光调制反射谱作为MBE生长中原位检测手段的应用

本文介绍了光调制光谱（ＰＲ）在ＭＢＥ生长中原位光谱检测中的应用．利用了光调制光谱（ＰＲ）本身特有的在室温下有很高的灵敏度，并进一步与ＭＢＥ系统有效结合，为ＭＢＥ生长原位光谱检测增添了一种可行的手段．     

SPRITE探测器调制传递函数测试方法研究

研究和测量ＳＰＲＩＴＥ探测器调制传递函数（ＭＴＦ）,是为了分析、评价该探测器的空间分辨性能,先前的研究论文已报道了多种测试方法,本语文据此进行了分析、研究、提出了基于平面干涉条纹的空间正弦波响应测试方法。该方法能消除光源、测试目标的光学成系统引处的测量偏差,而且于多光谱段的ＳＰＲＩＴＥ探测器ＭＴＦ测试。     

用MBE和原位离子束光刻技术制备的2DEG基区热电子晶体管

用ＭＢＥ和原位离子束光刻技术制备的２ＤＥＧ基区热电子晶体管据《ＩＥＥＥＥ．Ｄ．》４２卷第６期报道，Ｓ．Ｇ．Ｉｎｇｒａｍ等以ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系统材料，将原位聚焦离子束（ＦＩＢ）隔离技术与ＭＢＥ再生长工艺相结合，克服了需要形成不同传导层之选择欧姆接...     

CdTe／Dl1—xMnxTe：In应变层量子阱的光荧光光谱

报道了ＭＢＥ生长的ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ调制掺杂应变层多量子阱材料的光荧光光谱，低温下观察到一个由多电子－单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象，对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加，使整个发光锋具有明显的非对称性。分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制，测量了７７Ｋ和ＧｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ样品的调制光谱，与荧光光谱进行比较，结果进一步支持了本文的结论。还测     

激光技术在分子束外延中的应用

激光具有波长选择范围宽，强度高和方向性好等优点，已在许多科学技术领域发挥了重要的作用。近年来，激光又被用于分子束外延（ＭＢＥ）技术中，并取得了很大进展。本文论述了在ＭＢＥ薄膜生长中，激光气体离化原位分子束组分监测，激光溅射产生外延分子束源以及这些新技术在材料生长中的应用。     

家用网络的用户接口

本文介绍的是一种家用网的用户接口。此用户接口易被用户接受，适用灵活，以家用网络为基础，也适用于其它家用系统，如欧洲的ＥＳＰＲＩＴ ＨＯＭＥ ＳＹＳＴＥＭ ［ＥＨＳＡ９２］，美国的Ｃｏｎｓｕｍｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｂｕｓ（ＣＥＢｕｓ）［ＥＩＡＵ９２］以及日本的ＨＯＭＥ ＢＵＳ ＳＹＳＴＥＭ（ＨＢＳ）［ＥＩＡＪ８６］。     

SPRITE探测器时空滤波特性分析

用ＳＰＲＩＴＥ探测器的脉冲响应（格林函数）描述了基于时间频率和空间频率变化的ＳＰＲＩＴＥ探测器光学传递函数（ＯＴＦ）、调制传递函数ＭＴＦ和相位传递函数（ＰＴＦ）,并由此分析了该探测器对红外辐射图像在时间域和空间域的联合滤波特性     

NEC推出数字FM激励器HPB-3073

ＮＥＣ推出数字ＦＭ激励器ＨＰＢ－３０７３传统的调频立体声广播用激励器，一直都由模拟电路构成。而日本电气公司（ＮＥＣ）推出的ＨＰＢ－３０７３型数字ＦＭ激励器，从音频输入到音频限制用低通滤波器（ＬＰＦ）、预加重网络、立体声调制和ＦＭ调制部分全都实行数字运...     

利用PR谱无损测量半导体SCR区中的电场

利用ＰＲ谱无损测量半导体ＳＣＲ区中的电场黄晖（昆明物理研究所昆明６５０２２３）光调制反射光谱（ＰＲ谱）以其高灵敏性和高精确度，在半导体材料及半导体微结构超晶格、量子饼的研究中起到了极其重要的作用。半导体材料空间电荷区（ＳＣＲ）的电场（例如由于掺杂等因...     

