射频磁控反应溅射法制备Y2O3薄膜的工艺研究

采用射频磁控反应溅射法制备氧化钇(Y2O3)薄膜。系统研究了工艺参数对Y2O3薄膜沉积速率的影响规律,使用X射线光电子能谱仪(XPS)分析表征了薄膜的成分。结果表明,Y2O3薄膜的沉积速率随射频功率的增大而增大,在合适的溅射压强下沉积速率呈现极大值,O2/Ar气体流量比和衬底温度的影响不明显,对此从理论上进行了解释。制备的薄膜中Y和O元素的原子浓度基本符合Y2O3的化学计量比。     

高温压力传感器用多晶硅-AlN-硅单晶基片

论述纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片的研制.此基片可供制造高温力学量传感器.其要点是在力敏电阻条与硅弹性膜之间利用AlN进行绝缘隔离.AlN与硅的热膨胀系数接近,附着力高,耐击穿性好.又具有高化学稳定性,高热导率,对于压力传感器的电桥散热特别有利,可解决压力传感器启动时的零点时漂.由于无P-N结,力敏电阻无反向漏电,因此用此基片制造的力学量传感器的特性好（零点电漂移及热漂移小、非线性小）.力敏电阻条由纳米多晶硅构成.利用在600℃退火Al诱导晶化能使溅射得到的非晶硅转化成纳米多晶硅.     

硅基AlN薄膜的成分与表面分析

采用直流磁控反应溅射法制备了具有较好(002)择优取向性的硅基A1N薄膜.用俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组成成分和表面形貌进行了分析.     

热敏薄膜制备工艺研究

介绍在聚酰亚胺基底上由溅射方法制备热敏薄膜的工艺条件对膜热敏特性的影响，合理的选择薄膜的制备工艺条件和热处理条件可以得到良好特性的热敏薄膜，其温度系数大于４５００ｐｐｍ／℃，并具备良好的机械性能。     

集成铁电器件中的关键工艺研究

对集成铁电器件中的关键工艺进行了研究,采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了高品质、(110)择优取向的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜,成功的利用离子束刻蚀(IBE)、反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀方法对PZT薄膜进行了刻蚀加工,采用正胶剥离和干法刻蚀工艺实现了金属铂(Pt)电极图形,为集成铁电器件的实现提供了良好的工艺基础.     

高Sc含量ScAlN薄膜的制备与表征

本文利用优化的种子层结构和工艺参数,以AlSc合金靶为靶源,以脉冲直流反应磁控溅射AlSc合金靶的方式在室温下制备了ScAlN薄膜,同时设计并制作了压电测试专用结构,解决了ScAlN腐蚀工艺不成熟的问题,结合X射线衍射仪、扫描电镜、能谱仪、准静态d33分析仪、纳米压痕法等方法表征了薄膜的结晶质量、组成成分和机电耦合系数...     

工艺参数对直流磁控溅射法制备氧化铝薄膜的试验研究北大核心

采用直流磁控溅射法在载玻片和不锈钢基底上制备某设计要求的氧化铝薄膜,首先采用单因素法分别分析溅射功率、氧气流量、工作压强、负偏压及本底真空度等制备参数对薄膜沉积速率的影响;在此基础上设计正交试验,研究优化范围内溅射功率、氧气流量、工作压强对沉积速率的影响,并进行极差与方差分析。结果表明,在一定工艺参数范围内,随着溅射功率的增加,薄膜的沉积速率不断增大;氧气流量增加时薄膜的沉积速率不断下降;随着工作压强的增大,薄膜的沉积速率先增大后减小,在1.0 Pa时达到最大速率;加载的负偏压增加时,薄膜的沉积速率不断降低;本底真空度提高时薄膜的沉积速率不断增大;通过使用XRD衍射仪对制备的薄膜进行物相检测,研究结果表明,常温下不同氧气流量制备的氧化铝薄膜均为非晶态;获取了制备所需薄膜的较优的制备工艺。     

Ni80Cr20合金薄膜制备影响因素的试验研究

利用直流磁控溅射的方法制备Ni80Cr20合金薄膜,以氩气流量、氩气工作压强、溅射功率作为三因素进行正交试验,在溅射时间相同的条件下分别测试了薄膜厚度、表面粗糙度、电阻率并进行了极差分析。分析结果表明:在一定范围内,氩气工作压强与溅射功率对薄膜厚度的影响较大;在氩气工作压强为3.0Pa时,薄膜厚度与溅射功率近似成正比关系;随着氩气流量的增大,Ni80Cr20薄膜厚度呈现先增大后减小的趋势;在氩气流量为50cm~3/min时,薄膜厚度达到最大值;各因素对薄膜表面粗糙度及电阻率影响不明显。     

薄膜工艺制备乳酸传感器

薄膜工艺制备的传感器具有体积小、性能可靠、成本低等优点，在电化学传感器的微型化、集成化方面应用广泛。在薄膜工艺制备的微电极上固定乳酸氧化酶，制备出高性能的乳酸传感器．该传感器用于血清中乳酸的测定，其灵敏度和线性范围分别为450nA／mM，0．5～10mM线性相关系数为0．988；响应时间≤30s。     

