Influence of the external component on the damage of the bipolar transistor induced by the electromagnetic pulse

A study on the influence of the external resistor and the external voltage source during the injection of the electromagnetic pulse(EMP) into the bipolar transistor(BJT) is carried out.Research shows that the increase of the external resistor R_b at base makes the burnout time of the device decrease slightly,the increase of the external voltage source V_(be) at base can aid the damage of the device when the magnitude of the injecting voltage is relatively low and has little influence when the magnitude i...     

多光子Tavis-Cummings模型中运动原子与二项式光场相互作用的量子纠缠

利用全量子理论,研究了多光子Tavis-Cummings模型中运动原子与二项式光场相互作用系统的量子纠缠特性,讨论了不同初始状态下的二项式光场系数和原子运动速度对纠缠特性的影响.结果表明：二项式光场系数不影响场熵演化的周期性,但影响场熵峰值大小.随着原子跃迁光子数的增多,场熵演化的周期性和消纠缠现象逐渐消失.原子运动的速度影响场熵的演化周期,且影响场熵峰值的大小,而原子跃迁光子数的增大,会消弱原子运动速度对场熵演化的影响.当光场处于中间态,原子运动速度较低,且原子跃迁光子数较大时,光场与原子可以长久地处于量子纠缠态.     

小于两倍槽宽槽孔导向孔添加方式探讨

对0．7mm×1．2mm槽孔分别添加0．4mm、0．55mm导向孔,并分别添加在槽孔中心,距槽孔边1mil及与槽孔边相切,得出添加0．55mm导向孔并其与槽孔边相切时,槽孔孔形最为优良,并且在添加0．55mm导向孔时,其不同添加位置对槽长影响最为显著。     

单脉冲寻向天线和目标的一体化仿真及测角误差分析

本文通过矩量法及其高效数值方法（MLFMA）对近距离目标--单脉冲收发天线的电磁互作用进行一体化数值仿真,定量研究了单脉冲天线的近场角度测量特性.在该近场模型中,目标散射近场的幅、相分布和同轴探针激励的喇叭单脉冲天线的辐射场（对应远场和波束）、接收端响应（对应远场差波束）均采用全波数值模拟获得.首先,计算单脉冲天线的辐射场并将其作为对目标照射的激励条件;接着,计算目标散射近场的空间分布;并计算出单脉冲天线所接收到的目标散射场;最后,使用幅值法和相位法计算出单脉冲天线近场测角角度,并在此基础上对近距离测角误差进行研究.在导弹目标算例中,将天线--目标一体化建模和天线口径面上散射近场的幅、相分布计算结果用于近距离条件下单脉冲天线测角误差的研究,并通过频率、距离的变化对测角精度做了对比分析;发现目标近场散射幅、相分布的非均匀性,是导致单脉冲天线近距离角度测量产生较显著的测角误差的主要原因;而频率较低时,测角误差较小.文中给出了物理解释,并提出近距离测向时借助于较低频信号的校正以降低测角误差的建议.     

基于ANSYS的TO-220封装功率器件热特性校准及优化设计

针对TO-220封装的功率器件,利用ANSYS软件对其进行三维建模及模型校准,校准过程研究了有无PCB板、热源厚度及有无引线对模型准确性的影响。进而基于校准后模型,研究了粘结层面积、芯片相对于基板位置以及基板面积与散热效果的关系。分析结果表明,焊料层面积大小对散热基本没影响,芯片在粘片工艺中应尽量把芯片放置在中间往下方位置,而基板面积越大,芯片散热效果越好。     

基于光波分复用的超长距离光缆随路状态监测

在光缆随路状态监测过程中,为避免因光信号波 长分离难度大而影响状态监测的准确 性,本研究在现场监测站采集光信号的基础上,利用光波分复用过程实现对不同波长光信号 的分离处理。根据分离结果,通过OTDR测试获得监测点到光缆故障点之间的距离,再结合小 波变换过程确定最大故障衰减信息。基于此,利用BP算法实现对超长距离光缆随路中存在的 故障点的定位,实现对光缆随路状态的监测。实验结果表明:该方法的监测过程耗时始终保 持在4min之内,且故障定位准确度在80%左右,证明该方法监测过程 耗时短、效率高,且对故障点的定位准确度较高,大大提升了状态监测结果的准确性。     

无驱动硅微机械陀螺

报道了无驱动结构硅微机械陀螺,推导了输出电压方程。从方程表达式可看出,该陀螺输出信号包含旋转载体的偏航和俯仰角速度及自旋角速度的信息。通过实验说明如何在输出信号中提取相关信息,即输出信号的频率表示载体自旋角速度的平均值,输出信号的包络表示载体偏航和俯仰角速度大小的瞬时值,输出信号的极性由输出波形的相位超前和滞后确定。最后给出该陀螺目前所达到的主要性能指标。     

铜带缠绕型焊柱装联结构的板级热-机械可靠性研究

陶瓷基板与印制电路板之间的热膨胀系数差异较大导致的热失配,和大尺寸、高质量带来的抗振动性能下降,是这类器件板级装联失效的主要原因。针对铜带缠绕型焊柱CCGA板级装联结构在温度循环和随机振动载荷下焊点的失效模式和失效机理进行研究。结果表明,最大应力应变点出现在铜带与焊柱接触界面铜带边缘处,裂纹沿铜带缠绕方向的焊柱横截面向内扩展最终导致开裂。由于铜带和焊柱材料弹性模量性能差异较大,铜带与柱芯接触界面存在应力突变现象,器件长期使用过程中会出现焊柱与铜带剥离进而导致互连失效。铜带材质的选择、铜带与柱芯缠绕质量是影响铜带缠绕型焊柱高可靠应用的关键,铜带与焊柱间良好的冶金互连、铜带间隙充分的焊料填充是有效提高铜带缠绕型焊柱的抗热/机械性能的主要途径。     

Analysis of impurity concentration distributions in pulled semiconductor crystals

InSb and GaSb single crystals were grown by the Czochralski method. The impurity concentration distribution in the melt and crystal was investigated experimentally and computationally as a function of the interface segregation coefficient, the shape of the solid-liquid interface and the growth rate. It was found that the impurity concentration distribution in the melt was largely influenced by the interface segregation coefficient; the impurity concentration in the crystal increased as the shape of the solid-liquid interface became more planar and also as the growth rate increased; the impurity concentration was more markedly influenced by the growth rate than by the shape of the solid-liquid interface. When the growth rate was large, the impurity concentration increased and the shape of the solid-liquid interface was concave toward the melt near the crystal periphery. When the growth rate was small, the impurity concentration decreased and the shape of the solid-liquid interface was convex toward the melt.     

放射状双pn结抑制片上电感衬底损耗

使用标准CMOS工艺,在放射状的n阱上面扩散p+,使垂直和水平方向形成双pn结,将此结放在电感的底部用来抑制衬底损耗.提出并实验证明了该结构形成的高阻区厚度不是垂直pn结耗尽层的厚度,而是最低层的pn结的深度.首次通过接地的p+扩散层屏蔽电感到衬底电场,水平和垂直pn结耗尽层厚度随着pn结反向偏压升高改变衬底有效的高阻区厚度,电感品质因数跟随高阻区厚度升降,有效地证明了pn结衬底隔离可以降低电感的衬底电流造成的损耗.