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用多光子电离技术结合飞行时间质谱仪对氨/醇混合团簇进行了研究。在脉冲激光波长为355nm条件下观测到团簇离子。主要的电离产物为质子化的(ROH)n(NH3)mH+(n=1~6,m=0~4)混合团簇离子,且各个序列的离子强度随m的增大而减小。经分析,氨与醇混合团簇电离后团簇离子发生内部质子化转移反应是形成质子化团簇离子的主要原因。比较分析质谱图可知,当团簇离子比较小的时候二元团簇解离以失去醇类分子为主,随着团簇离子的增大,解离由失去醇分子为主逐渐变为失去氨分子为主。 相似文献
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飞秒强激光脉冲与H原子团簇相互作用的库仑爆炸过程模拟 总被引:1,自引:1,他引:0
运用经典粒子动力学模拟方法,研究了飞秒强激光脉冲(10^15~10^16W/cm^2)与正二十面体构型氢原子团簇H13,H55,H147和H309的相互作用。通过模拟分析团簇的膨胀过程,发现团簇的膨胀是各向同性的,团簇的膨胀尺度R(t)/R(0)随团簇尺寸的增大而减小,即团簇尺寸愈大,与激光相互作用后膨胀碎解过程愈慢。研究结果表明,随着团簇中原子数目的增多,团簇库仑爆炸后所产生的离子的动能相应增大。由于正二十面体的对称壳层结构,离子动能分布具有尖峰结构。团簇库仑爆炸后离子的最大动能Emax与团簇库仑爆炸前的尺寸的平方成正比。且Emax随激光光强I增加而增大。但是当I增大到一定值Is时,Emax将出现饱和,这是因为I的增强已经不再改变团簇内原子的电离状态。随着团簇尺寸的增大,激光光强饱和值和离子能量将会继续提高。 相似文献
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基于气体聚集形成团簇的过程,利用双束蒸发共沉积方法,在室温下成功地制备了Fe-Cu纳米磁性包埋团簇样品,对样品的TEM/ED分析表明,平均直径为20nm左右的Fe团族被Cu原子所包裹,形成了以Fe团簇为芯,Cu原子为壳的良好的芯-壳式包埋结构。 相似文献
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利用脉冲CO2激光气相合成了大尺寸的硅团簇Sin(n-10^3),并对其生长机理进行了初步研究,大尺寸硅团簇Sin(n-640)的飞行时间质谱可用对数正态分布函数很好地拟合,分析表明其结构由小尺寸硅团簇丰富多样趋向于简单化。 相似文献
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应用Nd:YAG脉冲激光器输出的355nm紫外激光实现了对甲醇的多光子电离,通过质谱技术观测到了两个质子化圃簇离子系列:(CH3OH)nH^+(n=1—15)和(CH3OH)n(H2O)H^+(n=7—15),结合在HF/STO-3G和B3LYP/6—31G++水平上的从头计算对其反应通道做了分析,发现其产生经过了团簇内部的质子转移反应。且质子主要来自于羟基上的氢离子。并分析了(CH3OH)nH^+系列的结构,给出了幻数团簇(CH3OH)3H^+的构型。同时对(CH3OH)n(H2O)H^+系列只在n≥7时出现做了相应的解释。 相似文献
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全同周期排列的纳米团簇阵列的自发生长 总被引:2,自引:0,他引:2
我们提出了利用分子束外延的自组织生长过程大面积制备二维周期性纳米金属团簇阵列的一种方法.该方法的普适性通过研究 Si(111)-7×7衬底上生长的Ⅲ族元素、贵金属、磁性金属以及它们的合金团簇得到证实.通过对In团族点阵的原位扫描隧道显微镜分析和第一性原理总能量计算,我们确定了这些团簇独特的原子结构,阐明了这些结构的形成机理.我们发现团簇和表面之间的强相互作用是获得团簇的特定尺寸和其有序排列的关键所在. 相似文献
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降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一。采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不同能量的脉冲激光进行退火实验,利用X射线衍射(XRD)和探针台对晶圆背面镍硅合金进行测量分析,得出最佳能量为3.6 J/cm2。退火后采用扫描电子显微镜(SEM)观察晶圆背面碳团簇,针对背面的碳团簇问题,在Ar;气氛下对晶圆进行了表面处理,使用SEM和探针台分别对两组样品的表面形貌和电压-电流特性进行了对比分析。实验结果表明,通过表面处理可以有效降低表面的碳含量,并且使器件正向压降均值降低了6%,利用圆形传输线模型(CTLM)测得芯片的比导通电阻为9.7×10-6Ω·cm2。器件性能和均匀性都得到提高。 相似文献