Cu-W系烧结合金材料的制造方法

本发明是关于放电加工电极及电器触头用 Cu-W 系烧结合金材料的制造方法。该发明具有如下特征:将粒径为1～10μm 的 W粉30～95wt%与5～70wt%的 Cu 粉混合,并填充在薄壁金属型腔中,经850°～1100℃加热,挤出比(挤压坯块直径与挤出条材的直     

熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度理论计算公式的研究

从理论上推导出熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度的理论计算公式和CuW合金化学成分与W骨架压坯密度的关系公式,分析并提出了W骨架压坯密度的控制范围。用化学分析方法测定了CuW合金的化学成分,用分析天平测试了CuW合金的密度。结果显示：熔渗方法制造的CuW触头材料,使用压坯密度理论计算公式确定的W骨架压坯,熔渗Cu后CuW合金实际化学成分与成分设定值吻合很好,CuW合金实际密度与密度设定值也吻合很好,并符合GB／T8320标准和用户的使用要求。实验证明,用熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度的理论计算公式,能正确地计算出W骨架压坯的密度,是一种合理的计算方法．对CuW触头材料的制造具有指导意义。     

机械合金化制备的Fe-Si-Al合金的微结构及电磁特性研究

采用机械合金化方法制备了Fe-Si-Al磁性合金。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪以及微波矢量网络分析仪分别观测了机械合金化过程中材料的形貌、相结构以及微波频率下材料的复介电常数e和复磁导率m。分析了机械合金化实验过程中材料特性变化的规律。实验证明,Fe-Si-Al的机械合金化有一最佳工艺条件,用机械合金化制备的Fe-Si-Al合金可作为新型的抗电磁干扰材料应用于电磁兼容系统。     

电子探针分析方法及其在电接触材料研究中的应用

电子探针是在电子光学和X射线光谱学原理的基础上发展起来的一种高效率分析仪器。为了使材料研究者更好地了解电子探针的分析功能和利用电子探针进行材料的研究与分析,本文介绍了JXA-8230型电子探针工作原理和主要分析方法,并采用电子探针对AgNi触头材料进行了定性、定量和元素面扫描分析。结果表明,AgNi触头中除了含有Ag和Ni元素外,还含有少量的C和W元素,其中W元素主要分布在Ni相中。     

Fe-Si纳米晶颗粒在2～18GHz频段的电磁性质

采用机械合金化法制备了Fe-Si纳米晶颗粒,将其和环氧树脂按87wt%与13wt%比例混合后,在2~18GHz频率范围内测量了它们的微波电磁特性。从这些材料涂覆于金属板上的微波反射率发现,主要成分为Fe73Si27的材料(样品4)性能最优,其涂层厚度为1.2mm时在7.6~17.8GHz频率范围内反射率均小于-10dB。     

机械合金化参数对Ag/LaSrCuO4电接触材料性能的影响

以溶胶凝胶合成的LaSrCuO4粉体、化学银粉为原料,调控不同的机械合金化工艺参数制备了系列Ag/LaSrCuO4复合粉体,同时结合初压-初烧-热压-复烧工艺制备了相应的Ag/LaSrCuO4电接触材料.利用X射线衍射仪(XRD)、光学显微镜(OM)、金属电导率仪、维氏硬度计等对Ag/LaSrCuO4材料的金相组织、物相结构与物理性能进行了表征.结果表明:当球磨转速300 rpm,球料比3:1时,经热压-复烧工艺处理后的Ag/LaSrCuO4材料表现出最佳的物理性能,相应的电阻率为2.58μΩ·cm,维氏硬度为76.1 HV0.5,密度为8.88 g/cm3.     

钨含量对冷挤压Cu—W复合材料性能和结构的影响

含有1,2,4,6,8和10％(体积)弥散w粉的复合Cu-w材料是通过机械合金化、压制烧结及冷挤压的方法制取的。并研究了w含量对冷挤压和在温度573K与773K退火处理后的材料硬度、电导率及耐磨性的影响。     

添加物Bi对AgSnO_2触头材料的影响

AgSnO2是最有可能替代AgCdO的新型材料,在其制备方法中,合金内氧化法是主要方法之一。但在制备过程中合金粉末氧化速度较慢且不能完全内氧化,添加金属元素促进合金内氧化是一个重要研究方向。本文将Bi与Ag、Sn粉经机械合金化得到AgSnBi合金粉末,将合金粉末压制成型、烧结、致密化加工后置于电阻炉中在大气气氛中进行粉末内氧化。采用内氧化物增重法分析Bi对AgSn合金内氧化性能的影响。利用PhilipsXL30W/TMP型扫描电镜观察试样AgSnO2-Bi2O3的显微组织及形貌,并用其能谱仪进行微区成分分析。研究结果表明Bi元素大大地提高了AgSn合金的内氧化速度,并且氧化得到的AgSnO2-Bi2O3材料组织致密。     

缓蚀剂对HT700T合金在氯化物熔盐中腐蚀行为的影响

采用浸泡法研究了镍铁基高温合金HT700T在800 ℃下添加不同剂量Al粉缓蚀剂的NaCl/KCl/MgCl2氯化物熔盐中的腐蚀行为，浸泡时间分别为200、300、400 h。采用X射线衍射（XRD）和配备能谱仪的扫描电子显微镜（SEM/EDS）对腐蚀产物的组成、形貌和元素分布进行了研究，分析了缓蚀剂对HT700T合金腐蚀行为的影响。结果表明:HT700T合金在800 ℃下腐蚀后，添加Al粉缓蚀剂可在样品表面生成具有面心立方结构的Ni3Al相；当Al粉缓蚀剂添加量为2%（质量分数）时，可在合金表面形成致密的Al2O3膜；当Al粉缓蚀剂添加量为10%（质量分数）时，Al向内扩散导致合金内部元素发生变化，形成由Al2O3、Al-Ni-Fe、Ni-Fe、Ni-Al、Ni-Al-Fe+Cr2O3组成的防护层，其深度随时间变化分别为185.8 μm（200 h）、145.66 μm（300 h）、166.02 μm（400 h），可有效降低800 ℃下氯化物熔盐的腐蚀速率。     

高压真空断路器用熔渗法CuMoCr触头材料的制备工艺

介绍了高压真空断路器用熔渗法CuMoCr触头材料的制备工艺。研究了原材料预处理温度对Cu粉、Mo粉含氧量的影响,以及Cu粉与MoCr粉的混合比例对熔渗后坯件体积变化的影响,并对结果进行了分析。