共查询到20条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
报道了MBE生长的CdTe/Cd1-xMnxTe:In调制掺杂应变层多量子附材料的光荧光光谱,低温下观察到一个由多电子-单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象,对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加,使整个发光锋具有明显的非对称性.分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制,测量了77K下CdTe/Cd1-xMnxTe:In样品的调制光谱,与荧光光谱进行了比较,结果进一步支持了本文的结论.还测量了费密迪奇异随温度的变化,结果表明此现象在Ⅱ—Ⅵ族半导体多量子附材料中比Ⅲ─V族材料强得多. 相似文献
2.
报道了组分y=0.76和0.84的晶格匹配In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP多量子阱的子能带结构低温光调制反射光谱研究结果,在0.9~1.5eV光子能量范围观察到限制的电子与空穴子带间的激子跃迁,还观察到限制的电子子带与空穴连续态间的跃迁,由此比较直接地确定了价带的不连续量,得到不连续因子Q_v=0.65±0.02。 相似文献
3.
本文首次报道用光调制光谱(PR)研究了Cd1-xMnxTe/CdTe半磁半导体多量子阱的能带结构和带间跃迁,观察到多量子阱的各子能级激子跃迁11H,11L,22H,33H等,并得到轻重空穴分裂为18meV。当能带偏移Qc=0.90时,理论计算的子带跃迁能量与调制光谱结果符合很好。发现低温时第二子能级跃迁比第一子能级跃迁更强,并给出了初步解释,通过变温测量,测得各子能级的温度系数并与纯CdTe及Cd 相似文献
4.
5.
运用光调制光谱方法测量了GaAs/AlxGa1-xAs多量子阱红外探测器材料的调制反射谱,结果表明光调制光谱可以精确确定阱宽、Al组分、子带跃迁能量和探测峰值波长等许多重要参数。结合实验结果,采用Kronig-Penny模型对材料能带结构进行了理论计算,与实验结果相符。 相似文献
6.
本文报道了4—300K温度范围内量子阱宽度分别为20、40、90和130A的GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的光荧光特性。我们考虑量子尺寸对载流子子能带的影响和弹性应变引起带隙的移动,计算了量子阱中本征激子发光的能量位置,计算值与实验结果基本吻合。还研究了荧光峰强度随阱宽的变化以及不同温度下荧光峰的半高宽度。 相似文献
7.
给出了具有二三个量是的In1-xGaxAsyP1-y/InP张应变量子阱材料的光荧光谱及x射线双晶衍射摇摆曲线,指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系,理论计算和实测结果基本一致。 相似文献
8.
讨论了耦合双量子阱的光荧光性质,并着重对不同垒宽样品的荧光性质与激发功率的关系进行了详细讨论,分析了导带子带间弛豫过程的竞争。 相似文献
9.
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的光荧光表征 总被引:2,自引:0,他引:2
对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱(μ-PL)测量,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰值接与势垒中Al含量相关,通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算,获得了Al组分和阱宽值,并由此推算出相应的红外探测响应波长,与光电流谱的结果相比吻合良好,这种材料的测量结果有利于器件制备的材料筛选。 相似文献
10.
用注入Ga离子GaAs/AlGaAs量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散,表现在PL光谱中量子阱峰值能量有30~90meV的兰移.发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关,并得到快速退火中的互扩散系数D约为10-15~10-17cm2/s 相似文献
11.
报道了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱pin结构在不同温度下的光荧光谱,观察到宽阱与窄阱重空穴激子峰荧光强度随温度上升而较快下降的不同变化关系,结果表明窄阱电子的热发射是导致窄阱光荧光强度随温度上升而较快下降的主要原因。同时观测到宽阱轻空穴激子峰强度特环的温度依赖关系,并分析了其物理机制。 相似文献
12.
本文研究了F~+离子注入诱导InGaAsP/InGaAs多量子阱结构,并着重研究了晶格匹配和失配应力对F~+离子注入诱导无序的影响,用变温光荧光(13~300K)方法研究了和带隙直接有关的光荧光峰值随温度变化的规律。在13K条件下,F~-离子注入具有压应力应变层的样品导致光荧光峰产生35meV的蓝移,而对具有张应力的样品,仅产生8meV的蓝移。定性地分析了产生不同程度蓝移的原因。 相似文献
13.
14.
本文给出了普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阶光波导的模场分布函数和特征方程,并以GaAs/AlGaAs多量子阱光波导为例分析讨论了波导结构参量及折射率分布对其传输特性的影响. 相似文献
15.
16.
GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meⅤ、6.28meⅤ、6.28meⅤ。 相似文献
17.
18.
InxGa1—xAs/AlyGa1—yAs多量子阱的高压光致发光研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用金刚石对顶砧压力装置在浓氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/ 相似文献
19.
20.