ADI业界首款单片RFVGA可提供1MHz～3GHz宽带增益和功率控制

近日，美国模拟器件公司(Analog Devices．Inc．简称ADI)推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作于无线基础设施设备一ADL5330是首款能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位的呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。     

用于拍照手机闪光LEDs的智能1A电荷泵

ADI推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作用于无线基础设施设备。ADL5330是首款能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA，它集成了宽带放大器和衰减器，比分立器件实现方案极大地节省印制电路板面积、减少元器件数量并且降低产品成本。其精密、以dB为单位呈线性的控制接口功能进一步简化和方便了电路设计。     

D-Link最新推出DI-602LB智能型双WAN口宽带路由器

美国模拟器件公司(Analog Devices，Inc．缩写ADI)推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作用于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。这些特点对于要求严格的无线电设计至关重要，而且从未在一颗单芯片集成电路(IC)中实现过。     

S波段GaAs单片可变增益放大器

用分析方法获取具有4个端口的双栅FET适用S参数进行设计,用微波单片集成电路技术制成增益30dB,可控增益大于65dB,二栅开关时间小于5ns的S波段单片可变增益放大器,封装后的尺寸为17.5mm×20mm×5mm。     

TI推出12V CMOS运算放大器OPA727

美国模拟器件公司(ADI)日前推出单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)ADL5330，它以RF功率水平作用于无线基础设施设备，能提供1MHz～3GHz带宽且具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。     

S波段GaAs单片可变增益放大器

<正>微波单片集成电路(MMIC)是新一代微波产品。它把有源和无源元件,采用可批量生产的集成技术制作在同一GaAs衬底上完成一定微波功能,具有成本低、产量高、可靠性高、体积小、重量轻等突出的优点。南京电子器件研究所1991年研制的MMIC产品WD64型S波段GaAs单片可变增益放大器如图1所示。其芯片尺寸为4.5mm×1.6mm×0.15mm,双栅     

0.8～8.5 GHz宽带单片低噪声放大器

利用负反馈放大器设计原理,采用GaAs PHEMT工艺技术,设计制作了一种微波宽带GaAs PHEMT低噪声放大器芯片,并给出了详细测试曲线.该放大器由两级组成,采用负反馈结构,工作频率0.8～8.5 GHz,整个带内功率增益19 dB,噪声系数1.55 dB,增益平坦度小于±0.7 dB,输入驻波比1.6,输出驻波比1.8,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm,芯片内部集成偏置电路,单电源 5 V供电,芯片具有良好的温度特性.该芯片面积为2.5 mm × 1.2 mm.     

单片无线收发一体芯片RF401及其应用

ＲＦ４０１是最新推出的单片无线收发芯片，该芯片集成了高频发射，高频接收，ＰＬＬ合成，ＦＳＫ调制，ＦＳＫ解调，多频道切换等功能，具有性能优异外围元件少，功耗低，使用方便等特点，可广泛应用于无线数据传输系统的产品设计中。     

ADI高性能RF／IF可变增益放大器

美国模拟器件公司（Analog Devices，Inc．，简称ADI）推出一种新的模拟控制可变增益放大器（VGA）AD8368，拓展了其射频（RF）集成电路的产品种类，这种VGA为无线基础设施应用领域，例如蜂窝基站RF收发器，提供了宽频率范围的高线性度。AD8368最适合于用来保持基站RF收发器的宽动态范围，     

单片集成的可变增益可见光接收机

为了实现可见光传输信号的接收,并尽可能减小接收机的体积,适应不同亮度下的传输,利用0.18μm CMOS工艺,自主设计光探测器、跨阻放大器、主放大器并集成于一片,形成单片集成的可变增益光接收机。经过软件模拟,激光入射测试以及实地的配合由可见光控制的智能家具系统的测试,证明该接收机拥有良好的接收效果并能适应可见光的低传输速率,且有较大的输入动态范围。     

X波段宽带单片集成低噪声放大器设计

采用负反馈三级级联方案,使用UMS公司的0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计制作了一个X波段宽带单片集成低噪声放大器.测试结果为: 5V单电源工作,在6～11.5GHz频率范围,增益>29.5dB,噪声系数<1.7dB.具有频带宽、低噪声、高增益、单电源应用等显著特点,特别适合大型相控阵雷达T/R组件中使用.     

