MOS器件鸟咀区非本征电容研究

在ＭＯＳ结构的窄沟器件、倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂散电容的影响，不易测准．本文研究了精确测量Ｃｇｂ０的方法，同时也发现它的值不是常数，并给出了Ｃｇｂ０随Ｖｇｂ变化的经验公式．     

^6—Co—γ辐照感生Si／SiO2慢界面态及其对高频C—V测试的影响

研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响。结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３－０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型。分析认为慢界面态对应的微观缺陷很可能是Ｓｉ－Ｏ断键或弱键。慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关。文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法。     

利用MOSFET亚阈I—V特性进行辐射感生界面陷阱的测量

本文利用ＭＯＳＦＥＴ亚阈Ｉ－Ｖ曲线对加固和非加固ＭＯＳＦＥＴ的辐射感生界面陷阱密度进行了测量,分析和讨论了辐射感生的界面陷阱密度依赖于辐射总剂量和辐射剂量率的变化关系。     

FDTD法研究散热片与器件间的耦合电容

散热片与器件间的电容耦合是电路产生共模辐射的主要原因之一，其对研究电路的辐射发射特别重要。然而长期以来人们将该电容简化为平板电容，采用静电场推导的电容公式计算。但在高频端，散热片和器件的尺寸与波长相比拟，分布参数影响了该耦合电容的数值。所以本文提出了采用FDTD法计算散热片与器件间的高频耦合电容的构想。数值计算的结果表明：该电容已经不能看作是一简单常数，而是随频率变化的量。频率较低时，耦合电容随频率升高快速减小。且耦合电容具有频率选择性。激励源位于散热片的中心耦合电容小；绝缘层厚度越薄，相对介电常数越大得到的高频耦合电容越大，但不是线性变化。在实际散热片的选择和安装过程前必须对其产生的耦合电容进行预测，以期在最实用的条件下得到最小的耦合电容。     

氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究

降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界面,制作成MOS电容后通过I-V和低温C-V测试进行氧化膜击穿特性及界面特性评价。氧化膜击穿电场为9.92MV/cm,SiO2与SiC之间的势垒高度为2.69eV。使用Gray-Brown法结合Hi-Lo法分析C-V曲线,获得了距导带底EC0.05～0.6eV范围内的界面态分布,其中距EC0.2eV处的界面态密度降低至1.33×1012cm-2eV-1。实验结果表明,氮等离子体处理能有效降低4H-SiC导带附近的界面态密度,改善界面特性。     

阈值法在毫米波目标辐射信号去噪中的应用研究

小波域阈值法去噪以其效果好,易编程实现而广泛应用到图像及信号的去噪中。该文在分析了毫米波目标辐射信号的小波系数特征后,提出使用非负小波系数代替信号的小波系数。对于确定的阈值,推导了重构信号均方差最小时,非负小波系数的去噪方法,实验表明该文算法具有较好的去噪效果。