中低温烧结的温度稳定型Ba1-xCdxTiO3介电材料

温度稳定型钛酸钡基介电材料具有良好的性能，然而做为MLCs瓷料时，烧结温度偏高。用固溶体Ba1-xCdxTiO3替代BaTiO3做为基料，可以有效地降低烧结温度，制备符合X7R标准的MLCs瓷料，获得较高的室温介电常数。     

烧结工艺对B2O3掺杂Ba1-xSrxTiO3梯度陶瓷介电性能的影响

研究了烧结温度及升温速率对氧化硼(B2O3)掺杂钛酸锶钡梯度陶瓷(Ba1-xSrxTiO3,x=0～0.4,步长0.02)的致密化、晶粒尺寸及介电性能的影响.结果表明,随着烧结温度的升高,在氧化硼挥发的同时致密化程度提高,从而居里峰提高且变得尖锐;随着氧化硼含量的增加,晶粒尺寸均匀长大、介电常数和介电损耗都增加;升温速率适中时,掺杂物的挥发、致密化进程及晶粒长大同步完成,梯度陶瓷介电性能才有效提高.此外,钛酸锶钡梯度陶瓷掺杂适量氧化硼明显降低烧结温度,比未掺杂相同成分的陶瓷烧结温度至少降低150℃,且介电损耗明显减小;梯度陶瓷的居里峰温度区间显著展宽,大大降低了该温区的介温系数,可望提高该系列陶瓷元器件精度及稳定性.     

BaTiO3 PTCR陶瓷阻温系数的研究

本文以Ｈｅｙｗａｎｇ模型为基础，分析了影响ＢａＴｉＯ３ＰＴＣＲ陶瓷阻温系数α的主要因素，并给出了解析关系，各参数的测量结果与该关系基本相符。     

化学镀镍对BaTiO3基陶瓷PTC效应影响的机理研究

本文通过对比实验，研究了化学镀镍对于ＰＴＣ效应影响的机理。结果表明，对于某些致密的ＰＴＣ半导体陶瓷，化学镀镍后其室温电阻变小、升阻比下降不是由于镀液的渗透，而是与镀镍过程中发生的化学反应有关。首次提出了化学镀过程中产生的初生态氢原子影响ＰＴＣ效应的观点。     

Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响

采用固相烧结工艺制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3半导体陶瓷元件，其阻温特性具有独特的NTCR和PTCR复合效应，陶瓷室温电阻率及居里点以下的NTCR效应随着烧结温度的升高而提高，适当过量PbO则能降低陶瓷室温电阻率及其NTCR效应。利用XRD，SEM和EDS分别对样品的相结构，形貌及成份分布等进行分析。结果显示晶界中的Sr,Ti含量相对较高，而Pb含量相对较低，材料的阻温特性明显受其影响，铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现NTCR效应的主要原因之一，同时探讨Y^3 离子掺杂（Sr,Pb)TiO3陶瓷的半导体机理和热敏特性。     

Na1/2Bi1/2TiO3-BaTiO3系陶瓷压电性及弛豫相变研究

系统研究了（１－ｘ）Ｎａ１／２Ｂｉ１／２ＴｉＯ３－ｘＢａＴｉＯ３（ｘ＝０．０２、０．０４、０．０６、０．０８、０．１０）无铅压电陶瓷系统的相界、材料压电性能、驰豫特性及相变。这个系统的陶瓷材料具有Ｋｔ／Ｋｐ较大,频率常数比较高等特点,Ｘ－ｒａｙ衍射结构分析发现此系统的相界在０．０４〈ｘ〈０．０６之间;材料的一些主要性能在相界附近达到极值。利用介电系数－温度曲线,并结合热激电流曲线对此系统的驰豫性进     

