SrIn2O4∶Sm3+的发光特性及其在发光二极管中的应用

采用高温固相法制备了SrIn2-xO4∶xSm3+红色荧光粉,研究了荧光粉的发光特性.在410nm近紫外光激发下,SrIn2O4∶Sm3+荧光粉呈红色光发射,发射光谱主峰位于607 nm,对应sm3+的4G5/2→6H7/2跃迁发射.研究了Sm3+掺杂量对荧光粉发射强度的影响,发现随Sm3+掺杂量的增大,荧光粉的发射强度先增大、后减小;Sm3+摩尔掺杂量为0.1时,发光强度最大;能量传递对应的临界距离Rc为1.2 nm,其浓度猝灭机理为电多极相互作用.此外,添加碱金属离子A+ (A=Li,Na,K)提高了荧光粉的发射强度,且以添加Na+时效果最好.将该荧光粉与405 nm n-UV芯片组合,获得了红光发射.     

Sr_3Y(PO_4)_3∶Sm~(3+)荧光粉的制备及发光特性

采用高温固相法合成Sr3Y1--x(PO4)3∶xSm3+发光材料。X射线衍射表明,1 400℃高温烧制的Sr3Y(PO4)3荧光粉为纯相晶体结构。荧光粉的主激发峰为343、360、373、400、436和468nm;主发射峰为550~575nm(4 G5/2→6 H5/2)、580~620nm(4 G5/2→6 H7/2)和630~660nm(4 G5/2→6 H9/2)。荧光粉在599nm附近有很强的发射,呈现良好的红橙光,符合广泛应用的UV-LED芯片。研究了不同Sm3+掺杂量对样品发射谱的影响,发光强度随着Sm3+掺杂量的增大而增强。当掺杂量x=0.04时,发光强度最强。继续增大Sm3+掺杂量,样品的发光强度反而减弱,即出现浓度猝灭现象。根据Dexter理论,猝灭机理为离子之间的能量转移作用。     

Dy3+掺杂的LiY（MoO4）2发光材料的制备与光谱特性

采用高温固相法在800℃制备了LiY(MoO4)2:Dy3+荧光粉。研究了Dy3+掺杂量、合成温度以及Li+的过量加入对LiY(MoO4)2:Dy3+荧光粉发光强度的影响。结果表明:在紫外光(386nm)激发下,该荧光粉的发射光谱为1个峰值位于488nm和575nm的双峰谱线,其中位于575nm处的黄光发射最强;监测575 nm发射峰得到的激发光谱为主峰位于351、366、386 nm和426 nm的线状谱线。煅烧温度为800℃时合成的荧光粉样品的发光强度达到最大,加入过量的Li+会降低发光强度。随Dy3+掺杂量的增大,荧光粉的发光强度逐渐增强,当Dy3+掺杂量为6%时发射的谱线强度最大。荧光粉的色参数表明,该荧光粉是一种较好的用于白光LED的黄色发光材料。     

白光LED用Ca0.5-yWO4∶Eu3+0.25,Li+0.25,Sm3+y红色荧光粉的合成及发光特性

采用固相法制备了白光LED红色荧光粉Ca0.71WO4∶Sm3+0.04,Li+0.25和Ca0.5-yWO4∶Eu3+0.25,Li+0.25,Sm3+y(y=0.00,0.02,0.04,0.06),通过X射线衍射(XRD)、荧光分光光度计以及稳态/瞬态荧光光谱仪研究了荧光粉样品的物相、Sm3+的掺杂量对荧光粉发光性能以及荧光寿命的影响.XRD分析表明,合成的样品均为白钨矿结构.荧光光谱表明,所合成的系列荧光粉均可以被近紫外光(393 nm)和蓝光(464 nm)有效激发,其发射主峰位于615nm处,归属于Eu3+的5D0→7F2跃迁.发光衰减曲线表明,Sm3+的掺杂对荧光粉Ca0.5WO4∶Eu3+0.25,Li+0.25荧光寿命没有影响.实验结果表明,在系列Ca0.5-yWO4∶Eu3+0.25,Li+0.25,Sm3+y荧光粉中Sm3+的最佳掺杂量为4％(摩尔分数).     

红色荧光粉LiGd(MoO4)2:Sm3+的制备与性能

利用Sm3+作为激活剂采用高温固相法制备了LiGd1-x(MoO4)2:xSm3+(x=0,0.005,0.010,0.015,0.020,0.030,0.040,0.050,0.060,0.080,0.100)系列红色荧光材料.测量了荧光粉的X射线衍射谱、激发光谱和发射光谱.在紫外光的激发下,该荧光粉的发射光谱为峰值位于564、608、648nm的三峰谱线,其中位于648nm处的红光发射最强.监测648nm发射峰得到的材料的激发光谱为一峰值位于275nm的宽谱和主峰位于363、376、404nm的线状谱线,说明该荧光粉可被紫外光和近紫外光有效地激发.研究了Sm3+掺杂浓度对LiGd(MoO4)2:Sm3+荧光粉的各发射峰发光强度的影响,得出Sm3+的最佳掺杂量(摩尔分数)为3.0％.对浓度猝灭的原因进行了探讨,结果表明该荧光粉是一种较好的用于白光LED的红色发光材料.     

