低阈值台式条状InGaAsP/InP连续辐射(λ=1.3微米)激光器

目前有各种各样的两维光学限制的条状激光器结构。看来,台式条状掩埋激光器和具有新月形激活区的激光器最有前途。但这种激光器没有很好的电流限制，这是由于限制电流的反向偏置p-n结的漏电流或高欧姆InP的电阻率低而引起的，这是目前这种结构的缺点。台式条状结构可以克服这种缺点,而且制备十分简单。     

低阈值电流的发射波长1.3微米InGaAsP/InP隐埋月牙形激光器

三菱电机公司最近报导一种新型的InGaAsP/InP长波长注入式激光器。这种激光器的有源区呈月牙形,并被完全埋置在Inp     

1.3μm InGaAsP/InP大功率短脉冲SPB-BC激光器

本文在传统的掩埋新月型激光器的基础上，提出了一种１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ大功率激光器结构－选择性质子轰击掩埋新月型激光器（ＳＰＢ－ＢＣ）．文中对其制作过程及特性进行了详细的描述和测量．它的最低阈值电流小于１０ｍＡ，对于ｎ－ＩｎＰ衬底，它的最大输出功率为６５ｍＷ，ｐ－ＩｎＰ衬底，最大输出功率为８０ｍＷ．在重复频率为２．１ＧＨｚ时，测得光脉冲的半宽度（ＦＷＨＭ）为１８ｐｓ．     

1.3μm InGaAsP/InP大功率短脉冲SPB-BC激光器

本文在传统的掩埋新月型激光器的基础上，提出了一种１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ大功率激光器结构－选择性质子轰击掩埋新月型激光器（ＳＰＢ－ＢＣ）．文中对其制作过程及特性进行了详细的描述和测量．它的最低阈值电流小于１０ｍＡ，对于ｎ－ＩｎＰ衬底，它的最大输出功率为６５ｍＷ，ｐ－ＩｎＰ衬底，最大输出功率为８０ｍＷ．在重复频率为２．１ＧＨｚ时，测得光脉冲的半宽度（ＦＷＨＭ）为１８ｐｓ．     

低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.     

1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器

本文介绍具有机好的P-N-P-N电流限制的双沟道平面掩埋异质结激光器(DC-PBH LD)。器件正向泄漏电流小于1μA/5V,阈值电流20mA,20℃时的光功率线性输出大于10mW,最大功率输出大于20mW,50℃光功率线性输出10mW,70℃连续工作,光功率输出大于1.3mW,外微分量子效率50％,比接触电阻3.6-4.8×10~(-5)Ωcm~2,光谱为极好的单纵模,远场辐射θ_2～15°,θ_1～15°-30°,耦合效率高达90％。     

V形槽衬底InGaAsP/InP BH激光器

<正> 日本富士通实验室研制了一种发射波长为1.3μm的BH激光器:V形槽衬底BH激光器(VSB)。在这种结构中,有源层埋在衬底上的V形槽内。为了制作这种激光器,研制出一种腐蚀方法,用这种方法在<011>方向上形成V形槽。25℃时CW阈值电流范围在10～20mA。一直到20mW/端面的光功率均可获得稳定的基横模激射。CW激射的最高温度为100℃。纵模是多模,然而其包络半最大点的全宽(FWHW)典型值低于3nm。动态特性呈现出     

1.3微米InP/InGaAsP多层限制掩埋新月型激光器

我们采用二次液相外延技术研制出1.3微米低阈值、稳定基横模激射多层限制掩埋新月型InP/InGaAsP激光器.典型室温连续工作阈值电流20mA,最低值10mA.在3-5倍阈值工作电流下仍可以稳定的基横模激射.单面微分量子效率为20-30％.     

1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器

用过冷法两次液相外延生长制作了波长 1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器(DC-PBHLD).室温最低阈值电流15mA,典型值20mA;最高连续工作温度80℃,输出光功率2mW.4倍阈值电流时,仍可得到稳定的单纵模输出.     