BaTiO3基PTCR陶瓷中B2O3蒸汽掺杂的异常行为

钛酸钡基半导化陶瓷中的PTCR效应通常与材料中的施受主掺杂密切相关。在高温下B2O3具有较高的蒸汽压,通过B2O3蒸汽掺杂的研究表明,含主族元素B的氧化物蒸汽掺杂,钛酸钡基半导化陶瓷样品的升阻比同样得到了大幅度提高,同时室温电阻率也有所增加。B2O3蒸汽掺杂BaTiO3基材料的PTCR效应的提升可能得益于硼填隙和钡缺位相关的复合缺陷在晶界上的形成。     

BaTiO3基PTCR气敏陶瓷的晶界化学研究

陶瓷化学传感器的敏感机制与晶界的化学缺陷结构在周围微环境下的变异密切相关．晶粒表面和晶界是空位源，研究陶瓷材料在环境气氛中晶界化学缺陷的变化，对于探索陶瓷材料的敏感机制和开拓新应用具有重要意义．本文就BaTiO3基PTCR陶瓷中本征缺陷的生成和分布，缺陷在高温冻结、吸附和脱附过程中的变化，缺陷的重分布及其对晶界势垒的贡献进行深入的讨论．     

Mn掺杂BaTiO3基PTCR陶瓷相变的EPR研究

为了探索利用EPR谱线对PTCR陶瓷相变及PTC效应的机制研究的可能性,本文对掺Mn的BaTiO3基正温度系数热敏电阻（简称PTCR）陶瓷在120-450K温度范围内的电子顺磁共振谱进行了研究。得于了Mn^2 离子EPR信号强度、g因子值和超精细耦合常数|A|值的温度分布,发现EPR参数与PTCR陶瓷相变有明显的对应关系,并给出微观结构上的初步解释。研究表明EPR谱线以及精细结构的分析可以为PTCR陶瓷的相变机制以及上的初步解释。研究表明EPR谱线以及精细结构的分析可以为PTCR陶瓷的相变机制以及PTC效应的机制研究提供新的途径。     

脉冲电流烧结掺杂Ba0.5Sr0.5TiO3陶瓷介电性能的研究

以硝酸钡、硝酸锶、钛酸四丁脂、硝酸铜、硝酸镧以及氨水为原料，利用柠檬酸一硝酸盐燃烧法制备了Ba0．5Sr0．5TiO3(BST)、1mol％Cu^2 掺杂BST、1mol％La^3 掺杂BST，以及0．5mol％Cu^2 和0．5mol％La^3 共掺杂BST粉末．利用脉冲电流(简称PECS)烧结设备烧结所制备的粉体，结果发现掺杂可以大大改善BST陶瓷晶粒大小的均匀性．介电性能测试结果表明1mol％Cu^2 掺杂不仅降低了BST的介电损耗，同时也降低了介电常数，而1mol％La^3 掺杂，以及0．5mol％Cu^2 和0．5mol％La^3 共掺杂降低了BST的介电损耗，但在25℃附近介电常数升高．     

化学法制备的（Sr,Pb）TiO3基PTCR陶瓷

通过化学工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ３陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特性，样品耐压强度大，室温电阻率低于１０＾２Ω．ｃｍ，升阻比高达１０＾６．３３，烧结温度可以降低至１１００℃以下。     

钛酸钡陶瓷晶界结构、偏析与性能

本文根据国内外近年来ＢａＴｉＯ３陶瓷界结构及晶界偏析的研究成果,总结了ＢａＴｉＯ３陶瓷中存在的晶界偏析现象,分析了产生晶界偏析的主要因素,以及晶界偏析对ＢａＴｉＯ３陶瓷电性能的影响,指出了ＢａＴｉＯ３陶瓷晶界结构与晶界偏析研究中还存在的问题及今后的发展趋势。     

低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3PTCR陶瓷界面缺陷态研究

用TEM和EDS相结合的测试手段,研究了低电阻率Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃PTCR陶瓷材料的界面元素分布.根据界面元素分布的情况,对低电阻率Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃PTCR陶瓷界面可能存在的缺陷态进行分析,认为在低电阻率Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃PTCR陶瓷界面上主要存在以下缺陷结构:Mn"_Ti,Mn’_Ti或Al’_Ti,V"_Ba.     

