C+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱

用椭偏光谱法测量了(35keV,1.0×10118cm-2)和(65keV,1. 0×1018cm-2)C+注入Si形成的SiC/Si异质结构.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SiC/Si异质结构的各层厚度及主要成份.研究结果表明:注35keV C+的样品在经1200 C、2h退火后形成的SiC/Si异质结构,其β-SiC埋层上存在一粗糙表面层,粗糙表面层主要由β-SiC、非晶Si和SiO2组成,而且β-SiC埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与β-SiC埋层界面;注65keV C+的样品在经1250 C、10h退火后形成的SiC/Si异质结构,其表层Si是较完整的单晶Si,埋层B-SiC分成三层微结构,表层Si与β-SiC埋层界面和β-SiC埋层与体硅界面亦不相同.这些结果与X射线光电子谱(XPS)和横截面透射电子显微镜(TEM)的分析结果一致.     

C~+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱

用椭偏光谱法测量了 ( 35ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 )和 ( 65ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 ) C+ 注入 Si形成的 Si C/Si异质结构 .应用多层介质膜模型和有效介质近似 ,分析了这些样品的 Si C/Si异质结构的各层厚度及主要成份 .研究结果表明 :注 35ke V C+ 的样品在经 1 2 0 0℃、2 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其β- Si C埋层上存在一粗糙表面层 ,粗糙表面层主要由β- Si C、非晶 Si和 Si O2 组成 ,而且 β- Si C埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与 β- Si C埋层界面 ;注 65ke V C+的样品在经1 2 50℃、1 0 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其表层 Si是较     

氧离子和氮离子共注入硅形成SOI结构的俄歇能谱研究

本文中研究了O~+(200keV,1.8 ×10~(18)cm~(-2))和 N~+(180keV,4 ×10~(17)cm~(-2))共注入Si形成 SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的微观结构.俄歇能谱(AES)和光电子能谱(XPS)的测量和研究结果表明:O~+和N~+共注入的SOI结构在经1200℃,2h退火后,O~+和N~+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异.这些结果与红外吸收和离子背散射谱的分析结果相一致.对这种SOI结构界面与埋层的形成特征进行了分析讨论。     

离子注入SOI材料的红外吸收谱分析

用傅里叶红外吸收谱对不同热处理条件下的SOI样品进行了系统的分析,结果表明:对于190keV,1.8×10~(18)/cm~2N~+注入的样品,在低于1100℃的温度下退火可保持氮化硅埋层的无定形态,而～1200℃热退火则导致氮化硅埋层的结晶成核现象。对于200keV,1.8×10~(18)/cm~2O~+注入的样品,氧化硅埋层的形成是连续渐变的,注入的氧化硅埋层向常规的热氧化非晶态SiO_2转变的激活能为0.13eV。     

SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究

本文报道了在SIMOX(Separation by IMPlanted Oxygen)薄膜材料上制备钛硅化物的研究结果。研究表明,不同厚度的SIMOX薄膜材料上都形成了均匀的TiSi_2,其薄层电阻为4.0—4.5Ω/□,上层Si中的载流子峰值浓度达2×10~(20)/cm~3,获得了一种TiSi_2/n~+-Si/SiO_2/Si的多层结构。形成TiSi_2后,As原子在上层Si中的分布与SIMOX薄膜厚度有关,当上层Si很薄时,As原子在上层Si与SiO_2埋层的界面上的堆积是明显的。     

氮离子注入形成SOI结构的外延研究

用大束流(50μA/cm~2)、高剂量(1.8×10~(18)/cm~2)的190keV N~+注入Si〈100〉中,然后在SiO_2覆盖保护下于1220℃退火二小时形成SOI结构.为了增加SOI材料上层单晶Si的厚度以应用于器件制作,将退火得到的SOI样品经化学处理后作外延生长.外延后获得的SOI材料,上层单晶Si厚度为0.8-1.0μm;Si_3N_4埋层的厚度为2800A;上、下Si-Si_3N_4界面陡峭.测试分析结果表明,利用N~+注入与气相外延生长能获得质量好的SOI材料.     

高剂量低能氧离子注入硅形成SiO_2薄膜的研究

本文用AES、XPS、IRS、椭偏仪和Ⅰ-Ⅴ特性测量,研究了高剂量低能氧离子注入Si中合成表面SiO_2薄膜的条件及其耐压和耐腐蚀等性能.另外,还用TEM和C-V测量研究了SiO_2薄膜下单晶硅的质量以及Si/SiO_2系统的界面特性.结果表明,在适当的注入和退火条件下,可以合成比较均匀的表面SiO_2薄膜而且其电学性能已接近热生长SiO_2的水平.在Si/SiO_2界面处注入H_2~+离子可以改善其界面特性.     

