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本文主要分析了16×16电容式触觉传感阵列中一种新的单元结构——异型膜结构的理论设计.建立了异型膜模型,并首次通过求解大挠度情况下的挠曲微分方程,对异型膜进行数值模拟,研究了异型膜的结构参数对传感器灵敏度的影响,并估算出外力的动态范围.结合实践,为阵列单元设计提供了可靠的理论依据. 相似文献
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皮肤是人类感知外界信息的重要器官,人类通过皮肤产生的触觉感来判定环境变化,从而做出相应的反应。该文以聚偏二氟乙烯(PVDF)为主材料,设计制备了液体芯PVDF压电纤维、电子皮肤柔性触觉传感器。为了测试该电子皮肤的触觉传感性能,实验以推力计施加压力,使压电纤维发生形变,则电荷改变。通过机器学习误差逆向传播(BP)神经网络算法、分类学习对数据训练,即可通过6根纤维的信号大小来判断压力的大小及位置。其中BP神经网络的回归分析图中回归系数(R)值为0.87,分类学习中接受者操作特征曲线(ROC)下的面积(AUC)为1。结果表明该电子皮肤灵敏度高,对于力的捕捉精确。 相似文献
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CMAC是模仿人类小脑工作机理的一种神经网络,它具有自适应补偿能力。本文首次在机器人PVDF触觉传感器领域使用了基于CMAC神经网络的逆滤波系统,目的是消除在通过触觉传感器的应力信息反求被触摸物体的轮廓过程中系统模型产生的结构误差。使用ARMA模型对触觉传感器模型进行了较好的逼近,保证了整个系统能有效工作。设计了基于频域特性的物体轮廓高程估计逆滤波器系统,此逆滤波器具有较快的速度和很强的通用性。 相似文献
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本文报道了SOI(Semiconductor On Insulator)材料的场助键合技术,其中包括SiO2-SiO2,Si-SiO2,Si-石英,GaAs-玻璃等的键合,利用各种检测手段对键合材料的键合面积,键合强度,界面形貌及电学特性进行了测试,文中还讨论了场助键合机理,等离子体表面处理方法及场助键合材料的应用实例,结果表明,场助健合技术是一种很大潜力的技术。 相似文献
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近来,人们正在开发许多种绝缘体上硅膜(SOI)材料工艺。这些工艺的每种电气或物理特性都会影响其潜在应用。本文描述了哈里斯半导体公司开发的三种SOI材料工艺的特性研究,即SIMOS,按比例缩小介质隔离及圆片粘合工艺。本文还评论了这些材料质量的现状,报道了制成的典型CMOS器件的电气及辐射的响应特性,并评述了这三种工艺的生存能力。 相似文献
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随着微电子技术发展,要使器件水平进一步提高,除了进一步缩小芯片的特征尺寸外,采用新型材料也是有效的方法。文章介绍了SOI解决方案,阐述了SOI器件与体硅器件相比具有的明显优点。文章重点介绍了SOI晶圆材料的制备方法,目前广泛使用且较有发展前途的SOI的材料制备方法主要有注氧隔离的SIMOX(Seperation by Impolanted Oxygen)方法、硅片键合和反面腐蚀的BESOI(Bonding-Etchback SOI)方法、将键合与注入相结合的Smart Cut SOI方法。指出了SOI很有可能成为今后高性能和高可靠集成电路材料的主流。 相似文献
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提高汽车性能的微加工传感器最新的微加工技术造价低廉,而用这种技术制作的传感器却可使汽车安全得多Clifford Meth新一代的微加工传感器不仅使汽车驾驶起来更加安全,而且也可降低制造费用。微(机械)加工(micromachining)决不是一种新技... 相似文献
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采用大剂量氧离子注入(170keV,1.8×1018+/cm2)p型单晶硅,高温退火(1300℃,6h)后形成SOI-SIMOX(SiliconOnInsulator-SeparationbyImplantatlonofOxygen)样品。俄歇电子能谱仪和扩展电阻仪测试表明,该样品表层硅膜的导电类型由p型反型为n型。SIMOX样品的反型是硅中的氧施主所致,由近自由电子的类氦模型计算,SIMOX样品中氧施主的电离能为0.15eV,与早期文献报导的实验值一致。 相似文献
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主要讨论了SOI集成技术及其发展前景,介绍了SOI技术在VLSI应用方面 的优越性以及在微电子领域中的广泛应用。 相似文献
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4.SOI的应用领域4.1SOI的高端应用—8英寸和12英寸的薄膜SOI国际SOI市场95%的应用集中在8英寸(1英寸=25.4毫米)和12英寸大尺寸薄膜SOI,其中绝 相似文献
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采用SDB/SOI材料制备的ISFET型 PH传感器减小了衬底漏电流,改善了PH传感器的温漂时漂等特性。本文提出的结构对PH传感器的实用化是引人注目的。 相似文献