无测试图形薄层电阻测试仪及探针定位

研制出检测ULSI芯片的薄层电阻测试仪,可用于测试无图形样片电阻率的均匀性,用斜置的方形四探针法,经显微镜、摄像头及通信口接入计算机,从计算机显示器观察,用程序及伺服电机控制平台和探针移动,使探针处于规定的位置,实现自动调整、测试;对测试系统中的探针游移造成的定位误差进行分析,推导出探针游移产生误差的计算公式,绘制了理论及实测误差分布图;测出无图形100mm样品电阻率,并绘制成等值线Mapping图.     

两种薄层电阻测试系统探针游移误差的对比分析

从理论上分析方形四探针和直线四探针薄层电阻测试方法中探针游移所造成的系统偏差,推导出计算游移偏差的公式,并作图展示探针游移后的电阻与理想值之比的分布情况,分析了两种四探针测试方法出现最大误差的情况。用方形四探针测试方法不仅比普通直线四探针测试方法所测量的微区小,而且方形四探针测量的游移偏差小于直线四探针测量所产生的偏差。经试验发现,实际测试过程中,方形四探针只要在合理压力范围内,探针游移完全在合理范围内,能够保证测试的准确性。     

四探针技术测量薄层电阻的原理及应用

对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)薄层电阻测量,做出了样品的电阻率等值线图,为提高晶锭的质量提供了重要参考.     

微区薄层电阻四探针测试仪及其应用

用斜置的四探针方法 ,依靠显微镜观察 ,将针尖置于微区图形的四个角区 ,用改进的范德堡公式可以得到微区的薄层电阻。文中对测准条件作了分析。并用该仪器测定了硼扩散片的薄层电阻分布。在测试过程中应用微处理器 ,加快了计算速度     

薄层电阻测试Mapping技术

利用改进的范德堡法微区薄层电阻测试探针技术对n-Si片上的硼扩散图形进行薄层电阻的测量，并用发度表示其分布，可得到薄层电阻的不均匀度及平均值．这种所谓Mapping技术更有利于评价材料质量．     

四探针和EIT测试微区薄层电阻的研究与进展

论述了一种测试大型硅片电阻率均匀性的新方法——电阻抗成像技术（EIT）。给出了四探针的基本原理,指出EIT的基本思想来源于四探针技术。对EIT的基本原理和重建算法在理论上进行了描述．提出可将其应用于微区薄层电阻测试,并对EIT在大型硅片微区薄层电阻率均匀性测试技术上的系统应用做了进一步探索。     

微处理器在微区薄层电阻测试Mapping技术中的应用

利用微区薄层电阻测试的一种斜置四探针新方法，将扩散微区薄层电阻测试结果绘成全片的灰度图，这种Ｍａｐｐｉｎｇ技术十分有利于评价材料的质量，在测试过程中应生处理器，可立即数字显示相应的测量电压及微区的薄层电阻，加快计算速度并有利于控制探针的合适位置。     

微处理器在微区薄层电阻测试Mapping技术中的应用

本文利用微区薄层电阻测试的一种斜置四探针新方法，将扩散微区薄层电阻测试结果绘成全乍的灰度图，这种微区薄层电阻测试Ｍａｐｐｉｎｇ技术十分有利于评价材料的质量。在测试过程中应用微处理器，可立即数字显示相应的测量电压及微区的薄层电阻，加快了计算速度并有利于控制探针的合适位置。     

方块电阻测试中的有限元理论

介绍了用有限元方法计算半导体方块电阻四探针测试中二维点电流势场的模型并且证明了其正确性，由于有限元方法对边界没有限制，该方法为方块电阻测试中精确确定边界修正系数，更重要的是为微样品测试结构确定提供直接明了的理论依据。     

薄层方块电阻宽电极测试方法

设计一种用宽电极测试薄层方块电阻的方法,给出理论分析和实验结果,该方法可以作为对四探针方块电阻测试仪进行校对的原始方法．也可以开发为一个大学物理设计性实验。     

双电测组合法测试半导体电阻率的研究

对双电测组合四探针法测试方块电阻 (Rs)和体电阻率 ( ρ)进行了研究 ,从理论和实践上揭示三种组合模式的共同优点 :测量结果与探针间距无关 ,可使用不等距探针头 ;具有自动修正边界影响的功能 ,不必寻找修正因子 ;不移动探针头即可得知均匀性 .推导出用于体电阻率时的厚度函数 .论述了Rs、ρ、大小样片及边界附近的测试原理 ,给出了Rs 和 ρ的计算公式.     

高方阻密栅电池发射结方阻的优化

主要介绍了晶体硅太阳电池光电转换效率的工艺优化,特别是对高发射结方阻方面,以及后道工序中如何使之适应高方阻工艺。在高方阻方面主要采用了深结高方阻,这主要是从工艺稳定性方面考虑。通过一系列工艺的优化及大量实验,获得了高达635 mV的开路电压,5.817 A的短路电流,均值18.67%的电池效率。     

硅太阳电池扩散方阻均匀性研究

在规模化生产制作单晶硅太阳能电池过程中,控制扩散质量是提升电池质量和效率的关键。在分析了设备及工艺方面存在的影响扩散均匀性因素的基础上,提出了优化扩散均匀性的实验方法,包括：在硅片表面上制作二氧化硅薄膜来减缓磷扩散的速度;在扩散时控制小氮与氧气的流量比例;减少扩散过程中温度波动对扩散结果的影响;在炉口区域设置较高的温度进行温度补偿;调整炉内压强使输入输出达到动态平衡等。试验证明这些方法可以改善电池电性能,并对工业化生产具有一定的参考价值。     

Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响

采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜.首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4h制备一系列Mg2Si半导体薄膜.采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品的结构、表面形貌、剖面进行表征,研究了Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜生成的影响.结果表明,在Si衬底上制备出以Mg2Si (220)为主的单一相Mg2Si薄膜,且Mg2Si (220)的衍射峰强度随着Mg膜厚度的增加先增大后减小,Mg膜为2.52 μm时,制备的Mg2Si薄膜表现出了良好的结晶度和平整度.最后,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜方块电阻的影响.     

VRLA铅酸蓄电池充电技术与内阻测量

研究了铅酸蓄电池的反应原理和特点,充电过程中的极化现象,分析了蓄电池常规充电、快速充电、智能充电的原理和特点,阐述了蓄电池内阻的不同测量方法。     

热敏电阻阻温特性曲线测试系统的研制

通过标准ＲＳ－２３２串行接口把计算机同智能仪表结合起来,组成热敏电阻阻温特性曲线测试系统,通过外围接口电路通道转换和控温,计算机通过串口由智能万用表进行数据采集,由软件实现参数计算和曲线显示。