用三段单片RF无线收发芯片nRF903设计无线数传平台

最新三段单片无线收发芯片 nRF903是集成了高频发射、高频接收、PLL合成、GMSK调制、GMSK解调和多频道切换功能的新无线收发器件，它性能优异，所需外围元件少，功耗低，使用方便。其最大的特点是多频段（433／868／915MHz)、多频点（电台多达170个），并可直接与单片机串口相连接，可广泛应用于无线数传产品的设计。     

可变增益的功率放大器单片微波集成电路

根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9 GHz频率范围内,1 dB压缩点输出功率大于33 dBm,当控制电压在-1~0 V之间变化时,放大器的增益在5~40dB之间变化,增益控制范围达到了35 dB。将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上,面积仅为3.5 mm×2.3 mm,具有灵活易用、集成度高和成本低的特点,可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。     

ZIC2410：单片ZigBee解决方案

CEL公司的ZIC2410是兼容ZigBee和IEEE802．15．4的完整单片无线解决方案。它包含一个带有基带调制解调器的RF收发器、硬连线MAC以及一个带有内部闪存的嵌入式8051微控制器。该器件提供多个通用I／O引脚、定时器和UART等外围设备功能，并且它是第一个提供嵌入式声音CODEC的器件，是超低功耗应用的理想选择。     

PMA71xx：单片多频带UHF发射器

英飞凌科技推出适用于无线控制应用的下一代高度集成化发射器IC。 全新SmartLEWIS MCUPMA71xx系列的所有型号，都装有一颗适用于1GHzISM子频的ASK／FSK多频带发射器，以及通过特定的嵌入式混合信号外设增强的8051微控制器。内装SmartLEWIS MCU的遥控器可采用无线射频（RF）技术取代目前常用的红外发射技术，克服视距通信的缺点。     

一种应用于双载波正交频分复用的超宽带单片射频收发机

本文给出了一种用于双载波正交频分复用的超宽带单片射频收发机芯片。该芯片采用直接变频结构,片内共集成了两路接收机,两路发射机,一个双载波频率综合器并提供控制收发机工作状态的三线串行接口。此芯片使用台积电 0.13 微米射频CMOS工艺制造,尺寸为 4.5mmx3.6mm。测试结果表明：该收发机的接收机链路噪声系数为 5~6.2dB,最大增益为 78~84dB,可变增益为 64dB,带内和带外三阶交调点分别为-6dBm和 4dBm,在所有频带上都获得良好的输入匹配（S11<-10）;该收发机的发射机最大可输出-5dBm 功率,带内主要杂散均小于 -33dBc（镜像抑制<-33dBc,载波泄露<-34dBc）,典型的输出三阶交调点为 6dBm;该收发机的双载波频率综合器可以同时输出两路频率可独立配置的载波信号,其跳频时间小于1.2ns。在1.2V单电源供电下,整个射频芯片消耗最大电流为420mA。     

5~22GHz平坦高增益单片低噪声放大器

使用0.25μm G aA s PHEM T工艺技术,设计和制造了性能优良的5-22 GH z两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GH z内,测得增益G≥18 dB,带内增益波动ΔG≤±0.35 dB,噪声系数N F≤3.2 dB,输入输出驻波V SW R≤1.7,最小分贝压缩点输出功率P1dB≥10.5 dBm,电流增益效率达2.77 mA/dB。测试结果验证了设计的正确性。     

ISM波段单片FSK无线收发器AT86RF211

本文介绍了ISM波段单片FSK无线收发器AT86RF211的工作原理及其实际应用。     

RF至IF混频器扩展无线基础设施产品组合

Fll50和Fl152与低噪声数宁控制IF可变增益放大器F1200N得益影，F1200是IDT不断增加的RF信号通道产品中最近推出的产品。这些产品利用IDT的模拟专长和丰富的数字经验，以提供可优化客户应用的系统级解决方案。