铜铋铝触头材料技术条件

1 主题内容与适用范围本标准规定了铜铋铝触头材料的基本性能(不含电器应用性能)。本标准适用于真空冶炼方法制造的铜铋铝合金铸锭产品(以下简称铜铋铝合金),本产品主要应用于10KV 及以下的真空断路器。     

铜铋铈触头材料技术条件编制说明

一本标准的任务来源及目的随着我国电力工业的发展,真空开关得到愈来愈广泛的应用,真空开关用触头材料的生产也日益增加。铜铋铈合金是我国第一代真空断路器触头材料,于1976年研制成功,应用于10KV150MVA 真空断路器,同时制订出相     

铜铬触头材料技术条件

1 主题内容与适用范围本标准规定了铜铬触头材料的基本性能(不含电器应用性能)。本标准适用于粉末冶金方法制造的铜铬电触头产品,本产品主要应用于35KV 及以下的真空断路器、真空负荷开关等。2 引用标准     

中华人民共和国机械行业标准JB/T×××××—×× 真空铜及铜铋银材料质量分等(报批稿)(内部使用)

1 主题内容与适用范围 1.1 主题内容标准规定了真空铜、铜铋银材料的质量等级、检测方法、检验规则和质量等级评定。 1.2 适用范围本标准适用于真空铜、铜铋银材料的质量等级评定。     

抑制操作过电压的方法

提高灭弧室技术要求：触头是真空灭弧室的关键部件，触头材料的构成成分，纯度，表面光洁度，装配工艺都直接影响真空开关的截流水平。触头材料主要用铜铬合金，铜铋合金和铜钨合金，国外有使用高纯度铜和高纯度钢材料的。     

中华人民共和国机械电子工业部专业标准真空铜技术条件ZB

适用范围本标准适用于真空冶炼方法制造的低含气量纯铜产品(以下简称真空铜),供制造36KV 以下真空断路器跑弧面(或称触头座),也可以用作真空开关的灭弧室及其它电真空器件的导电材料。1 引用标准GB 466—82铜分类GB 2828—87逐批检查计数抽样程序及抽样表GB 471—83铜化学分析标准方法2 牌号     

铈钴铜永磁体研制情况简介

铈钴铜系合金是属于廉价稀土永磁合金。近年来对如何提高其磁性能和对该合金的相变过程以及产生高矫顽力的机理进行过大量研究。目前,外国已有商品牌号(PermafluxCL 和 PermafluxeT)出售。最大磁能积大约是7.0×10~6高奥左右。铈钴铜系合金可以用铸造法制取,也可以用粉末法制取。利用改进的 Bridgman 技术获得的定向结晶 Ce—Co—Cu—Fe 永磁体其性能如下:JHc=6000奥斯特,Br=6250     

城网建设与高压开关

触头材料是真空灭弧室技术进步的另一个方面。触头材料最初用的典型材料为铜铋(CuBi)合金。此材料开断能力差,且截流值高。据资料介绍,采用铜铋触头材料的真空断路器的截流水平一般为10～12A。现触头材料一般用铜铬(CuCr)触头材料,它不仅开断电流大,而且截流水平低,一般为3(实验室值)～5A(厂家保证值),而我国CuCr50触头的平均截流值仅2～2.5A,最大截流值3.2A。日本已研究出低过电压触头材料,可将截流值降至1/10。同时研究熄弧能力更强的触头材料如铜钽(CuTa)等。     

真空灭弧室制造技术的发展

目前用于真空开关的触头材料大概有3种：半难熔金属＋良导体,如铜铬（CuCr）合金;熔融金属＋良导体,如铜钨合金;铜合金,如铜铋等。在中压真空开关中,铜铬被认为是最佳的触头材料,它结合了触头材料中最关键的电性能于一身,即优良的导电性,高的开断电流能力,良好的抗电弧熔蚀性和很好的抗表面熔焊能力以及截流值小等。     

真空铜及铜铋银材料质量分等标准编制说明

1.前言根据机电部机质[1991]50号文《关于下达1991年机械产品第二批创部优计划的通知》,要求对真空铜及铜铋银真空断路器材料进行评优工作,由于该两种产品只有部专业标准,无质量等级标准,要进行评优首先必须制定出产品质量等级标准,建立不同质量等     

铜铋铝触头材料技术条件编制说明

一本标准的任务来源及目的我国自七十年代以来,为满足电力工业发展的需要,大力开展了真空断路器及其触头材料的研制工作。铜铋铝是我国于80年研制成功、应用于10KV20KA 真空断路器中的触头材料,并制     

对铅钙合金电化学性能影响的研究

在铅—铋钙板栅合金中添加少量金属铋的出发点是铋与锑是同一主族元素。其目的是企图保持高的析氢过电位和改变板栅合金腐蚀膜的组成和结构。本实验借助于恒电流腐蚀试验、析氢试验、阴极极化和动电位扫描测量等方法仅考察了铅—钙合金板栅中添加少量金属铋后对其某些性能的影响。证明少量铋使铅—钙板栅合金的腐蚀速度增大,而氢气析出减少,析氢过电位增加几十毫伏。     

