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分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的。 相似文献
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驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
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本文考查了具有a-Si TFT及LTPS TFT固有性能之OLED底板的性能。LTPS TFT显示了其在AMOLED显示应用巾之令人满意的稳定性,而a—Si AMOLED则表现出在驱动OLED方面具有更好的均匀能力。但是a—Si TFT在长期工作中的稳定性是令人难以接受的,并且尚有使a—SiTFT AMOLED商品化的关键问题需要解决。 相似文献
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讨论了基于柔性PI基底上的底栅型TFT器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用Si3N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过SEM断面观察,干刻后双层结构taper角度适合TFT器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的TFT器件迁移率达到14.8cm2/(V·s),阈值电压Vth约0.5V,亚域值摆幅SS约0.5V/decade,TFT器件的开关比Ion/Ioff106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED或电子纸的驱动要求。 相似文献
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有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)在显示技术中得到越来越广泛的应用,特别是AMOLED已经成为新一代显示技术发展方向,但是一系列影响AMOLED显示质量和寿命的问题需要得到解决。其中,AMOLED的驱动TFT的阈值电压偏移严重影响了AMOLED的性能。该文综述了当前几种典型的AMOLED的像素驱动结构及其驱动TFT阈值电压的补偿方法,并详细介绍其补偿原理。 相似文献
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OLED像素电路存在驱动晶体管阈值电压漂移的问题,引起显示效果的下降.在专利数据库中进行检索和分析,对韩国三星近年来提出的多种用于抑制驱动晶体管阈值电压漂移的OLED像素电路的原理进行了分析,并提出了一些设计方面的考虑因素. 相似文献