高温氢气氛对SIMOX/SOI结构的损伤

SIMOX/SOI样品在1000～1200℃的高温H_2气氛中作不同时间(5—30分)的烘烤。结果,SOI结构受到了不同程度的损伤。测试结果表明,这种损伤包括:高温H_2使SOI结构顶层Si中缺陷的扩展,高温H_2使埋层SiO_2分解和分解后的O_2(或H_2O)在外释过程中造成表层单晶Si的损伤。高温H_2对SIMOX结构的这种损伤对SIMOX/SOI的外延是不利的。     

BF_2~+注入硅分子效应的椭偏谱多层分析

把离子注入层设想成由50多层的微分薄层构成,用以研究BF_2~+的分子效应。我们在1.6—5.0eV光子能量范围内,测量了不同剂量也(3×10~(13)-5×10~(15)ion/cm~2),147keV BF_2~+分子离子77K注入硅以及相应的B~+、F~+注入硅样品的椭偏谱。由实验测得的离子注入样品的椭偏光谱、多层薄膜光学模型、有效介质近似理论(EMA)和计算软件,可分析离子注入硅的损伤分布、表面自然氧化物的非均匀性和界面组份。其分析结果与背散射沟道技术和透射电子显微镜的测定结果相一致。研究中发现,低温BF~2~+注入的损伤层和非晶层都首先在样品表面形成,与B~+、F~+注入损伤相比,BF_2~+注入存在显著的分子效应。     

SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法

报道了 SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法 ,详细地研究了 SIMOX材料的红外吸收光谱特性 ,求出了特征峰对应的吸收系数 .提出利用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法 ,并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度 .SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是 SOI电路设计时最重要的两个参数 ,提供的非破坏性测量方法 ,测量误差小于5% .在 SIMOX材料开发利用、批量生产中 ,用此方法可及时方便地检测 SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度 ,随时调整注入能量和剂量     

CDPD——未来个人通信的重要基石

计算机技术和无线通信技术的发展以及数据通信的市场需求推动了以ＣＤＰＤ为代表的无线数据通信技术的迅速发展。ＣＤＰＤ是以数字分组数据技术为基础，以蜂窝移动通信为组网方式来配置的。它采用ＴＣＰ／ＩＰ为基础的Ｉｎｔｅｒｎｅｔ协议，可视为Ｉｎｔｅｒｎｅｔ的延伸。优异的性能、强大的功能以及开放的系统平台使ＣＤＰＤ可适用多种业务，它将在“金卡”工程，现代化管理、电子商务和信息服务等领域大屏身手。     

一种新型阴极Z阴极的结构和设计

阐述了Z阴极的结构和设计.     

视频故事结构的描述与浏览

提出了对视频故事结构的描述与浏览方法。通过改进的视频分段算法寻找视频镜头边界,实现对连续视频流的有意义切分。提出了基于内容相关性与相似性的优化匹配算法,实现了从一维视频流到二维视频故事结构的描述。通过把视频故事结构表达为故事板和时序结构图,实现了对视频内容的概要性浏览。     

网络经济下开源运动的抉择探析

从寡头垄断市场结构角度来分析开源运动现象存在的内在实质原因，并对开源后的寡头领先企业和跟随企业对市场规模的影响和企业的决策行为选择进行深入分析，并对在这种环境下的各自的优势和劣势进行了对比分析，指出了对中国企业的借鉴作用。     

TD—LTE时代业务规划新思路

与2G和3G网络相比,TD—LTE具有全面数据化和宽带化的特征,随着TD—LTE商用时间越来越近,移动面临着用户结构、业务结构和收入结构的变化。在此背景下,业务规划也随着业务结构的变化需要调整新的规划思路。本文通过TD—LTE背景下遇到的业务结构调整等新问题进行分析和探讨,同时抛砖引玉的提出业务规划中的变化和应对措施。     

高层长途通信枢纽楼应积极地选用钢结构承重体系(二)

近20年来，通过大量冲，我国高层建筑钢结构技术巳发展到一个较高水平，科开生产、设计制造等巳逐步形成完整体系，高层建筑用H型钢的生产正在发展，钢管混凝土使用增多，尤其是符合我国国情的钢-混结构体系，在我国巳获得越来越广泛的应用，本将巳建成的几栋长途电信枢纽楼与国内类似的钢结构高层建筑进行了对比，建议长途电信枢纽楼应优先采用钢结构承重体系。     

舰载雷达/电子战一体化系统构架和技术发展研究

舰载雷达/电子战一体化系统是舰艇的重要组成部分,对对空/对海方面作战具有重要的战略影响。文中首先对美国海军的舰载电子装备进行了介绍;然后,分析了我军舰载雷达/电子战一体化系统的作战对象、作战使命,对我军舰载雷达/电子战一体化系统构架进行了探讨,对未来技术发展进行了展望。     

红外辐射光谱在玻璃和熔体结构研究中的应用

介绍了FT-IR辐射光谱的理论基础和利用5-DX FT-IR光谱仪进行辐射光谱测量的方法，讨论了样品的自吸收效应，加热温度、选择性反射带和粒度以及衬底等物理条件对红外辐射光谱的影响，最后介绍 了FT-IR辐射光谱在玻璃和熔体结构研究中的应用。     

基于遗传算法的天线结构优化

遗传算法具有算法简单、不要求函数连续、导数存在,并能收剑到全局最优解特点,采用遗传算法对环梁式空桁天线结构进行优化,设计变量为取离散值的各杆截面积,优化目标;追求最佳吻合抛物面法向位移均方根偏差最小。设计实例表明,使用遗传算法对复杂的结构优化问题能获得较好的优化结果,该算法具有很强的适应性。     

管理信息系统开发平台的构建及实现

通过对B／S结构管理信息系统的特点分析，结合作者多个管理信息系统的开发经验。探讨了怎样才能快速高效的开发管理信息系统，那就是构建一个良好的开发平台，并给出了具体的架构的实现方案。