用“为环境设计”的方法开发的下一代真空遮断器

1　引言称为《VG》的一种新系列真空遮断器已经开发成功 ,不仅优化了诸如短路遮断性能和设备尺寸等技术和成本问题 ,而且通过全面重新考虑设计方法和制造技术 ,从环境观点出发亦优化了对环境的影响。与常规的设计相比 ,此新的ALSTOM技术使制造真空遮断器所需的能量降低 40 %和原材料 (铜 ,陶瓷等 )降低 3 0 %。这种技术已应用到工作电压 3 8kV以下 ,额定电流 3 1 5 0A以下和短路电流 63kA以下的开关设备中所采用的新系列真空遮断器中。2　设计原理真空遮断器一般被认为是一种环境友好的产品 ,用相当普通的材料 :铜 ,陶瓷 ,银 ,不锈钢等…     

铜铋对铅锑板栅合金的影响

从金相、元素面扫描、硬度、抗拉强度、腐蚀失重、阴极极化曲线及循环伏安曲线等对铅酸蓄电池铅锑（Ｓｂ２．０％）板栅合金中添加铜、铋的作用与影响进行了研究,铜、铋在铅锑（Ｓｂ２．０％）板栅合金中的作用与影响有明显差别。     

混合稀土铅合金金相结构和阳极氧化膜的研究

采用金相显微镜、电子扫描电镜(SEM)、线性电位扫描(LSV)、循环伏安(CV)、恒电流腐蚀等技术和方法研究了不同镧铈混合稀土含量的铅合金金相结构和在硫酸溶液中氧化膜的生成情况。研究结果表明,在铅合金中添加适量镧铈混合稀土可以明显细化合金晶粒,使板栅合金有更好的塑性和韧性;镧铈混合稀土添加剂能够抑制深放电时阳极高阻抗的Pb(II)氧化膜生长,有利于提高电池的充放电性能;镧铈混合稀土添加剂还可以抑制浮充电位时(1.3 V)的阳极PbO_2的生长,提高合金的耐腐蚀性能。     

专利·文摘

多元稀土银电接点及其制备方法和用途/公开(公告)号:CN102864325A/公开(公告)日:2013.01.09/申请(专利权)人:宁波汉博贵金属合金有限公司本发明公开了一种多元稀土银电接点及其制备方法。材料组成(质量分数):96%～99.6%Ag,0.05%～0.5%Bi,0.1%～1.0%La,0.2%～2.0%Ce,0.05%～0.5%Ni。制备方法:①制备银铋、银镧、银铈、银镍中间合金;②Ag与中间合金在空气或真空状态下熔炼制备合金锭;③对合金锭均匀化处理,表面加工,挤压,拉丝,制成铆钉。本发明的多元稀土银电接点导电导热性高,接触电阻低而稳定,比纯银、细晶银、银铜合金的抗熔焊性优     

铋对铅酸蓄电池用Pb-Ca-Sn合金性能的影响

实验采用塔菲尔曲线、动电位线性扫描、交流伏安等电化学方法研究了不同铋含量的铅钙锡铝板栅合金的电化学性能,并用显微硬度计测试硬度。结果表明,添加适量的铋,可以提高合金的耐腐蚀性,抑制Pb（Ⅱ）的生长,减小阳极膜的阻抗,提高电池的深充/放电性能,提高合金板栅的显微硬度。但过多的铋反而恶化Pb-Ca合金的电化学性能和机械性能。     

富铈稀土添加剂对低锑合金阳极腐蚀膜的影响

应用线形电位扫描、计时电势分析法、交流伏安法和腐蚀失重法研究了在含砷锡的低锑合金中添加混合稀土(85?,10%Y,3%La)对合金性能的影响,并用金相显微镜观察了合金的微观组织。结果表明:富铈稀土能细化铅锑合金晶粒,薄化晶界,减少危害性大的晶体裂痕,降低整体腐蚀速度和腐蚀的危害性;富铈稀土能抑制阳极膜中的PbO生长,生成的PbO也易于还原,降低了阳极膜的阻抗,提高了板栅合金的深循环性能。     

真空触头合金中铜、碲X荧光定量分析方法研究

本文介绍了用滤纸薄样法对真空触头合金中常量元素铜和微量元素碲的定量分析方法.本方法简便快速、成本低,标准偏差分别为0.0314和0.0738,相对误差分别为0.24％和0.73％.     

掺杂元素对锡基低熔点合金性能的影响研究

为满足太阳电池新型串焊技术——无主栅技术的低温工艺要求,开发研制了锡铋合金焊带材料。锡铋合金焊料虽具有低熔点的特性,但也存在电阻率高、可焊性差以及低温脆性等缺陷,无法保证太阳电池互连的焊接质量。在实验过程中通过向锡铋基体合金中添加多种镧系元素来改善合金性能的方法,制备出熔点更低、熔程更短、润湿性能良好、抗氧化性能优异的低温合金,解决了无主栅电池串接过程中形成欧姆接触的难点问题,为无主栅技术的推广和产业化应用奠定了材料基础。