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两种LiF(Mg,Cu,P)片状探测器剂量学特性的比较研究 总被引:2,自引:1,他引:1
GR-200A与MCP-N均为LiF(Mg,Cu,P)片状探测器,现将GR-200A和MCP-N在发光曲线,灵敏度,重复使用,抗潮湿性能,本底,探测阈,光敏等性能进行平行对比实验,其中GR-200A的灵敏度为MCP-N的1.6倍;6次重复使用的结果GR-200A灵敏度无变化 ,MCP-N灵敏度下降了2.6%,抗潮湿性能GR-200A更优于MCP-N。 相似文献
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辐射的低剂量生物效应及分子流行病学研究现状 总被引:2,自引:0,他引:2
对低剂量辐射效应研究中的主要问题,诸如线性无阈假设、辐射致癌危险评价、辐射致癌机理以及辐射旁效应进行了综述,并概要介绍了分子流行病学在辐射效应研究中的应用及其研究现状。 相似文献
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对2种不同结构的功率VDMOS晶体管进行了总剂量辐照的试验研究,条形栅结构比元胞型结构具有抗总剂量辐照的结构优势,中国科学院微电子研究所利用条形栅结构制作出高抗总剂量辐照能力的功率VDMOS晶体管,抗总剂量能力可达1 400 krad(Si)以上. 相似文献
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本论文主要分析了SiN4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用.同时也发现叠层栅中Si3N4越厚,将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷. 相似文献
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以正比计数管为基础的中子剂量当量仪是实现反应堆和加速器等中子辐射场剂量水平实时监测的重要手段,而探测器的死时间效应问题直接关系到脉冲中子辐射场下量值的准确性。本文使用"双源法"实验测定了正比计数器死时间,使用蒙特卡洛模拟软件计算了中子探测器慢化体对中子的慢化时间,推导出加速器辐射场中计数率与修正因子的关系式,可以实现脉冲辐射场中子漏计数补偿。 相似文献
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通过对锥形束螺旋CT辐射区域的分析,给出了在反投影滤波精确重建法下,人或小动物经由单源及三源锥形束螺旋CT成像所受辐射剂量的具体计算公式,并验证了在这两种不同扫描方式下,他们所受的X-射线辐射剂量是相等的. 相似文献
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γ总剂量辐射对CMOS器件性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文比较了相同结构不同工艺的CMOS电路γ电离辐射效应结果。它表明:未经加固的市售器件,对γ总剂量辐射相当灵敏。特别是硅栅器件,正偏置下,大约经15Gy的γ剂量辐射后即告失效;在70Gy下,静态功耗电流增加4.5个量级。从实验结果出发,讨论了CMOS电路γ总剂量电离辐射效应的失效标准和加固方法。 相似文献
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针对辐射剂量计算的不确定性,运用放射性核素浓度计算模式和公众个人照射剂量计算模式,计算了我国某核电厂正常运行下某子区代表居民液态途径的辐射剂量,分析了公众液态途径辐射剂量对核素悬浮物吸附分配系数的响应。结果表明:当核素~(60)Co和~(137)Cs的悬浮物吸附分配系数降低一个数量级时或升高一个数量级时,岸边沉积外照射剂量响应较为明显。特别是~(137)Cs,其悬浮物吸附分配系数降低或升高一个数量级,该核素岸边沉积剂量贡献占其液态途径剂量比值和占总岸边沉积剂量比值都有明显变化。 相似文献
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本文根据十多年个人剂量监测结果,对核动力装置工作人员的辐射剂量状况作了总体分析,提出了由年平均剂量H、单位功耗人均剂量h、集体剂量S、集体剂量分布比MR及中子剂量份额Pn组成的剂量评价指标体系,并对某些特征剂量参数的可靠性和正确性作了分析。 相似文献