热轧态Cu-Fe-P合金的相变动力学研究

通过对热轧态Cu-2.5％Fe-0.03％P-0.1％Zn合金时效过程中的导电率与析出相体积分数之间的关系研究了该舍金的相变动力学。以不同温度时效时的导电率试验数据可确定该合金的相变动力学方程的系数,从而描绘出不同温度时效时的相变动力学“S”曲线以及合金等温转变TTT曲线。     

Cu-0.1Ag-0.1Fe合金的相变动力学

通过对Cu-0.1Ag-0.1Fe合金恒温时效过程中的导电率与析出的新相体积间的关系的测定与分析,研究了该合金的时效动力学,并由此确定了不同温度下描述新相转变比率与时效时间关系的Avrami经验方程和计算导电率随时效时间变化的导电率方程,从而描绘出不同温度时效时的相变动力学"S"曲线以及等温转变"C"曲线。     

热轧态Cu-Ni-Si-Mg合金的时效动力学

对经过连铸连轧处理的Cu-Ni-Si-Mg合金进行时效,研究了时效温度和时效时间对该合金组织和性能的影响,并对该合金在不同温度下的时效动力学进行了分析。结果表明:合金在450℃时效2 h时能够获得较好的综合性能,其显微硬度和导电率分别为230 HV和35%IACS;通过对合金在时效过程中导电率的变化规律的分析,推导出合金在不同温度下时效的相变动力学方程和导电率方程,在此基础上做出了动力学"S"曲线和导电率方程曲线,该导电率方程与试验值吻合。     

CuNiCoBe合金应变时效相变动力学分析

研究了固溶后应变时效处理对CuNiCoBe合金的电导率和硬度的影响。通过测量合金冷变形后恒温时效过程中的硬度和电导率变化,并根据电导率与新相的转变量之间的内在关系,计算出时效过程中新相的转变比例,推导出不同冷变形量、不同温度下描述CuNiCoBe合金时效时的新相体积分数与时效时间关系的Avrami经验方程及不同应变时效处理工艺下计算电导率随时效时间变化的电导率方程。     

CuBiAl合金相变动力学研究

采用DSC法研究了CuBiAl合金组织中（αCu）＋2γ（Al4Cu9）→β（AlCu3）的相变动力学。结果表明,该合金以10℃/min升温时的相变温度为562.12℃,合金的相变表观激活能为1 145.75 kJ/mol,相变起始激活能为2 744.58kJ/mol,随着相变体积分数的增加,其相变激活能逐渐减小。并在此基础上绘制了相变的体积分数与温度之间的关系曲线。     

Cu-Be-Co-Zr合金时效析出动力学

研究了Cu-Be-Co-Zr合金480℃恒温时效条件下的时效析出动力学。根据导电率与析出相体积分数的关系,计算了Cu-Be-Co-Zr合金不同时效时间(0, 30, 60, 120, 180, 240, 360, 480, 600 min)对应的析出相转变比率,建立了Cu-Be-Co-Zr合金480℃时效条件下的析出相变动力学方程和导电率方程,并在此基础上绘制了等温转变动力学S曲线;采用固态热分解反应机理的积分方程,揭示了Cu-Be-Co-Zr合金时效析出转变机制为受扩散控制的反应机理。     

固溶态Cu-Ni-Si合金时效过程的相变动力学

通过分析固溶态Cu-Ni-Si合金时效过程中导电率的变化,根据导电率与新相析出量之间的关系计算时效过程中新相的转变比率,在此基础上,确定不同温度下描述时效析出相转变比率与时效时间的Avrami相变动力学经验方程和导电率随时间变化的导电率方程,绘制出动力学"S"曲线,并且用固态热分解反应机理的积分方程验证用Avrami经验方程来描述合金的析出过程的正确性。对Cu-Ni-Si合金在500℃时效8 h后的析出相进行选区电子衍射花样标定,发现析出相为δ-Ni2Si和β-Ni3Si。     

Cu-Zn-Al合金贝氏体相变的动力学特征

以膨胀及金相测定确立了Cu-Zn-Al合金由马氏体态加热和经高温母相冷却时,其贝氏体形成的TTT图和动力学曲线.证明贝氏体相变的动力学特征符合Austin-Rickett方程,由马氏体加热形成贝氏体时n值为2.25,经高温冷却时n为1.80;形成贝氏体的激活能约为110kJ·mol~(-1),与溶质原子的扩散激活能相当.     

Cu-Cr-Zr-Mg合金的相变动力学

通过测量Cu-Cr-Zr-Mg合金样品的导电率,研究了合金的相变动力学。由Avrami经验方程得出了不同时效温度条件下Cu-Cr-Zr-Mg合金的相变动力学方程和电导率方程。通过绘制动力学"S"曲线描述了时效析出规律,并且利用固溶态脱溶分解的积分方程验证了Avrami经验方程描述该合金析出过程的正确性,从而揭示出合金在450~550℃时效时的反应机理是三维扩散控制。450℃×8 h时效时合金的主要析出相为具有cube-on-cube位向关系的有序fcc富Cr相和具有N-W位向关系的B2有序富Cr相。     