SiC薄膜制备MEMS结构

采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构。对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐蚀特性。对SiC材料的力学特性进行了研究。深入探讨了退火工艺、薄膜硅碳原子比对SiC薄膜力学特性的影响,同时对薄膜硅碳原子比与制备工艺参数(包括硅烷、甲烷流量)之间的关系进行了实验研究。     

金刚石红外增透保护膜的研制及特性拟合

论述了在硅基板上用热灯丝法制备金刚石红外增透保护膜的工艺，通过多灯丝法、预打磨处理以及加偏压等方法得到了特性优良的金刚石薄膜，并利用对金刚石薄膜─硅板体系红外透射率的曲线拟合，推知了一系列不易直接测量的特性参数，如折射率，吸收系数，薄膜厚度等。     

基于本征光敏型聚酰亚胺的多层薄膜电路制作工艺

本征光敏型聚酰亚胺(PSPI)具有优良的热稳定性、感光性、力学性能和介电性能,其在MCM组件中的应用,将进一步降低组件的重量、提高封装密度.在国外,PSPI在MCM中的应用已较为成熟,而国内在这方面与国外有较大的差距.为此,文章从应用的角度出发,研究了PSPI的光刻特性,优化工艺参数后,厚度10μm的PSPI可刻出Φ30μm的微孔;PSPI表面沉积金属的附着力是难点和关键,文中重点对PSPI表面金属化工艺进行了研究,通过对PSPI进行等离子处理工艺的优化,在其表面TiW-Cu-Au膜层的附着力满足要求,附着力达25 MPa;在此基础上,制作出了"3层介质+3层电路"的多层薄膜微波测试电路.结果表明,测试电路层间导通良好,在1~40 GHz范围内插入损耗小于0.85 dB,回波损耗小于-13 dB.     

钢表面功能氮化铝陶瓷膜制备方法研究

为实现工程中对油膜厚度无损检测的目的,需要在钢表面制备Al N压电薄膜,作为声发射接收元件。采用直流反应磁控溅射技术,利用Al作为过渡基层,在不锈钢上沉积Al N薄膜。研究了改变溅射功率、氮气流量比等工艺条件对Al N薄膜生长的影响。利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜取向性及表面质量做了表征。实验结果表明,溅射功率的增加有利于Al N薄膜的择优取向生长,但过高的功率会影响薄膜表面的粗糙度;氮气流量比过低或过高都会影响Al N的生长,应将其控制在30%~70%的范围为宜。     

光学薄膜制备中的激光测温技术

概述激光测温技术在光学薄膜制备中的应用及其在自动化方面的新进展     

微透镜阵列的离子束溅射刻蚀研究

利用扫描电子显微镜(SEM)和表面探针测试,分析了采用离子束溅射刻蚀技术制作的石英微透镜阵列器件的表面微观形貌,讨论了引起微透镜表面缺陷的原因及所采取的改善表面形貌的措施,研究了采用不同层次的光致抗蚀剂微透镜图形的固化技术后,经离子束溅射刻蚀制作出的微透镜阵列器件的表面形貌差异,定性给出了表面探针测试的适用范围,此外还介绍了对所制样品所做的几项主要的处理操作。     

典型微加工刻蚀工艺模拟方法及其分析

在概述微机电系统刻蚀工艺模拟研究进展的基础上,讨论了微表面反应模型法、单元自动控制法、基于刻蚀速率数据库的三维各向异性刻蚀模拟等典型的刻蚀工艺模拟的方法,综合分析了这些方法的特点、应用场合和不足,提出了提高刻蚀工艺模拟精度和效率的技术途径。     

图形化蓝宝石衬底干法刻蚀工艺研究

为了缩短刻蚀时间以及提高发光二极管（LEDs）的发光性能,针对添加刻蚀辅助气体三氟甲烷（CHF3）的干法刻蚀工艺进行了研究。采用感应耦合等离子（ICP）干法刻蚀技术并通过正交试验研究了偏压功率、CHF3流量、自动压力控制蝶阀开合度（APC）对刻蚀速率和选择比的影响。试验结果表明：当偏压功率、CHF3流量和APC分别为350W、15 sccm和55%时,制程工艺有着更大的刻蚀选择比和蓝宝石刻蚀速率。使用最佳工艺参数制备出了大尺寸、高占空比、小弧度图形化蓝宝石衬底（PSS）,与常规PSS相比,优化后的工艺参数制得的PSS高度增加了5.6%、占空比提高了4.6%。     

聚{乙炔[-2,5-二(甲氧基)]苯}薄膜的制备及气敏特性研究

用金属Pd作为催化荆,使1,4-二溴-2,5-二氧甲基苯(1,4.dibromo-2,5-dimethoxy benzene)和乙炔基三正丁基锡(ethynyitri-n-buyltin)发生取代反应,加热聚合生成具有π结构的聚{乙炔[-2,5-二(甲氧基)]苯}(poly{ethynyl[-2,5-di(meth oxy)]benzene}),并对合成的聚合物进行红外光谱分析.使用旋涂法将产物在QCM表面制备了薄膜,并研究了其常温下对CH4和CO两种气体的响应恢复特性以及重复特性.结果表明:该传感器对CHM4和CO两种气体均能快速响应,且重复性较好;通过CH4和CO两种气体的测试结果对比可知,极性气体CO的灵敏度高于非极性气体CH4.