光纤激光泵浦超快掺铬镁橄榄石

为了泵浦飞秒掺铬镁橄榄石激光器,双包层光纤激光器把二极管激光条的多模输入功率转换成波长平均的单模输出。这种设计对生物成像应用以及非线性激光显微术应用的高功率成套系统显示有潜力。从事开发不以笨重泵浦源（如大框架水冷离子激光器或Ｎｄ∶ＹＡＧ激光器）为基础...     

四价铬镁橄榄石激光器特性研究

文中简要介绍了掺四价铬镁橄榄石（Cr4 ：Mg2SiO4）晶体特性。对实用晶体的吸收特性与晶体取向的关系进行了实验测试。用1．06μm调QYAG激光泵浦，研究了三种不同透过率非色腔的输出特性，并就泵浦光的偏振方向对输出特性的影响做了实验研究，得到输出能量大于29mJ的结果，光一光转换效率达14．5％。     

镁橄榄石瓷的烧结工艺

主要对微波管用镁橄榄石瓷进行工艺研究.通过试验对其烧结温度进行了分析,找出最佳烧结温度范围.试验结果表明:配方组成与烧结温度是镁橄榄瓷制备的关键因素.     

掺镁、铁铌酸锂晶体的光吸收和ESR光谱研究

取过渡金属铁作为“标记杂质”,以相近浓度分別加入未掺镁和高浓度掺镁(6.0mol%MgO)的一致熔化组分LiNbO_3晶体中,测量了它们的紫外吸收边、OH~-红外吸收光谱和Fe~(3+)的ESR光谱,并加以比较,其显著差异表明两种晶体中Fe~(3+)的离子环境发生了突变,据此定性地解释了光吸收和ESR的实验结果.     

NO分子Α~2Σ~+和Ε~2Σ~+能级的LIF光谱

本文报道了单光子激发NO分子A~2∑~+(υ=0)能级的LIF光谱研究,其观测到A~2Σ~+(o=0)→X~2Ⅱ(1″=0～11)跃迁的12个振动带。运用两步激发的方法,研究了E~2Σ~+(扣=0)能级激发后在紫外波段的LIF光谱,明显测量到了E~2Σ~+(1=0)能级直接跃迁到基态X~2Ⅱ的荧光振动带。     

掺铬镁橄榄石作为1.06μm激光可饱和吸收体的研究

采用Cr4 :Mg2SiO4作为可饱和吸收体,实现脉冲式平凸非稳腔Nd:YAG激光器的被动调Q运转,得到脉宽34ns、输出能量13.8mJ的激光脉冲。在合适的实验条件下,也观察到被动锁模现象。实验上比较了激光器的不同腔结构和参数对调Q激光脉冲宽度和能量的影响,并给予合理的理论解释。     

Cr：Mg2SiO4晶体红外光致发光谱的研究

报道了在室温和液氮温度下分别用1064nm和532nm激光诱导的Cr:Mg_2SiO_4晶体的红外光致发光谱,并详细分析光谱的结构和特点.在假设Cr:Mg_2SiO_4晶体中同时存在(CrO_6)~(9-)和(CrO_4)~(4-)两种络离子的基础上讨论了红外光致发光的产生机理,理论计算证明假设是合理的.     

Mg2SiO4-SiC复相材料的常压烧结及性能研究

在1 500～1 600℃氢气气氛下常压保温1 h制备了Mg2SiO4-SiC复相材料,研究了烧结助剂[Al2O3+Y2O3](r(Al2O3:Y2O3)=5:3)添加量对该复相材料烧结性能的影响.结果表明:Mg2SiO4-SiC复相材料的相组成为Mg2SiO4,6H-SiC、Y3Al5O12,最佳烧结温度为1 550...     

