微加工电化学沉积锌牺牲层工艺

在微加工中通过电化学沉积Zn制备牺牲层从而制备悬空结构。电化学沉积Zn牺牲层工艺具有易获取牺牲层,去除快速,腐蚀选择性好,耐高温等优点。在电化学沉积Zn牺牲层工艺中易遇到与基底结合力不够、使用高温工艺时易产生气泡、打磨后残留杂质、去除牺牲层时残留难去物和悬空结构释放时易黏附等问题,通过在Ti/Cu电镀种子层上预镀Ni薄层获使用Ti/Au电镀种子层、慢速升温的预真空高温烘烤、电解稀碱液法和氧化清洗、使用丙酮和F117进行应力释放等方法改进工艺后可以克服这些问题。电化学沉积Zn牺牲层工艺是较为理想的制备悬空结构的工艺。     

基于光刻胶回流特性的平面化工艺

研究了一种利用光刻胶的回流特性去除表面的磨痕，使其表面平整化的方法，结合牺牲层结构可以非常简便地制备出微机电器件中各种悬臂梁结构。着重研究了光刻胶的前烘胶温度、回流温度、回流时间对回流效果的影响。通过大量的实验得到了较好的回流工艺，即光刻胶90℃下60min前烘后，并在90℃下回流60min，不但能通过机械抛光准确控制减薄厚度，而且还可以完全除去其表面的磨痕，获得平滑的表面结构。     

MEMS中的牺牲层技术

MEMS技术作为微电子技术应用的新突破,促进了现代信息技术的发展。牺牲层技术是MEMS应用中的关键,用以实现结构悬空和机械可动。本文介绍了MEMS技术发展中的几种牺牲层技术,并进行了简要评述。     

利用多层光刻胶工艺的准LIGA技术

ＬＩＧＡ技术在微机械结构的制作中具有很重要的作用。针对ＬＩＧＡ技术所存在的缺点,提出了一种利用多层光刻胶工艺的准ＬＩＧＡ技术。利用此技术,可以用普通光学曝光机将光刻图形转移到较厚的光刻胶上,而且深宽比可以做得很大。     

后段工艺干法去除光刻胶研究

干法去胶是用等离子体将光刻胶剥除,相对于湿法去胶,干法去胶的效果更好、速度更快.在现代集成电路制造中,干法去胶工艺加氟可有效地提高去除光刻胶的能力,特别是在离子注入之后的去胶工艺,含氟气体产生的氟离子可以防止光刻胶硬化.但在后段干法去胶工艺中,由于含氟气体的引入,会产生一系列的问题.因此,文中提出了对去胶气体组合配比进...     

以成为光刻胶的龙头供应商为目标的tok（东京应化）

东京应化的历史就是光刻胶的发展轨迹 1968年开发出半导体用负型光刻胶、1972年开发出日本首次的正型光刻胶的东京应化以光蚀刻为核心技术．一直走在最先进的微加工技术的前列。[第一段]     

RF MEMS工艺中牺牲层的去除方法研究

研究了MEMS开关聚酰亚胺牺牲层的去除，通过添加少许碳粉，能够减少刻蚀时间。讨论了在这种刻蚀情况下刻蚀温度和刻蚀时间之间的关系。此研究应用在表面微细加工工艺中，对MEMS加工具有重要的参考价值。该研究还可应用于RF MEMS开关、可调电容、高Q值悬臂电感、MOSFET等制造工艺中。     

非制冷焦平面探测器牺牲层制备工艺研究

研究了牺牲层制备的工艺过程.通过对牺牲层材料选择、牺牲层图形化及牺牲层固化等工艺技术的研究,获得了图形质量较好的牺牲层样品.建立了优化的牺牲层制备工艺制度,为探测器的后续研究奠定了基础.     

SU-8胶双光子微加工分辨率与工艺条件研究

为了提高SU-8光刻胶的微加工分辨率,利用飞秒激光双光子聚合技术研究了SU-8光刻胶微加工时的加工工艺条件与分辨率之间的关系.实验在本研究组自主研制的纳米光子学超细微加工系统上进行,以钛蓝宝石飞秒激光器发出的780 nm波长激光作为加工光源,考察了不同激光功率与曝光时间等激光加工条件和后烤与无后烤等工艺条件对SU-8聚...     

基于微机械的多孔硅牺牲层技术

多孔硅作为一种牺牲层材料 ,在表面硅微机械加工技术中有着重要的应用。文中综合讨论了三种不同的多孔硅牺牲层技术 ,并用后两种“在低掺杂衬底上的多孔硅牺牲层技术”,制作了良好的悬空微薄膜结构 ,同时对多孔硅表面的薄膜淀积 ,和制备过程中的掩膜材料等进行了分析 ,为利用多孔硅工艺制作各种 MEMS器件奠定了基础。     

一种MEMS复合牺牲层工艺的研究

以MEMS滤波器中的MEMS开关牺牲层的工艺为例,通过同时运用聚酰亚胺和正胶作为牺牲层材料的方法,避免了牺牲层单独使用聚酰亚胺做材料难于去除,或单独使用光刻胶做材料,叠层旋涂光刻胶时会出现龟裂的缺点.改善了牺牲层固化和刻蚀的效果,减小了刻蚀的时间.此研究应用在表面微细加工工艺中,对MEMS加工工艺具有一定的参考价值.     

牺牲层腐蚀二维数值模拟与仿真

建立了基于扩散方程的二维腐蚀模型,并给出相应的边界条件.为求解二维扩散方程,分别给出了有限差分显式和隐式求解算法.得到了每一时刻溶液在具体位置的浓度值,再由Topography模型计算腐蚀前端面的腐蚀情况得到腐蚀前端行进轮廓线.编程实现了对多种不同牺牲层几何结构以及组合结构腐蚀过程的仿真,最后实验验证了模拟的真实性.     

牺牲层腐蚀二维数值模拟与仿真

建立了基于扩散方程的二维腐蚀模型,并给出相应的边界条件.为求解二维扩散方程,分别给出了有限差分显式和隐式求解算法.得到了每一时刻溶液在具体位置的浓度值,再由Topography模型计算腐蚀前端面的腐蚀情况得到腐蚀前端行进轮廓线.编程实现了对多种不同牺牲层几何结构以及组合结构腐蚀过程的仿真,最后实验验证了模拟的真实性.     

微柱透镜阵列的全息-光刻胶热熔制作技术

为改善微柱透镜阵列的制作技术、消除光刻工艺对光刻掩模版的依赖,研究了利用全息-热熔技术制作微柱透镜阵列的新方法,即首先采用了全息技术进行曝光,然后利用光刻胶热熔技术在K9玻璃基底上制作出了面形良好的微柱透镜阵列。实验结果表明,进行全息曝光并显影后,能够在光刻胶表面产生良好的正弦阵列表面结构,之后采用光刻胶热熔技术可将光刻胶的正弦阵列结构转变为微柱透镜阵列,且实验结果良好。     

一种新颖的MEMS表面工艺牺牲层厚度的电测量方法

牺牲层厚度是MEMS表面工艺中的一个重要参数,对它的测量和控制有着重要的意义。目前大多采用光机械的方法来测量,但是测试方法复杂、测试时间长。本文介绍了一种新颖的MEMS表面工艺牺牲层厚度测试技术,实现了牺牲层厚度的电测量。测试方法简单快捷,并且很便于测试系统集成。