Bi_2Sr_2CaCu_2O_（y－x）F_x超导体的正电子寿命研究

室温下测量了Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ－ｘＦｘ超导体的正电子寿命和掺Ｆ量的关系．结合临界温度Ｔｃ的测量．研究了Ｆ在样品中替换Ｏ的位置．以及由此引起的样品电子结构的变化．研究表明．当ｘ＝０．４时．Ｆ主要替换Ｓｒ－Ｏ面的Ｏ．并使Ｓｒ－Ｏ面的电子向Ｃｕ－Ｏ面和Ｂｉ－Ｏ层迁移。     

YBa2Cu3—xSnxOy超导体系的正电子寿命谱研究

研究了Ｓｎ作Ｃｕ位元素替代的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＳｎｘＯｙ超导体系（ｘ＝０－１．５）的正电子寿命谱，计算了局域电子密度和缺陷浓度的变化，发现了存在于高浓度替代区域（ｘ＝０．８－１．０）的正电子湮没特征，讨论了对超导电性的影响以及相应的物理机制。     

正电子湮没寿命与BaF_xCl_（2－x）：Eu~（2＋）中缺陷的关系

讨论了光激励发光材料ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：Ｅｕ２＋中的缺陷与正电子湮没寿命的关系．通过实验结出随着ｘ值的改变即Ｆ／Ｃｌ比值的变化对形成Ｆ色心的影响，并且给出了ｘ值与Ｆ色心的种类与浓度的关系．     

正电子湮没寿命与BaFxCl2—x：Eu^2＋中缺陷的关系

讨论了光激励发光材料ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：Ｅｕ＾２＋中的缺陷与正电子湮没寿命的关系，通过实验给出随着ｘ值的改变即Ｆ／Ｃｌ比值的变化对形成Ｆ色心的影响，并且给出了ｘ值与Ｆ色心的种类与浓度的关系。     

烧结时间对YBa2Cu3O7-δ超导体的正交结构及正电子寿命参数的影响

报告了利用X射线衍射（XRD），扫描电镜（SEM）和正电子湮没等实验对YBa2Cu3O7-δ（Y－123）体系正交畸变度和正电子寿命谱随烧时间变化的研究结果。发现在950℃温度的烧结条件下，在12－72h这一相当宽的烧结时间范围内，正电子实验具有足够的稳定性和可靠性，实验表明足够的烧结时间在Y－123多晶材料制备方面是必须的。     

高温超导外延薄膜YBa2Cu3O7—x中空位型缺陷的低能正电子寿命研究

利用脉冲低能正电子束系统测量了脉冲激光沉积法，磁控溅射法和多源共蒸法制备的高浊转眼上延薄膜ＹＢａＣｕ３Ｏ７－ｘ的低能正电子寿命谱，结果表明，除块材中普遍存在的正电子浅捕获中心，还大量含有块材中缺乏的正电子深捕获中心，并且其尺度随温度的降低而长大。脉冲激光沉积法制备高温超导外延薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ的正电子寿命和沉积条件（衬底温度及空气分压）的关系研究表明，这种深捕获缺陷的种类与沉积条件有关，而     

La2-xMxCUO4(M=Sr,Ba)体系的正电子湮没研究

为了研究镧系超导体在掺杂为1/8时的超导转变温度反常抑制问题,我们对La2-xMxCuO4(LMCO,M=Sr,Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱进行了系统的测量。观察到了存在于x=0.125附近的电子密度(ne)的峰值响应,并讨论了相应的正电子湮没机制以及和超导电性之间的关系。     

YBa_2Cu_（3－x）Sn_xO_y超导体系的正电子寿命谱研究

研究了Ｓｎ作Ｃｕ位元素替代的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＳｎｘＯｙ超导体系（ｘ＝０－１．５）的正电子寿命谱，计算了局域电子密度和缺陷浓度的变化；发现了存在于高浓度替代区域（ｘ＝０．８－１．０）的正电子湮没特征；讨论了对超导电性的影响以及相应的物理机制。     

氧化物光学碱度与正电子寿命关系的研究

对快速激冷（冷速＞１８０Ｋ·ｓ－１）９９Ｎ８２Ｏ－Ｂ２Ｏ３熔盐、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｖ２Ｏ５和Ｎａ２Ｏ－ＴｉＯ２熔盐的正电子湮没寿命谱作了测定。结果表明：非过渡金同氧化物的光学碱度Ａ与相应的正电子寿命谱第一组分τ１有很好的线性关系Ａ＝０．１７３τ－１＋０．０６０．据此求得过渡金属氧化物ＺｎＯ、ＴｉＯ２和Ｖ２Ｏ５的Ａ实验值分别为１．００、０．６３和０７５。     

云母钛珠光颜料的正电子寿命谱研究

用正电子湮没技术测量了云母钛珠光颜料的正电子寿命和强度与煅烧温度，包覆量等的关系，并与Ｘ射线衍射，透射电镜等方法进行了比较。     

Fe_（73．5）Cu_1Nb_3Si_（13．5）B_9非晶合金化过程的X射线

采用Ｘ射线衍射和正电子湮没多普勒展宽测量相结合，研究了纳米晶态材料Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９的结构随退火温度的变化。实验结果表明：急冷非品样品在４８０℃开始明显晶化，基体中析出体心立方结构的α－Ｆｅ（Ｓｉ）固溶体。随着退火温度的升高，非晶漫射峰不断减弱，而晶态相的衍射谱逐渐增强。进一步计算对衍射谱的分离，给出了品化分数和非晶相平均原子间距随退火温度的变化规律。正电子湮没实验证实了约５５０℃退火时样品内出现以Ｎｂ、Ｂ原子为主的晶界非晶相，Ｓ参数随退火温度的变化与非晶相平均原子间距随退火温度的变化规律一致。     

高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究

用 1.15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照 ,并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明 ,在未辐照二氧化硅玻璃中有近 81%的正电子是以正电子素的形式湮灭的 ;根据o -Ps的撞击湮灭寿命确定出未辐照样品的自由体积分布在0 .0 2— 0 .13nm3的区域里 ,平均自由体积半径约为 2 .5nm。辐照后材料的自由体积分布函数变窄 ,峰位下移 ,显示样品经辐照后有密度增大的现象。随着剂量的增大 ,第二正电子寿命成分的强度逐渐增加 ,而相应于o -Ps的寿命成分的强度逐渐减小 ,这被认为是由于辐照产生的电离电子在自由体积中漫游 ,使正电子与这些漫游电子发生湮灭的几率增大 ,从而减小了正电子素的形成几率。     

(U,Gd)O_2可燃毒物燃料芯块制造工艺及其主要性能

介绍了中国核动力研究设计院(U,Gd)O2可燃毒物燃料芯块制造生产线所使用的原材料UO2粉末、Gd2O3粉末、(U,Gd)3O8粉末以及添加剂硬脂酸锌和草酸铵的主要性能,同时描述了混料、制粒、成型、烧结和磨削等制造工艺过程及其产品(U,Gd)O2芯块的主要性能,并对制造过程中有关工艺控制参数进行了讨论。