Cr∶Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)~(4-)的自旋极化MS-X_α计算

本文采用自旋极化MS-X_α方法计算了Cr:Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)~(4-)的电子结构,给出了T_d群和C_(3v)群下的单电子能量本征值、本征函数和自旋极化分裂值。用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。采用Case-Karplus电荷分配法计算得到自旋-轨道耦合常数ζ_(?)。讨论了配位体的距离对单电子轨道和基态组态的影响,也讨论了对称性变化的影响。     

Zn2SiO4-Mg2SiO4复相陶瓷的合成与性能研究

利用醇盐溶胶-凝胶法合成（1-x）Zn2SiO4-xMg2SiO4陶瓷（x=0.1-0.9）。差热分析结合XRD分析表明（1-x）Zn2SiO4-xMg2SiO4的成相温度在800℃附近,1 150℃预烧粉体后,获得粒径为40-50 nm的Zn2SiO4-Mg2SiO4复相陶瓷粉末。复相陶瓷的最佳烧结温度在1 250℃-1 300℃,烧结过程中,部分组分产生了MgSiO3杂相。当x=0.6时,在1 250℃烧结后陶瓷的介电性能最优如下：εr=6.66,Q×f=174 800 GHz,τf=-38.7 ppm/℃,是一种有望应用于毫米波频段的新型介质陶瓷材料。     

Nd:YAG调Q激光脉冲抽运的Cr4+:Mg2SiO4激光器的研究

采用Nd:YAG调Q激光器输出的1.06 μm光脉冲抽运Cr4+:Mg2SiO4晶体，实现Cr4+:Mg2SiO4激光器的增益开关运转。从理论和实验上分析了抽运光采用不同焦距的透镜聚焦和Cr4+:Mg2SiO4激光器采用不同腔长时，抽运光和振荡激光的模式匹配，以及模式匹配与激光器光-光转换效率之间的关系。在最佳的实验条件下，得到中心波长约为1.22 μm，能量和脉宽分别为10 mJ和8.2 ns的激光脉冲，其光－光转换效率达到20％。     

Mg_2SiO_4:Cr~(3+)晶体的生长及其特性

介绍了用提拉法生长的Mg_2SiO_4:Cr~(3+)单晶的生长、结构和形态特征,测定了该晶体的吸收谱和荧光谱。荧光谱电子振动边带在800～1400nm,吸收谱中有一定的Fe~(3+)吸收。     

SiO2对纳米CoFe2O4结构和磁性能的影响

采用sol-gel法及经空气中热处理制备了CoFe2O4和CoFe2O4/SiO2纳米材料。利用XRD、SEM和振动样品磁强计(VSM)对样品的结构、晶粒尺寸及磁性能进行了研究。结果表明:SiO2的加入有助于降低CoFe2O4的形成温度,有效抑制CoFe2O4晶粒的长大,并使CoFe2O4的Hc提高。经900℃热处理的CoFe2O4/SiO2样品中已不存在杂相Fe2O3;CoFe2O4的晶粒尺寸从无SiO2时的78nm减小到15nm;样品的Hc由41.1kA·m–1提高到73.1kA·m–1。     

采用二极管抽运的可调谐Cr4+:YAG激光器

介绍了一种新型的二极管直接抽运的可调谐Cr^4^ :YAG全固化激光器，其输出激光的单脉冲功率最大可达260mW,其波长调谐范围为1356-1553nm，跨度为197nm。     

用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成

利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的SiO2/4H-SiC界面的化学组成.获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1～1.5 nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析.结果表明,高温氧化SiO2/4H-SiC界面,类石墨碳较多,除Si1 成分外,还存在Si2 和Si3 两种低值氧化物.三种工艺处理后界面成分含量的对比,指出界面成分可通过合理工艺有效控制,以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善.     

ZnWO_4∶Cr~(3+)激光晶体的发光特性

研究了ZnWO_4Cr~(3+)激光晶体的发光特性,其中~4T_2能级分裂为13550、14205、14706cm~(-1)三个能级,荧光谱的斯托克斯漂移为3567cm~(-1),ZnWO4∶Cr~(3+)晶体的最强荧光峰位于912nm,最佳激发峰在622nm,掺杂浓度在0.01％时,荧光发射最强。用532nm激发时仍有很强的荧光发射。