超导体YBa_2Cu_3O_（7－δ）的紧束缚能带计算

采用ＥＨＴ近似下的紧束缚能带结构计算方法，计算了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）和ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿６的能带结构。结果表明，穿越超导休ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）费米面的是三条来自Ｃｕ－Ｏ面和Ｃｕ－Ｏ链的能带，半导体ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿６没有来自Ｃｕ－Ｏ链的能带．     

先驱物的粒径对织构体Y123微结构的影响

研究分别用粗粉及细粉工艺制备的先驱物（ 液相组份先驱物粉末（ＢａＣｕＯ２ ＋ ＣｕＯ） ，异相ＳｎＯ２） 对高温超导体ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ δ（Ｙ１２３） 液相粉末熔融生长（ＬＰＭＧ） 织构工艺及微结构的影响， 结果表明： 在ＬＰＭＧ工艺熔化前的Ｙ１２３ 成相温区及熔融温区适当保持一段时间，可使样品的密度及结构度得到改善； 在部分样品的晶畴内可以观察到几十到几百纳米量级的微粒， 同时有大量的微粒存在于晶界中     

Y1—xGdxBa2Cu3O7—δ超导体的磁场烧结致各向异性

在磁场下（Ｈ＝１．３Ｔ）烧结得到的Ｙ１－ｘＧｄｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ）（ｘ＝０～１．０）系超导体表现出明显的电阻率ρ超导转变零电阻温度Ｔｃｆ和临界电流Ｊｃ各向异性，样品的常态电阻率在平行于烧结磁场方向上的值ρ比垂直于烧结磁场方向上的值ρ大８％～７０％，零电阻温度Ｔｃｆ∥比Ｔｃｆ┴大１．０～５．０临界电流Ｊｃ比Ｊｃ大９％～７３％，而且在外磁场（Ｈｔ＝２．０Ｔ）下测得的临界电流Ｊｃ随外扬Ｈｔ与烧结磁场     

高临界电流密度外延T12Ba2CaCu2O8超导薄膜

本文用直流磁控离子溅射及后热处理工艺在（００１）ＬａＡ１０３单晶衬底上制备的Ｔ１２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８高温超导薄膜，经Ｘ－光衍射θ－２θ和Φ扫描测试证明，薄膜是外延生长的。薄膜的超导转变温度高达１０８．６Ｋ。在液氮温度下，零磁场时的临界电流密度达７．６×１０６Ａ／ｍ２。薄膜具有很强的磁通钉扎能力。当垂直于膜面外加一个４特斯拉的磁场时，临界电流密度仍可保持１．１×１０６Ａ／ｃｍ２。     

用阳离子置换法制备汞系高温超导薄膜

介绍了最近发明的一种制备汞系高温超导薄膜的新方法—阳离子置换法．采用Ｔ１ 系外延超导薄膜作为先驱薄膜,将Ｔ１ 系超导薄膜在Ｈｇ 气氛下进行热处理,用Ｈｇ 置换先驱薄膜中的Ｔ１,进而生成Ｈｇ 系外延超导薄膜．用此方法,成功地在ＬａＡｌＯ３ （００１）衬底上制做出了高质量的ＨｇＢａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ 超导薄膜．Ｘ－光衍射θ－２θ扫描和极图测试表明,薄膜具有很纯的超导相和很好的外延结构．超导临界温度可达１２２Ｋ．在７７Ｋ温度下,临界电流密度达到３．４×１０６ Ａ／ｃｍ ２,在１１０Ｋ 温度下,临界电流密度仍可保持在０．７×１０６Ａ／ｃｍ ２ ．     

YBa_（2－x）Pr_xCu_3O_（7－8）的磁取向粉末样品的~（63）Cu

本文报道了ＹＢａ２－ｘＰｒｘＣｕ３Ｏ７－８（ｘ＝０．０２５－０．１）磁取向粉末样品的变温ＮＭＲ研究。作者详细测量了６３Ｃｕ的Ｋｎｉｇｈｔ位移Ｋ和自旋－晶格驰豫率１／Ｔ２的变温规律。随着Ｐｒ的掺进，Ｃｕ（１）Ｃｕ（２）位的Ｋｎｉｇｈｔ位移开始依赖于温度，Ｋｎｉｇｈｔ位移的轨道贡献和各向异性超精细作用基本保持不变。在我们测量温区内（７７－３００Ｋ），１／Ｔ１随掺杂浓度增加而有所增强，这与反铁磁相关自旋涨落图象一致。我们用ＭＭＰ理论进行了详细分析。     