CdTe／Cd_（1－x）Mn_xTe：In应变层量子阱的光荧光光谱

报道了ＭＢＥ生长的ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ调制掺杂应变层多量子附材料的光荧光光谱，低温下观察到一个由多电子－单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象，对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加，使整个发光锋具有明显的非对称性．分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制，测量了７７Ｋ下ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ样品的调制光谱，与荧光光谱进行了比较，结果进一步支持了本文的结论．还测量了费密迪奇异随温度的变化，结果表明此现象在Ⅱ—Ⅵ族半导体多量子附材料中比Ⅲ─Ｖ族材料强得多．     

入射偏振态偏离TE模对光纤AM CATV外调制发射机性能影响的研究

从理论上分析了入射到调制器的偏振态偏离ＴＥ模时对外调制光发射机组合二次失真（ＣＳＯ）和组合三次差拍（ＣＴＢ）的影响。得出在ＴＥ，ＴＭ模插入损耗相同时，传输５９个ＰＡＬ－Ｄ频道，在保证ＣＳＯ＝－７０ｄＢｃ时，偏离ＴＥ模的角度应小于６°。单频传输的实验结果和理论分析一致     

EEPROM单元结构的变革及发展方向

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。     

MOCVD和GSMBE生长Ga_（0．5）In_（0．5）P外延层中有序结构的研究

用ＭＯＣＶＤ在（１００）、ＧＳＭＢＥ在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ上生长了ＧａＩｎＰ外延层．ＰＬ测试表明，（１００）衬底上ＧａＩｎＰＰＬ峰的能量比计算的带隙分别小４３（ＧＳＭＢＥ生长）和１０４ｍｅＶ（ＭＯＣＶＤ生长）．用Ｋｕｒｔｚ等人的模型对ＭＯＣＶＤ和ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＩｎＰ中有序度的不同进行了解释．并讨论了衬底晶向对ＧａＩｎＰ中有序程度的影响．     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。     

视听资料索引

视听资料索引３９１索尼ＢｅｔａｃａｍＳＰ１０００ＰＲＯＵＶＷ系列录像机（日），１９９３．１２，Ｐ６０—６６３９２Ｄ－２复合格式磁带录像标准ＳＭＰＴＥ（英），１９９３．１２，Ｐ１１６０—１１６３３９３Ｄ－２复合格式——磁带标准ＳＭＰＴＥ（英），１９９３...     

Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格光学性质的研究

在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算,并讨论了导带偏移Ｑｃ和平均晶格常数的取值对计算结果的影响,还研究了ｘ值对轻、重空穴激子能级位置的影响．在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子（６阶）,还观测到垒中和阱垒间光学声子的组合模     

超高精度动态增益均衡器Model 2200

赛普拉斯半导体公司的子公司之一———ＳＬＭ公司（ＳｉｌｉｃｏｎＬｉｇｈｔＭａｃｈｉｎｅｓ）日前宣布推出针对密集波分多路复用（ＤＷＤＭ）通信系统的Ｍｏｄｅｌ２２００动态增益均衡器（ＤＧＥ）。Ｍｏｄｅｌ２２００代表着下一代动态增益均衡器（ＤＧＥ）的发展方向 ,它可为远程光网络提供连续、具有无缝光谱的增益均衡。Ｍｏｄｅｌ２２００ＤＧＥ可工作于密集波分多路复用（ＤＷＤＭ）系统 ,它能在１５ｄＢ的动态范围中将各信道均衡在前所未有的+／ -０．１ｄＢ精度范围之内 ,并可以在多光谱领域内独立地衰减光能 ,从而使载波器能…     

精品展台

微芯片新型快闪型微控制器 Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ公司推出两款８引脚的快闪型微控制器ＰＩＣ１８Ｆ０１０与ＰＩＣ１８Ｆ０２０。这两款用户ＲＡＭ芯片拥有业界领先的１０ＭＩＰＳ速度、４ＫＢ程序内存、２５６Ｂ的用户ＲＡＭ、６４Ｂ的ＥＥＰＲＯＭ数据存储器。 ＰＩＣ１８Ｆ０１０／０２０可支持各种嵌入式的应用,其中包括空间有限的系统,或是需要使用小型微控制器搭配高端控制器,以提供智能型监控电路或看门狗定时器功能的环境。 新产品具有可编程的低电压检测（ＰＬＶＤ）功能以及低至２Ｖ的ＥＥＰＲＯＭ写入能力。同时可编程的内部振…     

用MBE生长的长波长高速应变量子阱激光器

目前实验证明，由分子束外延生长的应变层ＧａＩｎＡｓ渐变折射率分别限制异质结（ＧＲＩＮ　ＳＣＨ）量子阱激光器，其性能相当于或优于ＯＭＶＰＥ生长的激光器。提高ＭＢＥ生长的激光器性能主要是优化生长条件，该结论来自以前生长应变调制掺杂ＦＥＴ的应变沟道。在此，我们将讨论ＧａＡｓＩｎ／ＧａＡｓ应变层结构的生长条件，这些应变层材料的特点以及在此条件下生长的激光器的直流和微波特性。