引线框架Cu-Fe-P合金的加工工艺研究

研究了热处理与冷变形对引线框架材料Cu-Fe-P合金导电率、显微硬度、耐热性的影响。结果发现，低温时效时，极为细小的析出物在冷轧过程中可以溶入铜基体，从而他得导电率大幅度下降；同时耐热性主要依赖于固溶处理温度以及随后的时效条件。精整变形后合金性能可达：导电率48％IACS、显微硬度165HV；在450℃加热5min合金未观察到软化。     

TC21合金时效过程中的相变研究

采用XRD、SEM、TEM及显微硬度测试等手段,系统研究了TC21合金固溶处理后的相变以及合金在550～850℃时а"相在时效过程中的分解机制及组织演变规律,结果表明:1000℃固溶30 min淬火后,TC21合金形成а"马氏体,且合金中存在少量β及O相(Ti2AlNb);随时效温度的升高,а"相逐步发生а"→а+а"_高→а+β_(亚稳)→а+β,а"+а'+β_(亚稳)→а+β,а"→а+β等分解过程;TC21合金的显微硬度依赖于时效温度和时效时间,时效时间延长,合金显微硬度先迅速增大,达到最大值后再逐渐减小.时效温度升高时,合金显微硬度达到最大值的时间缩短,且合金最终的显微硬度随时效温度的升高而降低.     

脉冲电流对铝基纳米合金相变动力学的影响

研究了超短脉冲电流处理对快凝Al92.3Fe4.3V0.7Si1.7Nd1.0纳米晶合金薄带相稳定性的影响，并与等温时效处理结果进行了比较，基体Al晶粒尺寸和析出相颗粒尺寸减小，亚稳相向稳定相转变速度加快，相转变温度降低约100℃；理论分析表明：外场使相转变激活能、临界核心半径和形核功下降，从而提高形核率，并对新相长大有促进作用。     

Ti-B19合金时效过程中亚稳定β相的分解

采用透射、扫描电镜及X射线衍射分析研究了Ti-B19合金中亚稳定β相在时效过程中的分解特性。结果表明:500～650℃时效,随时效时间增加,先在晶内变形带上析出点状α,然后“连点成线”,同时针状α相沿晶界和在晶内与β相成一定位向关系析出。700～750℃时效,点状α相析出规律类似,针状α相钝化,以短棒状形态在晶界上析出,并且析出量减少。低温时效(300～450℃)时,先析出过渡相ω相,再逐渐转变到平衡α相,但在 400～450℃时效过程中,α相的析出却包含了两种析出机制:既有直接析出的α相,也有通过ω相转变的α相。     

Ti-B19合金时效过程中亚稳定β相的分解

采用透射、扫描电镜及X射线衍射分析研究了Ti-B19合金中亚稳定β相在时效过程中的分解特性。结果表明：500～650℃时效，随时效时间增加，先在晶内变形带上析出点状α，然后“连点成线”，同时针状α相沿晶界和在晶内与β相成一定位向关系析出。700～750℃时效，点状α相析出规律类似，针状α相钝化，以短棒状形态在晶界上析出，并且析出量减少。低温时效（300～450℃）时，先析出过渡相ω相，再逐渐转变到平衡α相，但在400～450℃时效过程中，α相的析出却包含了两种析出机制：既有直接析出的α相，也有通过ω相转变的α相。     

低Al含量Ti-Al合金相变行为的分子动力学模拟

利用分子动力学模拟研究了Ti-5Al和Ti-10Al两种合金的β→α相变过程。比较分析了不同Al含量下相变过程的体系内能、径向分布函数、不同晶体结构相对含量的变化以及晶体结构的演化。结果表明:Ti-10Al较Ti-5Al更快发生α相形核析出,体现出实际相变过程中Al作为α相稳定元素的作用;β→α的结构转变通过{110}β面原子层间的相互滑移发生,并伴随一定畸变,新相与母相间晶体学关系符合{0001}α//{110}β;新相中易形成层错、孪晶等晶体缺陷,以消除部分相变过程中畸变引起的应力。     

Ni-Ti-Nb合金不同变形条件下的相变曲线

对不同的变形条件下Ni47Ti44Nb9合金的DSC相变曲线进行测定，分析了它们与变形量的变化规律。结果表明，变形量越大，相变热焓随之有所增加。     

Al—Li—Cu—Zr合金中T1相结构、形核和长大机制研究

T1(Al2CuLi)相是Al-Li-Cu-Zr合金中的重要强化相.通过TEM在对T1相结构和形貌分析的基础上,构造了T1相的结构.T1相晶核以ABCBA的堆垛顺序,共由36个原子组成,其晶格常数a=0.495nm,c=0.933nm.与基体的位相关系为{0001}T1∥{111}α,<>T1∥<110>α.合金中铜原子的偏聚降低了基体的层错能,从而为T1相依赖扩散层错形核提供了有利条件.T1相长大依赖于原子扩散和台阶滑移,是一种长程扩散控制的台阶机制.     

时效对Cu-Fe-P合金显微硬度及导电率的影响

研究了热处理工艺对Cu-Fe-P合金显微硬度及导电率的影响。结果表明，采用常规时效处理工艺其导电率很难达到性能要求，而对冷变形后的合金予以分级时效则可以满足要求，其中导电率可达66．1％IACS,硬度可达119HV。