氧化锆陶瓷四方相以及晶界热导率的定量计算

氧化钇部分稳定的氧化锆(YSZ)涂层是应用广泛的热障涂层材料。为了更好地研究各种因素对热障涂层热导率的影响, 使用压制烧结的方法制备基本致密的氧化锆陶瓷, 研究相组成和晶粒大小对热导率的定量影响。在不同的烧成制度下制备出不同晶粒大小的氧化锆陶瓷。用电子背散射衍射(EBSD)图像研究氧化锆陶瓷材料的相组成以及晶界的分布情况。综合有限元模拟的方法以及傅立叶传导方程, 计算出四方相和晶界的热导率分别为2.65 W/(m·K)和1.54 W/(m·K)。研究表明, 四方相的热导率比氧化锆陶瓷的热导率高, 而晶界的热导率比氧化锆陶瓷的低。     

锆英石陶瓷的晶界特性对其高温力学性能的影响

本文通过扫描电镜（ＳＥＭ）观察断口形貌和高分辨电镜（ＨＲＥＭ）观察晶界形貌，研究了锆英石陶瓷的晶界特性对其高温力学性能的影响．结果表明：锆英石陶瓷中两晶粒间的晶界上未观察到玻璃相存在，而在三晶界交汇处则发现少量玻璃相，引起锆英石陶瓷在高温下力学性能下降．与此同时，断裂方式也从常温下的穿晶断裂转变成为高温条件下的沿晶断裂．     

氮化硅陶瓷晶界相研究进展

晶界相对氮化硅陶瓷性能有重要作用,研究晶界相的性能对断裂韧性、高温强度的提高有重要意义。介绍了氮化硅陶瓷的显微结构、性能和应用,重点评述了氮化硅陶瓷晶界相的形成、特点、影响因素以及晶界相对力学性能和摩擦磨损性能的影响。提出了当前研究中存在的问题,并展望了未来氮化硅的研究方向。     

钛酸钡陶瓷介温特性测试技术

钛酸钡陶瓷介温特性测试系统主要由介电性能测试软、硬件平台构成,具有信号调理、采集、分析处理、自动生成测试报告等功能,可以实现钛酸钡陶瓷的室温介电常数、相变温度、介电常数-温度特性、介电损耗-温度特性、容量温度变化率特性等多项参数的综合自动测试.系统硬件平台主要包括计算机、参数转换装置、LCR仪、温控箱、显示终端等.自动...     

晶界层电容器晶界势垒的研究

以中间夹层的 Schottky 势垒作为晶界层电容器晶界势垒,从理论上分析、推导了电流电压关系和电容电压关系。利用这些关系式对实验测试数据进行了计算机模拟,并用实验结果和计算机模拟结果检验了该晶界势垒模型的合理性。在此基础上揭示出晶界势垒对晶界层电容器电性能所起的关健作用。     

钛酸镁/钛酸镧复相陶瓷性能的研究

研究了钛酸镁/钛酸镧复相陶瓷的烧结性能和介电性能,并对影响机理作了初步探讨.结果表明,钛酸镁/钛酸镧复相陶瓷能在1330℃左右烧结;在10MHz下,介电常数可在20～45之间随意调节,介电损耗都为10-4数量级;复相陶瓷主要由MgTiO3、La0.66TiO2.993两种晶相构成;陶瓷中晶相分布均匀、晶粒结合紧密、烧结致密性好.     

低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3PTCR陶瓷界面缺陷态研究

用TEM和EDS相结合的测试手段,研究了低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3PTCR陶瓷材料的界面元素分布。根据界面元素分布的情况,对低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3PTCR陶瓷界面可能存在的缺陷态进行分析,认为在低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3PTCR陶瓷界面上主要存在以下缺陷结构：Mn“Ti,Mn‘Ti或Al‘Ti,V”Ba。