多指数函数拟合计算正电子湮没寿命谱程序

本文提供一个消除仪器的时间分辨函数影响作多指数函数拟合计算正电子湮没寿命谱程序(NFIX ED),其源程序是美国乔治亚大学徐孝华教授赠送的。这个程序只有一个主程序,无子程序,结构简单,适合用小型计算机处理数据。程序流程中,根据不固定或固定(寿命和强度)成分的需要分十二种情况进行处理,由指示变量(J_6)来选择,变化灵活,效果显著。又使用解行列式的方法求修正参变量,进行迭代运算,避免了解方程的复杂程序设计。用此程序要注意以下几点:     

正电子湮没寿命谱多指数函数拟合程序分析

本文分析美国乔治亚大学徐孝华教授提供的正电子湮没寿命谱多指数函数拟合程序NFIXED,详细地介绍了其使用方法。在使用中略加改进,对α-Fe样品的正电子湮役寿命谱进行多次计算,将获得的寿命值与通用的寿命值相比较,相差均<10ps。显然,这个程序的计算效果是好的。     

正电子湮没寿命谱指数函数拟合程序

本文提供一个从正电子湮没寿命谱中消除时间分辨函数的影响作指数函数拟合的方法。用剥皮法给出参数初值和拟合数据的起始点,使所用高斯-牛顿法中的迭代过程迅速而准确地达到收敛。编制的计算程序(PLSEF)经使用证明效果是好的。     

基于遗传算法的正电子湮没寿命谱拟合

正电子湮没谱学是无损探测材料中纳米缺陷的有效手段,通过正电子湮没寿命谱可获得正电子在材料中的湮没状态以及材料内部电子密度分布的信息.本工作基于遗传算法(GA)的全局搜索、随机产生初值的特点,对正电子湮没理论寿命谱进行了多指数函数拟合的尝试,并用MATLAB语言编程实现了曲线拟合,得到的各组分寿命及相应强度.与LifeT...     

一种小型正电子寿命谱分解程序(CYHLS)

该程序将正电子寿命谱看作是一至多个指数衰减函数与仪器分辨函数的卷积,使用最小二乘法进行拟合,从而可将寿命谱分解成一或多个寿命成份,并得到各成份的寿命值τ_1,和相对强度I_j,以及正电子湮没的平均寿命τ_(mean)。与POSITRONFIT程序相比,它们的拟合结果是一致的,拟合方差可达到1～3左右。该程序在微处理机上就可运行,且计算结果与初值的选择无关,使用方便。     

正电子湮没寿命谱的多指数函数拟合方法

在本文中推导了多指数函数模型在正电子湮没寿命谱拟合中的可用性。并编制了可在小型计算机(PDP-11/04)上使用的通用计算机程序(EXPFIT)以备正电子湮没寿命测量的在线分析。在使用中已初步证明此程序是有效和方便的。为处理复杂的正电子寿命谱,本程序可提供三种非线性最小二乘拟合方法。同时,文中还涉及了拟合过程的误差,如何选取参数初值和拟合起点等问题的讨论。     

超高分子量聚苯乙烯中的正电子寿命谱

以２，３－二氰基－２，３－二（ｐ－Ｘ取代苯基）丁二酸二乙酯（Ｘ＝Ｈ，ＣＨ３，Ｃｌ）为引发剂，用本体法合超高分子量聚苯乙烯，研究了不同引发剂对苯乙烯聚合物正电子湮没寿命谱的影响。通过比较聚合物的分子量和自由体积，表明引发剂的分解速率对自由体积有较大的影响，而浓度对自由体积的影响不大。     

云母钛珠光颜料的正电子寿命谱研究

用正电子湮没技术测量了云母钛珠光颜料的正电子寿命和强度与煅烧温度，包覆量等的关系，并与Ｘ射线衍射，透射电镜等方法进行了比较。     

辐照接枝氟塑料的正电子寿命谱研究

用正电子湮没寿命谱研究了对聚四氟乙烯和聚合氟乙丙烯进入γ辐照接枝的反应机理。结果表明：γ辐照和辐照接枝使聚合物的凝聚态结构发生了变化。随着辐剂量的增加,接枝率不断提高,而正电子湮没长寿命产生明显改变。说明了辐照接枝主要发生在非晶区以及非晶区和晶区的交界处,将实验结果与红外光谱进行了比较。     