Hastelloyc—275上激光沉积YBCO超导线材

室温下应用Ａｒ＾＋离子源辅助准分子脉冲激光沉积取向的ＹＳＺ过渡层薄腊地ＮｉＣｒ合金基底上；基底加温至７５０℃，用分子脉冲激光高温超导薄膜于ＹＳＺ／ＮｉＣｒ上，并切割一材，实验结果表明：ＹＢＣＯ超导线材不但为ｃ－轴取向的，同时为在ａ－ｂ平面内织构的，其临界温度Ｔｃ≥９０Ｋ，临界电流密度Ｊｃ≥１×１０＾６Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ，０Ｔ）。     

Hastelloyc-275上激光沉积YBCO超导线材

室温下应用Ａｒ＋ 离子源辅助准分子脉冲激光沉积 （０ ０ ２） 取向的 ＹＳＺ过渡层薄膜于ＮｉＣｒ 合金基底上;基底加温至７５０ ℃,用准分子脉冲激光沉积ＹＢＣＯ 高温超导薄膜于ＹＳＺ／ＮｉＣｒ 上,并切割成线材．实验结果表明：ＹＢＣＯ 超导线材不但为ｃ－轴取向的,同时为在ａ－ｂ 平面内织构的,其临界温度Ｔｃ≥９０ Ｋ（Ｒ＝ ０）,临界电流密度Ｊｃ≥１×１０６ Ａ／ｃｍ ２（７７ Ｋ,０ Ｔ）．     

HARMONIC AC SUSCEPTIBILITY FOR TEXTURED YBa_2Cu_3O_7

ＨＡＲＭＯＮＩＣＡＣＳＵＳＣＥＰＴＩＢＩＬＩＴＹＦＯＲＴＥＸＴＵＲＥＤＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７ＧｅＹｏｎｇ１）ＤｉｎｇＳｈｉＹｉｎｇ２）（１）ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ,ＮａｔｉｏｎａｌＬａｂｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒ...     

高Tc超导体的室温飞秒时间分辨谱研究

本文研究了室温下ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（７－ｘ）（ｘ＝０．１，０．４，０．８）和ＰｒＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（６．９）外延膜的飞秒瞬态反射谱。结果表明，瞬态反射信号△Ｒ（ｔ）的符号和弛豫时间与载流子浓度密切相关，对超导的ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（６．９），样品进行不同程度的去氧处理或者用Ｒｒ替代Ｙ后，△Ｒ（ｔ）的符号由正变负，弛豫时间由小于１００ｆｓ增加到大于１ｐｓ，说明在高Ｔｃ氧化物超导体中，载流子浓度的减少使载流子－声子耦合强度降低。     

铅掺杂Bi系超导体正电子寿命研究

在室温下测量了Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２－ｘＭｇｘＯ８＋δ超导体的正电子寿命，发现正电子体寿命τｂ随着Ｐｂ含量ｘ的增加而减小；测量了转变温度Ｔｃ结果表明，Ｍｇ替换不影响电子结构，Ｐｂ替换使电子从Ｃｕ－Ｏ面迁移到Ｂｉ－Ｏ层，并导致ＣＵ－Ｏ面空穴浓度增加，转变温度Ｔｃ减小．     

铅掺杂Bi系超导体正电子寿命研究

在室温下测量了Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２－ｘＭｇｘＯ８＋δ超导体的正电子寿命，发现正电子体寿命τｂ随着Ｐｂ含量ｘ的增加而减小，测量了转变温度Ｔｃ结果表明，Ｍｇ替换不影响电子结构，Ｐｂ替换使电子从Ｃｕ－Ｏ面迁移到Ｂｉ－Ｏ层，并导致Ｃｕ－Ｏ面空穴浓度增加，转室温度Ｔｃ减小。     

Bi系与Tl系高Tc超导体的比热奇异研究

利用扫描比热法对Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ和Ｔｌ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导体从液氮温度到室温作了详尽的比热测量．类似于ＹＢＣＯ超导体，在临界转变温度与室温的这一区间里发现Ｂｉ系和Ｔｌ系样品也存在负的比热奇异行为，即存在形状类似于倒置λ相变的比热反常峰．反常峰的位置和数量与样品的受热历史有关．并且实验发现存在一个临界的最高热循环温度Ｔ（ＣＴＣ），当样品的最高热循环温度Ｔ（ＴＣ）小于Ｔ（ＣＴＣ）时，这类反常峰将消失．对ＢＳＣＣＯ和ＴＢＣＣＯ这一临界热循环温度Ｔ（ＣＴＣ）分别为２３８±２Ｋ和２６１±１Ｋ．     

