫顽场为２２．３ｋＶ／ｃｍ。     

关于未来高速光通信传输线的设想

我们建议一种新的色散补偿方法，由连接两种在１．５５μｍ工作窗口具有相反非零平坦色散值的色散互补光纤（ＬＤ－ＤＳＦ）作为高速、长距离光纤通信系统的传输媒介，这样的传输线能够有效地抵消传输线的色散和抑制非线性效应。我们设计并用ＭＣＶＤ工艺制备了在１．５５μｍ波长处分别具有±２ｐｓ／（ｎｍ·ｋｍ）色散的这些光纤ＬＤ－ＤＳＦ，连接后其总色散在１．５５μｍ波长处表现出０．０１８５ｐｓ／（ｎｍ２·ｋｍ）低的色散坡度。本文还对不同芯子结构的光纤所具有影响非线性的有效芯子面积（Ａｅｆｆ）进行了研究。