电荷补偿对SrCeO3:Sm3+材料光谱特性的影响

采用溶胶凝胶法合成了SrCeO3:Sm3+,M+(M=Li,Na,K)红色荧光粉,用X射线衍射、荧光光谱表征了样品的物相结构和发光性能。研究了电荷补偿剂对SrCeO3:Sm3+发光性能的影响。结果表明:适量掺入电荷补偿剂没有改变基质的晶型结构。样品的激发光谱由Ce4+→O2–的电荷迁移带和Sm3+的离子特征激发峰组成。样品在波长为408 nm的紫外激发下发射红光,发射主峰为601 nm,对应于Sm3+的4G5/2→6H7/2跃迁。样品的发光强度随电荷补偿剂掺量的增大先增强后减弱;对于不同电荷补偿剂,样品发光强度最大处所对应的电荷补偿剂的掺杂量不同;电荷补偿剂Li+、Na+和K+的最佳掺量分别为5%、2%和0.8%。     

白光LED用K_2ZnSiO_4:Sm~(3+)橙红色荧光粉的制备及发光性能

用溶胶-凝胶法合成白光LED用K2Zn Si O4:Sm3+橙红色荧光粉,研究了样品结构及发光性能。X射线衍射分析表明,微量Sm3+掺杂的样品主晶相为正交晶系结构的K2Zn Si O4。该荧光粉能被近紫外光有效激发,在403 nm激发下,发射光谱由4个发射峰组成,最强峰位于605 nm处,是由Sm3+的4G5/2→6H7/2跃迁引起的。增大Sm3+掺杂量,发光强度先增大后减小,Sm3+最佳掺杂摩尔分数为7%。随着Sm3+掺杂量的增加,样品的色坐标基本不变,位于橙红光区。     

Li_2ZnSiO_4∶Eu~(3+)红色荧光粉的制备及其发光性能

采用溶胶-凝胶法合成了适合于近紫外激发的Li2ZnSiO4∶Eu3+红色荧光粉,用X射线衍射、红外光谱和荧光光谱对样品进行了结构及发光性能表征。结果表明:合成样品为四方晶相Li2ZnSiO4晶体。样品的激发光谱由O2--→Eu3+电荷迁移带和Eu3+的离子特征激发峰组成。在波长为395nm的紫外激发下样品发射红光,发射主峰位于613nm,对应于Eu3+离子的5 D0→7 F2跃迁。随着Eu3+掺杂量的增加,其发光强度先增加后减小,Eu3+的最佳摩尔掺量为3.5%。     

机械力化学法合成SrZnO_2:Sm~(3+),M~+(M=Li,Na,K)及其发光性能

采用机械力化学法结合热分解法合成SrZnO2:Sm3+,M+(M=Li,Na,K)超细粉体。用X射线衍射、扫描电镜及荧光分析仪表征样品的结构、形貌及发光性能。研究摩尔比n(Sm3+):n(Li+)对样品发光性能的影响。结果表明:样品粒度分布均匀,粒径尺寸为100～300nm;在波长409nm的紫外激发下,样品发红光,发射主峰为606nm,对应于Sm3+的5G5/2→6H7/2跃迁;共掺碱金属离子可以显著增强发光强度,其发光性能与n(Sm3+):n(Li+)密切相关,当n(Sm3+):n(Li+)=1:3时,样品的发光强度最强。     

硫脲用量对燃烧法制备的Y_2O_2S:Sm~(3+)发光性能的影响(英文)

利用硫脲作为燃料(fuel,F),以Sm(NO3)3·6H2O,Y(NO3)3·6H2O为氧化剂(oxidizer,O),通过燃烧法制备了白光发光二极管用Y2O2S:Sm3+红色荧光粉,并研究了其发光性能以及硫脲用量等反应条件对发光性能的影响.X射线衍射结果表明:当燃料与氧化剂的摩尔比[n(F)/n(O)]为2.0～4.0时,通过燃烧法可合成纯相Y2O2S.n(F)/n(O)的值对样品的反应速度和反应温度有很大的影响.扫描电镜结果表明:当n(F)/n(O)为3.0时,可以得到粒度和发光强度较好的Y2O2S:Sm3+荧光粉.测量了Sm3+离子摩尔分数为3%时的激发光谱和发射光谱.样品的激发光谱由1个宽带和一系列的尖峰组成,其中位于412nm和468nm处的激发峰最强.发射光谱由3个发射带组成,其中发射主峰分别位于570nm,606nm和658nm.这表明Y2O2S:Sm3+可被波长为412nm的紫光和468nm的蓝光有效的激发并发出红光.     

