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采用丝网印刷法在氧化铝陶瓷表面制备了活性Mo-Mn金属化层,研究了Mo含量对烧结后金属化层的微观结构、元素成分以及钎焊后抗拉强度的影响。研究结果表明,Mo-Mn法陶瓷金属化层以Mo为骨架结构,玻璃相填充于骨架结构内部,随着膏剂中Mo含量的增加,烧结后的金属化层中Mo骨架与玻璃相成分并无较大变化,而Mo骨架体积占比增加,玻璃相体积占比相应减少。烧结过程中陶瓷和金属化层二者玻璃相之间相互迁移,陶瓷玻璃相向金属化层中迁移深度可达20μm以上,玻璃相中Si元素在金属化层表面存在一定程度的偏析现象。50wt%、70wt%和85wt% Mo含量膏剂制备的金属化层平均抗拉强度分别为110 MPa、120 MPa和111 MPa,表明Mo含量为70wt%时封接性能最佳。 相似文献
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本文简要介绍了等离子处理技术的基本原理和作用,并且通过比较金属化薄膜经等离子处理与未经等离子处理阻透性能的差异,阐述了等离子处理与金属化薄膜阻透性能的关系。 相似文献
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采用传统陶瓷制备工艺,利用XRD、SEM等测试分析方法,研究了MnCO3、Sb2O3掺杂对压电陶瓷晶体结构、表面形貌以及性能的影响。研究结果表明:所有组成均呈单一钙钛矿型固溶体特征,无其它晶相生成。掺杂陶瓷在1160℃左右烧结比较合适。MnCO3表现为典型的“受主”添加物特征。Sb2O3的掺杂对陶瓷性能的影响受多种因素共同作用,当Sb2O3的掺杂量为0.1%(质量分数)时,d33=148pC/N、tanδ=4.2%、εr=1516。MnCO3的掺杂可以促进晶粒生长,Sb2O3的掺杂使晶粒尺寸的均匀性降低。 相似文献
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系统研究了不同半径的稀土离子La3 、Ho3 、Yb3 分别掺杂的BaTiO3陶瓷的相组成、显微结构与介电性能的关系.实验表明,随着稀土离子La3 、Ho3 、Yb3 半径递减,稀土在BaTiO3中的固溶度降低,当稀土掺杂量超出固溶度时,BaTiO3陶瓷中生成焦绿石相.小离子半径的Yb3 掺杂有利于提高居里温度,改善容量温度特性,使瓷料满足EIA X8R规范要求.SEM研究表明,焦绿石第二相会抑制陶瓷晶粒生长,形成稳定的壳-芯结构,从而获得高介电常数和平缓的电容量温度曲线. 相似文献
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Mn掺杂ZnO稀磁半导体的化学合成及磁性研究 总被引:2,自引:1,他引:1
采用化学方法制备了名义组分为Zn0.993Mn0.007O的Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料,并研究了退火温度(Ts=400,600,800℃)对其结构和磁性的影响.结果表明:在退火温度低于600℃条件下,合成的样品为单一纤锌矿结构的ZnO颗粒材料;当退火温度为800℃时,合成的样品中除了纤锌矿结构ZnO外还观察到ZnMnO3第二相的存在.磁性研究表明:经过600℃退火后的样品,其室温铁磁性最强,而经过800℃退火后的样品,其铁磁性几乎消失,并表现为增强的顺磁性.结合对样品的Raman光谱和紫外-可见吸收光谱的分析,表明Mn元素进入了ZnO晶格中并替代了ZnO中的Zn离子. 样品的室温铁磁性是源于(Zn,Mn)O的本征特性,并排除了样品中第二相导致其具有室温铁磁性的可能性. 相似文献
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施受主杂质La,Mn共掺BaTiO3陶瓷PTC特性的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
采用溶胶-凝胶法制备施主杂质La和受主杂质Mn均相共掺BaTiO3半导体陶瓷。掺杂过程中以La、Mn的硝酸盐水溶液代替醇盐实现相掺杂,改善组分均匀性。讨论了受主杂质Mn的浓度与陶瓷PTC性能的关系,并结合XPS测量结果,对其影响PTC效应的生观机制进行探讨。 相似文献
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以氧化锡(SnO2),五氧化二铌(Nb2O5)和三氧化二锑(Sb2O3)粉末为原料,通过无压固相烧结技术制备了SnO2基导电陶瓷,研究了Nb2O5单掺杂及Nb2O5-Sb2O3双掺杂SnO2基陶瓷的电导率和热膨胀性.采用X射线衍射仪对试样物相结构进行了表征.研究发现,当Nb2O5掺杂量为14%(摩尔分数,下同)时,SnO2基陶瓷800℃的电导率迭10.51S/cm;在此基础上,当Sb2O3添加量为2%时,500℃的电导率达1.61S/cm.SnO2-Nb2O5基陶瓷的热膨胀系数随Nb2O5掺杂量的增加而降低,Sb2O3的添加使SnO2基陶瓷的热膨胀系数增大.X射线衍射仪分析结果表明,Nb2O5能均匀分布在SnO2粉末中,形成稳定的固溶体;Sb2O3的添加不利于Nb2O5形成稳定的固溶体. 相似文献
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CeO2掺杂Pb0.94Sr0.06(Ni1/2W1/2)0.02(Mn1/3Nb2/3)0.07(Zr0.51Ti0.49)O3(PNW-PMN-PZT)陶瓷采用传统固相烧结法制备.借助X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X-射线能谱分析(EDAX)及密度、硬度和弯曲强度研究了烧结温度对陶瓷结构和机械性能的影响.研究发现,烧结温度的提高可使三方-四方相变、晶体四方度和晶粒尺寸增大,而使晶粒表面的残余应变减小.EDAX结果表明,材料组成和结构的不均匀性随烧结温度的提高而加剧,过高的烧结温度可导致Ni、Ce元素在晶界严重偏析积聚.1000℃烧结的陶瓷具有最佳的力学性能,这与合适烧结温度对材料晶粒尺寸、残余应变、组成和结构的均匀性以及气孔率的影响有关. 相似文献
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采用熔盐法得到了PMN-PT陶瓷,研究了在不同烧结温度下PMN-PT陶瓷的介电、压电性能,分析讨论了烧结温度、烧成密度、晶粒大涉以及晶界玻璃相与介电、压电性能的关系。结果表明,适当的晶粒大小以及采用不同烧结温度和退火工艺消除晶界玻璃相有利于压电、介电性能的提高,并对可能的机理进行了分析。 相似文献