不同P含量DZ17G合金的正电子寿命谱

用下电子湮没技术研究了不同Ｐ含量的ＤＺ１７Ｇ合金的电子寿命谱，结果表明，当合金中Ｐ含量≥０．０３ｗｔ％时，形成金属键的自由电子密度明显下降，其缺陷浓度明显增加，从而使合金力学性能下长，当Ｐ含量≤０．０１５ｗｔ％时，合金的体电子浓度变化不大，对合金性能影响较小，认为从不同Ｐ含量对合金缺陷组态和电子结构的影响出发，控制ＤＺ１７Ｇ合金Ｐ含量≤０．０１５ｗｔ％是必要的。     

Sol-gel方法制备ZnO陶瓷材料的正电子寿命谱研究

利用正电子寿命谱对Ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备的ＺｎＯ压敏陶瓷材料进行了研究,分析了寿命参数与材料致密度和非线性系数ａ之间的关系,讨论了不同的烧结温度及时间的对ＺｎＯ压敏特性的影响。     

正电子湮没寿命谱和多普勒展宽谱的自动获取和处理技术

本文介绍的正电子湮没寿命谱和正电子湮没多普勒展宽谱的数据自动获取和处理技术使Can-berra S-40或S-35型多道分析器与IBM-PC/XT微型计算机之间实现了相互通讯及全套的解谱数据处理和原始数据存盘、计算结果存盘及列表绘图等自动获取和处理数据的工作。使IBM-PC/XT微型计算机用于正电子湮没寿命谱仪或多普勒展宽谱仪的在线处理工作得以实现。     

甲基两烯酸甲酯-甲基丙烯酸共聚物/梯形聚苯基硅倍半氧烷原位共混物的正电子寿命谱研究

用正电子湮没技术研究了甲基丙烯酸甲酯－甲基丙烯酸共聚物（Ｐ（ＭＭＡ－ＭＡＡ））／梯形聚苯基硅倍半氧烷（ＰＰＳＱ）原位共混体系的自由体积孔穴尺寸及浓度与其组成的关系。具有两种不同配比的该共混物的正电子寿命温度谱表明：该共混物有两种结构转变，即：Ｔｂ、Ｔｇ，因含５％ＰＰＳＱ的共混试样Ｃ５中的自由体积分数较大，其Ｔｐ、Ｔ均小于含１％ＰＰＳＱ的共混试样．Ｃ１。研究了热历史对Ｐ（ＭＭＡ－ＭＡＡ）／梯形ＰＰＳＱ共混物结构的影响。还发现正电子平均寿命与自由体积分数有着类似的随温度变化的规律     

不同相结构Cu－Zn合金脱锌腐蚀的正电子寿命研究

测量了α、β、γ、ε四种单相Ｃｕ－Ｚｎ合金脱锌腐蚀前后的正电子寿命谱．发现脱锌腐蚀速率与材料腐蚀过程中产生的非平衡空位的体积百分比有正变关系．进而时Ｃｕ－Ｚｎ合金脱锌腐蚀的微观机理进行了讨论。     

用Monte-Carlo方法计算正电子湮没寿命谱中的衬底效应

用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法模拟计算了＾３２Ｎａ源的正电子在不同厚度Ｍｙｌａｒ膜,Ｎｉ膜衬底中的湮没几率,得出Ｓｉ,Ｆｅ、ＰＥ,ＰＰ４种样品在不同Ｍｙｌａｒ膜厚度下的衬底效应。结果,对ＰＥ、ＰＰ样品衬底铲应较Ｓｉ、Ｆｅ等样品强,表明用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法计算衬底效应是可行的。     

氧化物光学碱度与正电子寿命关系的研究

对快速激冷（冷速＞１８０Ｋ·ｓ－１）９９Ｎ８２Ｏ－Ｂ２Ｏ３熔盐、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｖ２Ｏ５和Ｎａ２Ｏ－ＴｉＯ２熔盐的正电子湮没寿命谱作了测定。结果表明：非过渡金同氧化物的光学碱度Ａ与相应的正电子寿命谱第一组分τ１有很好的线性关系Ａ＝０．１７３τ－１＋０．０６０．据此求得过渡金属氧化物ＺｎＯ、ＴｉＯ２和Ｖ２Ｏ５的Ａ实验值分别为１．００、０．６３和０７５。     

YBa_2Cu_（3－x）Sn_xO_y超导体系的正电子寿命谱研究

研究了Ｓｎ作Ｃｕ位元素替代的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＳｎｘＯｙ超导体系（ｘ＝０－１．５）的正电子寿命谱，计算了局域电子密度和缺陷浓度的变化；发现了存在于高浓度替代区域（ｘ＝０．８－１．０）的正电子湮没特征；讨论了对超导电性的影响以及相应的物理机制。