低温燃烧法合成SrZnO_2:Sm~(3+),Li~+及其发光性能研究

采用低温燃烧法合成了SrZnO2:Sm3+,Li+红色荧光体,并用X射线衍射谱、扫描电镜图及荧光光谱对样品结构、形貌和发光性能进行了研究。结果表明,Sm3+离子和Li+离子成功地掺入了SrZnO2基质中,所得样品为正交晶系结构的SrZnO2物相;Sm3+离子在SrZnO2基质中主要占据Sr2+离子不对称性格位,发射来源于5G5/2→6H7/2605nm为主的橙红色光;样品呈比较规则的球形颗粒,分散性好,粒径为100～400nm;Li+离子的掺入能显著提高SrZnO2:Sm3+发光强度,当掺杂比n(Sm3+)∶n(Li+)=1∶3时,发光强度增幅最大。     

Ba_2La_8(SiO_4)_6O_2:Dy~(3+)荧光粉的制备及发光性能研究

采用高温固相反应法合成了掺Dy~(3+)的Ba_2La_8(SiO_4)_6O_2荧光粉,并根据其X射线衍射谱和光致发光光谱对晶体结构和发光性能进行了系统研究。Ba_2La_8(SiO_4)_6O_2∶Dy~(3+)荧光粉具有磷灰石结构,Dy~(3+)进入晶格后并未引起晶体结构的显著变化。该荧光粉可被近紫外光或蓝光有效激发,在478 nm和571 nm附近产生较强发射峰,呈现出接近白光的黄色光。Ba_2La_8(SiO_4)_6O_2基质中,最佳Dy~(3+)掺杂浓度为1%。促成浓度猝灭效应的能量传递机制为激活剂间的电偶极-电偶极相互作用。制备荧光粉具有较好的热稳定性,150℃下样品的发光强度保留了室温下的69.6%,其热激活能为0.24 eV。本工作表明,Ba_2La_8(SiO_4)_6O_2∶Dy~(3+)荧光粉具有在近紫外或蓝光激发的白光LED照明器件中的应用潜力。     

燃烧法制备白光LED用红色荧光粉SrBPO_5∶Sm~(3+)及发光性能

用H3BO3作为助熔剂、尿素为燃料,采用燃烧法在较低的起始温度(650℃)下制备了的纳米级SrBPO5∶Sm3+红色荧光粉。研究了该荧光粉样品的相结构、形貌和发光特性。结果表明:SrBPO5∶Sm3+样品属于三方晶系,空间群为P3121;该荧光粉平均粒径为200nm、分散性较好。样品在近紫外光404nm的激发下发射红光,发射主峰位于558、596和645nm处,分别对应于Sm3+的4 G5/2→6 H5/2、4 G5/2→6 H7/2和4 G5/2→6 H9/2的跃迁;当Sm3+的最佳摩尔掺杂量为10%,对于既可作为助熔剂又是原料的H3BO3过量0.8%时,样品的发射峰强度最强。SrBPO5∶Sm3+有望成为近紫外激发的白光LED用新型红色荧光粉。     

碱金属、稀土元素掺杂对LiEu(SiO2)1/6W2O8荧光粉发光性能的影响

采用超声波喷雾热解法制备了红色荧光粉(Li1-aAa)Eu(SiO2)1/6W2O8,Li(Eu1-bLnb)(SiO2)1/6W2O8(A=Na,K;Ln=La,Y,Gd)。通过扫描电镜、X射线衍射、激发和发射光谱对所制样品进行分析,选择合适的实验条件可制备出颗粒呈实心球形、结晶度好、表面光滑、没有团聚现象、发光强度较高、粒径平均1μm左右且分布较窄的荧光粉样品。该类红色荧光粉激发主峰位于396 nm,次激发峰位于465 nm,发射主峰位于615 nm。随着碱金属离子半径的增加(Li 相似文献   

黄色荧光粉Sr8ZnLu(PO4)7:Eu2+,Mn2+的制备与发光性能研究

采用高温固相法制备新型黄色荧光粉Sr_8ZnLu(PO_4)_7:Eu~(2+), Mn~(2+)。分别通过X射线衍射,扫描电镜和荧光光谱研究了材料的物相结构,形貌和发光性能。单掺Eu~(2+)样品在250～450 nm范围内出现宽峰吸收,预示着该材料可被近紫外芯片有效激发。Eu~(2+)发射光谱峰值位于520 nm,发光猝灭的机理被确定为偶极-偶极相互作用。在Eu~(2+)-Mn~(2+)共掺样品中荧光粉展现400～700 nm范围可调的宽峰发射。研究表明Sr_8ZnLu(PO_4)_7:Eu~(2+), Mn~(2+)黄色荧光粉在近紫外芯片激活的白光LED领域有潜在应用。     