InGaAsP/InP双波长BH激光器阵列

<正> 日本公用电报电话公司武藏野电气通信实验室报导,他们已经制造出发射波长为1.26和1.55μm双波长BH激光器阵列。两个BH激光器之间的间隔是30μm,在室温下两个激光器能     

高频大功率InGaAsP/InP SPB-BC激光器

在普通掩埋新月型激光器的基础上,提出了一种高频大功率的InGaAsP/InP激光器结构——选择性质子轰击掩埋新月型(SPB-BC),并对激光器结构模型进行了理论分析。采用p-InP衬底,最大输出功率为80mW。500μm腔长激光器,它的调制带宽可以达到6.0GHz。     

1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长

报道了用低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结（ＢＨ）条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流４～６ｍＡ。２０～４０℃时特征温度Ｔ０高达６７Ｋ，室温下外量子效率为０．３ｍＷ／ｍＡ。     

1.3μm波长InGaAsP/InP DC-PBH低阈值激光器的液相外延生长

本文叙述了用于制作1.3μm波长InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结(DC—PBH)激光器的液相外延生长方法,着重讨论了在非平面结构上进行液相外延生长时所遇到的问题及解决措施。采用阳极氧化处理,用InP、Sn合金熔液盖片保护衬底,减少衬底在加热过程申的热损伤等方法获得了高质量的外延片。用该外延片制作的1.3μm波长InGaAsP/InP(DC—PBH)激光器室温连续工作阈值电流最低达9mA,管芯单面输出功率最高达40mW,最高连续激射温度达115℃。     

低阈值1.5微米波长InGaAsP/InP隐埋双异质结结构激光器

<正> 最近日本 NTT 武藏野通研所制出目前最低阈值的1.5微米波长 InGaAsP/InP 隐埋双异质结结构激光器。首先使用低温液相外延防回熔技术在 InP(100)衬底上生长掺锡的4.5微米厚的 InP 层,继之生长0.2微米厚的未掺杂的 InGaAsP 有源层(生长温度为602℃),再生长掺锌的3微米厚的 InP 层,最后生长掺锌的1微米厚的 InGaAsP 帽层(禁带宽度 E_g=0.95电子伏);淀积 SiO_2,沿<110>方向用射频溅射光刻技术刻出二氧化硅条,台面刻蚀直到 n 型 InP 层;二次液相外延掺锌 p 型 InP 层(2.5微米厚)和 n 型 InP     

低阈值基横模条形半导体激光器

本文利用等效折射率法对条形半导体激光器进行分析,得到确定条形激光器结构参数的公式,并对我们所研究的AlGaAs/GaAs BH激光器进行优化设计,得出最佳结构参数,最后给出实验测试结果,与设计要求相符。     

1.3μm InGaAsP/InP长寿命激光器

本交报道精心外延及光刻腐蚀,使外延片质量提高,器件的光电特性得到改善。最低闽值电流I_(th)=17mA,外微分效率η=25%(单面),最高连续激射温度为130℃,最大输出功率超过40mW。采用PbSn焊料改进制管工艺,提高了器件的可靠性。器件在25℃时的中值寿命为26万小时。     

1.3μm InGaAsP/InP长寿命激光器

本交报道精心外延及光刻腐蚀,使外延片质量提高,器件的光电特性得到改善。最低闽值电流I_(th)=17mA,外微分效率η=25%(单面),最高连续激射温度为130℃,最大输出功率超过40mW。采用PbSn焊料改进制管工艺,提高了器件的可靠性。器件在25℃时的中值寿命为26万小时。     

用液相外延生长的1.3微米InGaAsP/InP多量子阱激光器

我们用低温(T_g=589℃)液相外延生长技术二成功地制成了具有多量子阱有源层的1.3μm InGaAsP/InP双异质结构激光器.薄外延层的厚度小于De Brogile(德布罗意)波长.激光器的阈值电流为19mA,外微分量子效率为～40%,在—5℃～20℃范围内的T_0值为～145K;在20～70℃范围内的T_0值为～60K.     

1.3微米波长InGaAsP/InP双异质结面发光二极管

石英光纤在1.3μm波长处的损耗低达0.5dB/km,色散几乎为零。因此,工程实用系统广泛采用1.3μm波长的光纤传输系统。在可用的光源器件中,1.3μm面发光管是一种高可靠性、低成本的实用器件,能满足中、短距离光纤通信的要求。使用这种器件已建成了工作速率为274Mb/s、无中继传输距离8公里和400Mb/s、5公里的梯度多模光纤通信系统。近年来,具有1～2Gb/s超高速调制能力的面发光1.3