InGaAsP／InP激光器非平面液相外延生长的研究

本文叙述了用于制作 InGaAsP/InP 半导体激光器的非平面液相外延工艺。讨论了各种因素对非平面液相外延生长的影响。在 InP 衬底上和刻有沟槽的 InGa-AsP/InP 外延片上成功地生长出了高质量外延层。用该外延片制作的激光器在室温连续工作条件下典型阈值电流30mA,典型输出功率为10mW。最高激射温度为115℃。     

光栅衬底液相外延技术

光栅衬底液相外延是分布反馈激光器研制的关键技术之一。利用 Sn-In-p 和 GaAs 单晶作为光栅衬底表面的高温热保护盖片,有效地解决了光栅表面高温热损伤问题,在光栅表面重复地生长出了高质量的外延层,并以此为基础,研制出了DFB 激光器。     

InGaAs／InP SAGM—APD结构的液相外延生长研究

本文讨论了InP/InGaAsP/InGaAs/InP SAGM-APD结构的抗回熔生长,并解决了InP在InGaAs上液相外延生长时的回熔问题。同时,研究了各外延层参数的控制。结果制得的器件,其最大雪崩倍增20,0.9V_B下暗电流14nA,响应度大于0.6A/W。     

用外延法生长高功率叠层半导体激光器

法国汤逊一CSF公司的研究人员已用化学外延（＊＊E）法外延生长叠层二极管激光器。他们宣称，这种方法可开发费用效益高的高功率单片叠层半导体激光器。虽然诸如二极管泵浦＊d：YAG系统等高功率固体激光器正日益增多地分享以前只为普通闪光灯泵浦系统占领的市场，但如果＊d：YAG激光器的市场份额要继续增长的话，它们也仍面临几个障碍需要克服，这就是它们的输出功率、亮度和费用效益必须继续改善。尽管半导体材料具有高增益和良好热导率方面的优势，但一直存在输出功率低的问题，半导体激光器的总输出功率仍然不高，这主要是由于发射激…     

掩埋异质结构DFB激光器的液相色外延生长

采用液相外延方法制作了平坦表面掩埋异质结构分布反馈激光器二极管。要改进激光器的特性，需要解决三方面的困难。第一个困难是在波纹上面的InGaAsP光波导层内形成许多小坑。另外两个困难是波纹的热菜以及沿台面边缘流动的漏泄电流。采用氧等离子体工艺清洁波纹表面解决了第一个困难。采用表面粗糙的GaAs平板片覆盖住波纹，减少了波纹的热变形。用一咱新型腐蚀剂台面，减小了漏泄电流。     

InP与In1—xGaxAsyP1—y／InP的电解液电调制反射光谱

研究了ＩｎＰ样品和Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ液相外延片在３００～８００ｎｍ范围内的电调制反射光谱，利用Ａｐｓｎｅｓ三点法计算了临界点能量，增宽因子和自旋轨道分裂值。通过实验曲线与理论公式的拟合，确定了临界点能维数及相位因子，并且间接提供了被测Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ四元合金的组份值及其它临界能量值Ｅ０和Ｅ２。     

液相外延生长InGaAsP超薄层

本文叙述了600℃低温液相外延和两相溶液法生长InGaAsP/InP超薄层及其特性研究。四元外延层的厚度、光荧光峰值半宽、过渡区陡度分别为～63nm,22.8meV,～11nm。四元层与衬底间失配度为+0.3‰。     

碲镉汞的液相外延生长

设计了一种使用良好的石墨舟 ,建立了一套能进行开管液相外延的系统 ,并利用此系统在 Cd Zn Te衬底上和在富 Te的生长条件下生长了不同 x值的 Hg Cd Te外延薄膜 .通过对外延生长工艺的控制 ,外延薄膜的表面形貌有很大的改善 ,残留母液大为减少 ,外延薄膜的组分比较均匀 ,其电学性能得到较大改善 ,Hg Cd Te外延薄膜与Cd Zn Te衬底之间的互扩散非常少 ,外延膜的晶体结构也较完整 .     

碲镉汞的液相外延生长

设计了一种使用良好的石墨舟,建立了一套能进行开管液相外延的系统,并利用此系统在CdZnTe衬底上和在富Te的生长条件下生长了不同x值的HgCdTe外延薄膜.通过对外延生长工艺的控制,外延薄膜的表面形貌有很大的改善,残留母液大为减少,外延薄膜的组分比较均匀,其电学性能得到较大改善,HgCdTe外延薄膜与CdZnTe衬底之间的互扩散非常少,外延膜的晶体结构也较完整.