自旋对二维极化子能量温度和磁场特性的影响

当同时考虑温度和磁场的作用时 ,应用线性组合算符法研究了电子自旋对弱耦合二维磁极化子能量的影响。对 Ga As半导体所作的数值计算结果表明 ,不同方向的电子自旋使弱耦合二维磁极化子的能级分裂为两条。随着磁场的加强 ,能级分裂得越显著。电子自旋能量与磁极化子能量之比随磁场或温度的增加而增大     

自对半导体弱耦合二维磁极化子基态能量的影响

在考虑声子之间相互作用的同时,本文应用线性组合算符法研究了电子自旋对一些半导体弱耦合二维磁极化子基态能量的影响,计算结果表明电子自旋能量与磁极化子总基态能量或与其它能量成分之比随磁场的增加而增加,并非总是非常小。     

强耦合二维磁极化子的内部激发态

研究二维磁极化子内部激发态的性质。采用么正交换和线性结合算符方法。计算晶体中二维磁极化子的第一内部激发态能量及振动频率，并对2种极限情况进行讨论，以晶体AgCl为例作了数值计算，结果表明，二维磁极化子的第一内部激发态能量和振动频率随磁场B的增加而增加。     

自旋对半导体弱耦合二维磁极化子基态能量的影响

在考虑声子之间相互作用的同时,本文应用线性组合算符法研究了电子自旋对一些半导体弱耦合二维磁极化子基态能量的影响。计算结果表明：电子自旋能量与磁极化子总基态能量或与其它能量成分之比随磁场的增加而增加,并非总是非常小。     

自旋对SiC半导体二维磁极化子基态能量的影响

应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对SiC半导体性质的影响。基态能量E0^＋（对应于电子自旋量子数为正）和E0^-（对应于电子自旋量子数为负）都随磁场增加而线性减少：在0T时，E0^＋和E0^-都为-76．24meV；在25T时，E0^＋和E0^-分别为-68．50meV和71．39meV。自旋能量与E0^＋和E0^-之比P0^＋和P0^-都随磁场增加而快速增加：在0T时，P0^＋和P0^-都为0；在20T时，P0^＋为0．627；在25T时，P0^-为0．453。自旋能量与Landau基态能量之比P2始终为0．23。自旋能量与自能和声子之间相互作用能量之比P1和P3都随磁场增加而线性增加：在0T时，P1和P3都为0；在5T时，P3为0．628；在40T时，P1为0．306。这些数据和结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管、自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。     

抛物量子点中强耦合束缚磁极化子的温度效应

采用线性组合算符和幺正变换方法研究量子点中强耦合束缚磁极化子性质的温度依赖性,导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的变化关系.取RbCl晶体为例进行数值计算,结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的升高而增大,基态能量随量子点的有效受限强度的增加而增大.     

自旋对晶体内弱耦合磁极化子性质的影响

本文采用线性组合算符和微扰法研究极性晶体中弱耦合磁极化子的性质。在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论电子的自旋对极性晶体中弱耦合磁极化子基态能量的影响。结果表明,在不同电子自旋状态下,磁极化子的基态能量Ｅ０随磁场Ｂ的增大而减小;电子自旋能量与Ｅ０之比随Ｂ的增加而增加。     

自旋对强耦合二维磁极化子基态能量的影响

采用线性组合算符法研究电子自旋对强耦合二维磁极化子基态能量的影响．对ＫＩ晶体所作的数值计算结果表明,随着磁场的加强,不同取向的电子自旋使强耦合二维磁极化子基态能量表现为增加和减少两种截然相反的情形．电子自旋能量与磁极化子基态能量之比随磁场的增加而增加．     

自旋对强耦合表面磁极化子性质的影响

本文采用线性组合算符法导出了极性晶体中强耦合表面磁极化子的振动频率、有效哈密顿量和诱生势。讨论了电子自旋对强耦合表面磁极化子性质的影响。     

自旋对量子点中束缚磁极化子性质的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法,研究了自旋对量子点中弱耦合束缚磁极化子性质的影响。考虑自旋影响时,讨论了束缚磁极化子的基态能量随量子点受限长度和磁场的变化关系。结果表明:在库仑束缚势保持不变时,磁极化子的基态能量、自旋向上(向下)分裂能都随量子点受限长度的增大而减小,随磁场的增大而增大;在磁场保持不变时,磁极化子基态能量、自旋向上(向下)分裂能都随库仑束缚势的增大而减小。     

SiC半导体二维自旋磁极化子能量的磁场效应

在考虑声子之间相互作用和电子自旋的情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了电子自旋对SiC半导体弱耦合二维自旋磁极化子能量磁场效应的影响。数值计算给出了下列结果:电子自旋使自陷能分裂为二,且随磁场B增加其分裂间距增大;电子自旋能量与电子在磁场中的Landau基态能之比恒为0.23;电子自旋能量与自能之比小于电子自旋能量与自陷能之比,但非常接近,它们随B增强而近似线性增大,当B为0和10T时,它们分别为0和0.008;电子自旋能量与声子之间相互作用能量之比也随B增加而线性增大,当B为0和7.949T时,其比值分别为0和1。该结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管,自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。     

抛物量子线中强耦合极化子的有效质量

采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,计算了抛物量子线中强耦合磁极化子的有效质量m^*和光学声子平均数N。通过数值计算,讨论了约束强度ω0和磁场B对m^*和N的影响。计算结果表明：m^*和N都随ω0和B的增加而增大。     

抛物量子点中强耦合束缚磁极化子的温度效应

采用线性组合算符和幺正变换方法研究量子点中强耦合束缚磁极化子性质的温度依赖性,导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的变化关系.取RbCl晶体为例进行数值计算,结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的升高而增大,基态能量随量子点的有效受限强度的增加而增大.     

CdF2,ZnS和SiC内任意耦合磁极化子的特性

利用私正变换和改进的线性组合算符法研究了ＣｄＦ２、ＺｎＳ和ＳｉＣ内任意耦合强度磁极化子的振动频率和有效质量的磁场特性。数值计算结果表明：不同耦合常数的材料,磁场所给的定解范围和耦合强度的取值范围都不同;对任一种材料及确定的耦合值,虽然磁极化子振动频率和有效质量都随磁场的增加而增加,但增加率不同。     

自旋对表面磁极化子能量距离特性的影响

在磁场为40T和考虑电子自旋的情况下,应用线性组合算符、变分和微扰法给出了半无限TlBr晶体内表面磁极化子能量与z(到晶体表面距离)之间的关系。电子自旋能量与电子和LO(体纵光学)声子之间的相互作用能之比以及与声子之间的相互作用能之比都随z增加而减小。电子自旋能量与电子和SO(表面光学)声子之间的相互作用能之比随z增加而增加。在z=0.5nm处,电子自旋能量与极化子的有效能量之比达到极大值,该比值在z<0.5nm范围随z增加而增加,在z>0.5nm范围随z增加而减小。这一结果对设计和研制自旋电子器件(如自旋场效应晶体管,自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等)具有参考价值。