白光LED用球形钼酸钙粉体的控制合成及特性(英文)

以去离子水和无水乙醇的混合溶液为溶剂,采用水热法成功合成出白光LED用球形CaMoO4基质粉体,制备了Eu3+、Sm3+、Pr3+掺杂的CaMoO4红色荧光材料。对CaMoO4∶Re3+(Re=Eu,Sm,Pr)荧光粉的物相、微观形貌和发光性能进行表征。结果表明:180℃水热反应24h,水与乙醇体积比为3∶1,pH=7.0时可控制合成出规则球形CaMoO4粉体。CaMoO4∶Eu3+粉体在395nm紫外光和465nm蓝光激发下,最强的红光发射峰位于618nm处,对应于Eu3+的5 D0→7 F2跃迁。CaMoO4∶Sm3+荧光粉激发峰为406和480nm,最强的红光发射峰位于649nm处,对应于Sm3+的4 G5/2→6 H9/2跃迁。CaMoO4∶Pr3+在453nm蓝光激发下,其最强红光发射峰位于655nm处,对应于Pr3+的3 P0→3 F2跃迁。而掺杂作为电荷补偿剂的碱金属Li+,可以有效提高CaMoO4∶Re3+(Re=Eu,Sm,Pr)荧光粉的发射强度。由此可知,CaMoO4∶Re3+(Re=Eu,Sm,Pr)有望成为白光LED用红色荧光粉。     

白光发光二极管用红色荧光粉LiBaB_9O_(15):Eu~(3+)的发光性质

采用高温固相法合成了LiBaB9O15:Eu3+红色荧光粉,研究了荧光粉的发光性能.结果表明:发射光谱主峰位于618nm,对应于Eu3+的5D0→7F2电偶极跃迁;Eu3+部分取代Ba2+进入晶格,占据非反演对称中心的格位;激发光谱两个主峰位于400nm和470nm,表明它可以作为蓝+黄模式白光发光二极管(white light.emitting diode,W-LED)~色补光粉和紫外发光二极管(ultraviolet-light-emitting diode,UV-LED)激发三基色荧光粉体系中的红色荧光粉.研究了Eu3+浓度和电荷补偿剂对发射光谱的影响,结果显示:随着EB3'浓度增加,发光强度增强,未发现浓度猝灭现象.电荷补偿离子Cl-、Na+和+均能提高样品的发光强度,其中掺入K+的样品发光强度最高,提高了约40%.     

α-Zn_3(PO_4)_2:Eu~(3+)的合成及发光性质

采用共沉淀法制备了Eu~(3+)掺杂α-Zn_3(PO_4)_2基红色荧光粉,利用XRD和荧光光谱对其晶体结构、发光性能进行了研究。结果表明,样品为纯α-Zn3(PO4)2,晶相为单斜相。样品在612nm波长光监测下得到的激发光谱图主要由一宽峰和一系列尖峰组成,其中396nm处的激发峰强度最大,这说明此荧光粉可被商业化生产的蓝光InGaN LED芯片有效激发。样品在396nm近紫外光激发下,在593nm和612nm处表现出较强的发射峰,分别对应于Eu3+的5D0→7F1磁偶极跃迁和5D0→7F2电偶极跃迁。     

Ca6Sr4(Si2O7)3Cl2∶Dy3+荧光粉的制备及其荧光性能

采用高温固相法合成了系列单相全色Ca6Sr4(Si2O7)3Cl2∶Dy3+荧光粉.通过X射线粉末衍射、荧光光谱等对合成的荧光粉样品进行了表征,并系统地研究了烧结温度、Dy3+离子掺杂量以及添加不同电荷补偿剂(Li+、Na+、K+)对样品发光强度的影响.结果表明:该荧光粉能被350nm的近紫外光有效激发;当烧结温度为950℃、Dy3+的掺杂量为4％(摩尔分数),Na+作为电荷补偿剂时,样品的荧光强度最强.     

Li2Y4–xEux（MoO4）7荧光粉的制备及发光性能

采用高温固相法合成了系列红色荧光粉Li2Y4–xEux(MoO4)7。合成样品的最佳烧结温度和时间分别为850℃和4h。X射线衍射显示样品为纯相Li2Y4(MoO4)7四方晶系晶体结构。光致发光光谱表明,该样品能够被395nm的近紫外光和465nm的可见光有效激发,主发射峰位于615nm附近,对应于Eu3+的5D0→7F2跃迁,显色性能好,可作为白光发光二极管用红色荧光粉;且Eu3+的掺杂量x为2.8时,样品Li2Y1.2Eu2.8(MoO4)7的相对发光强度达到最大值。