Y_（1－x）Gd_xBa_2Cu_3O_（7－δ）超导体的磁场烧结致各向异性

在磁场下（Ｈ＝１．３Ｔ）烧结得到的Ｙ１－ｘＧｄｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０～１．０）系超导体表现出明显的电阻率ρ、超导转变零电阻温度Ｔｃｆ和临界电流Ｊｃ各向异性．样品的常态电阻率在平行于烧结磁场方向上的值ρ比垂直于烧结磁场方向上的值ρ大８％～７０％；零电阻温度Ｔｃｆ比Ｔｃｆ大１．０～５．０Ｋ；临界电流Ｊｃ比Ｊｃ大９％～７３％，而且在外磁场（Ｈｔ＝２．０Ｔ）下测得的临界电流Ｊｃ随外场Ｈｔ与烧结磁场ＨＳ间的夹角α呈椭圆形变化规律．这表明烧结过程中所加的磁场引起了该系超导体的各向异性．     

元素替代对Bi_2Sr_2CaCu_2O_y单晶结构与超导电性的影响

选择过渡金属中磁性比较特殊的Ｍｎ替代Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ（Ｂｉ２２１２相）中的Ｃｕ,采用自助熔剂法制备出Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ（Ｃｕ１－ｘＭｎｘ）２Ｏｙ（ｘ＝０．０１,０．０５,０．０８,０．１）系列单晶。Ｘ射线衍射分析表明,单晶的ｃ轴长度随Ｍｎ含量的增加而减小。单晶的ａｂ面电阻率与温度变化的测量表明,零电阻温度Ｔｃ随Ｍｎ含量的增加而逐渐下降,超导电性被抑制。Ｍｎ元素替代Ｂｉ２２１２中的Ｃｕ所引起其结构与超导电性的变化,本文给出了较为合理的解释     

THE CURRENT DENSITY DEPENDENCE OF ACTIVATION ENERGY IN HIGH－Tc SUPERCONDUCTOR HgBa_2Ca_2Cu_3O_（8＋x） IN LOW CURRENT DENSITY

ＴＨＥＣＵＲＲＥＮＴＤＥＮＳＩＴＹＤＥＰＥＮＤＥＮＣＥＯＦＡＣＴＩＶＡＴＩＯＮＥＮＥＲＧＹＩＮＨＩＧＨ－ＴｃＳＵＰＥＲＣＯＮＤＵＣＴＯＲＨｇＢａ_２Ｃａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（８＋ｘ）ＩＮＬＯＷＣＵＲＲＥＮＴＤＥＮＳＩＴＹＴＨＥＣＵＲＲＥＮＴＤＥＮＳＩＴＹＤＥ...     

激光扫描淀积原位生长高TC超导薄膜

用激光束扫描淀积的方法，成功地在ＺｒＯ２（Ｙ），ＬａＡｌＯ３基片原位生长高质量的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ高温超导薄膜，其临界温度达到９０Ｋ以上，ＳＥＭ及ＸＲＤ分析表明，薄膜沿Ｃ轴择优外延生长，其结晶性很好，表现光滑均匀。     

Sol—gel法合成Bi1.6Pb0.3Sb0.1Sr2Ca2Cu3Ox体系的超…

本文用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法合成了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．３Ｓｂ０．１Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系的高Ｔｃ超导原粉，对于不同的烧结时间，材料的超导性有不同程度的差异，并与同种方法合成的Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系进行了比较。用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法，在Ｂｉ系中掺杂Ｐｂ，同样会缩短烧结时间，促进高温相的形成，同时掺杂Ｐｂ，Ｓｂ，形成超导材料所需的烧结时间进一步缩短。     

Sol-gel法合成Bi_(1.6)Pb_(0.3)Sb_(0.1)Sr_2Ca_2Cu_3O_x体系的超导材料的研究

本文用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法合成了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．３Ｓｂ０．１Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系的高ＴＣ超导原粉，对于不同的烧结时间，材料的超导性有不同程度的差异，（超导转变温度为１０８．３～１１６．１Ｋ）并与同种方法合成的Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系进行了比较．用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法，在Ｂｉ系中掺杂Ｐｂ，同样会缩短烧结时间（缩短６０ｈ），促进高温相的形成，同时掺杂Ｐｂ，Ｓｂ，形成超导材料所需的烧结时间进一步缩短（缩短１５３ｈ）．利用ＳＥＭ和Ｘ－ｒａｙ观察和分析了样品的形貌特征和物相结构．Ｓｏｌ－ｇｅｌ法具有工艺简单，烧结时间短，样品颗粒均匀、粒度小、组分易控等优点，在高ＴＣ超导材料中不失为一种行之有效的材料制备工艺．     

用LMTO方法研究HgBa2CuO4中缺位氧对超导性的影响

用ＬＭＴＯ方法计算了ＨｇＢａ２ＣｕＯ４＋δ（δ＝０，１）的电子结构，并从态密度的变化，探讨了ＨｇＢａ２ＣｕＯ４＋δ的超导性的导电机制。