硼含量对50SiMnVB钢冲击功的影响

硼含量对５０ＳｉＭｎＶＢ钢冲击功的影响赵金茹殷涛王新瑞（内蒙古金属材料研究所，包头０１４０３４）本文用透射电镜研究分析了５０ＳｉＭｎＶＢ钢加入不同少量的硼后，再经各种不同热处理制度处理碳化物形状、分布状态对冲击功的影响。５０ＳｉＭｎＶＢ钢也是近几年发...     

硼含量对钙硼硅系微晶玻璃性能的影响

采用高温熔融法,制备了不同硼含量(w(B2O3)为30%～40%)的CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃。考察硼含量对该体系微晶玻璃熔制过程中B2O3挥发率及其性能的影响。结果表明:随w(B2O3)增加B2O3挥发率增大,从4.27%增至6.91%。w(B2O3)为35%时,试样的烧结温度范围较宽,在最佳烧结温度850℃下,体积密度为2.54g/cm3;10MHz下,εr为6.42,tanδ为9×10–4;试样的εr随w(B2O3)变化不大,处于6.2～6.5,w(B2O3)为30%或40%时,tanδ显著增大至10–2量级。     

激光冲击提高45钢疲劳寿命的研究

激光冲击45钢的表面硬度提高了大约32％，硬化层深度约为100μm，在离表层大约30～40μm处硬度达到最大，平均疲劳寿命提高了60％左右，在置信度为95％时，激光冲击强化试件的中值疲劳寿命是未冲击试件的1.11～2.133倍。     

SiO2含量对硼硅酸盐-锂辉石玻璃性能的影响

主要以SiO2含量对硼硅酸盐-锂辉石玻璃性能进行了研究,通过调整配比,得出一种低烧、低介的性能优良的玻璃粉末。当硅含量为80.95(摩尔比)的介电常数ε为4.3,介质损耗tgδ为1×10-3,该玻璃的软化温度为665℃。     

滤波带宽对冲击响应谱的影响研究

目前利用冲击响应谱作为参考的冲击实验在国防事业、国家经济生活中得到广泛的应用,冲击响应谱也成为国防事业和经济生活中重要的参考标准,分析对冲击响应谱造成影响的因素,将有利于对冲击响应谱规范,为更好实现冲击实验提供精确的参数设置。实验过程中为了得出冲击信号滤波带宽对冲击响应谱的影响,利用霍普金森杆产生高g值,窄带宽的冲击信号,再结合信号分析软件对得到的数据进行处理,得出滤波带宽影响冲击响应谱的等冲区的结论。     

激光冲击对球墨铸铁表面性能的影响

应用人工神经网络理论,合理选择激光冲击参数,对球墨铸铁QT450-10进行了激光冲击试验,并用扫描电镜和数显硬度仪等进行了分析。结果表明激光冲击使球墨铸铁的表面性能得到明显改善,冲击区表面的平均硬度随冲击次数(1～4)的增加分别增加了34.56％～53.02％,硬化层深约为0.31mm～l47mm。     

硼硅玻璃掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响

研究结果表明 ,硼硅玻璃料的掺入超过一定量时会使压敏电场上升。当玻璃料含量占初始配方总质量的 5 %时 ,压敏电场最小 ,非线性系数最小 ,漏电流最大 ;当玻璃料含量占 5 %～ 10 %时 ,随玻璃料掺入量的增加 ,非线性系数明显上升 ,漏电流迅速减小 ,压敏电场迅速上升。     

激光冲击对金属材料机械性能的影响

用高功率钕玻璃激光装置对铝合金2024T62进行激光冲击处理,激光参数:脉冲宽度(FWHM)为30ns,单脉冲能量为16.5～27.5J,功率密度为1.1～1.6GW/cm2.试验结果表明:激光冲击区的表面硬度提高42%,激光冲击区表层的晶粒得到细化,并且大幅度地提高了铝合金的疲劳寿命,在95%置信度下,激光冲击试件的中值疲劳寿命是未冲击试件的5.4～14.5倍。     

硼掺杂对a-Si薄膜电导率及太阳电池效率的影响

对等离子增强化学气相沉积技术(PECVD)低温制备的非晶硅(a Si)薄膜的电导率随B掺杂浓度的变化规律进行了研究。结果表明:当B2H6/SiH4由0.6%增加到0.8%时,a Si薄膜的暗电导率由10-5(Ω·cm)-1急剧增加到10-1(Ω·cm)-1;进一步增加B2H6/SiH4时,暗电导率增加缓慢;当B2H6/SiH4大于1.0%时,暗电导率急剧下降。对B2H6/SiH4为1.0%及1.2%的P层材料制备的太阳电池的研究结果表明:采用B2H6/SiH4为1.2%的光电转换效率优于1.0%。     

激光冲击成形对板料表面质量的影响

利用0.5mm厚铝板和304不锈钢板作为试样进行激光冲击成形，试验发现激光诱导的冲击波在使板料发生塑性变形的同时，还可以显著降低板料前后表面的粗糙度。根据板料激光冲击成形的特性，从理论上分析了板料背面粗糙度降低的机理。分析表明一方面是由于应力波在板料背面的微尖峰中传播时，应力波发生反射和透射，随着尖峰的截面积逐渐减小，透射压缩波和反射拉伸波的强度逐渐增加，当反射拉伸波的强度大于材料的动态强度极限时引起了微尖峰的断裂；另一方面由于激光冲击成形中板料的高速运动，在背面的空气中形成高压背压，板料背面的微尖峰受到空气背压的压缩而发生塑性变形。由于表面微尖峰的断裂和塑性变形使尖峰高度降低，因而表面质量得到提高。     

Cr含量对低碳合金钢在腐蚀条件下冲击和磨损特性的影响

含Cr量不同的低碳合金钢的冲击腐蚀和磨损特性在冶金工业的模拟工作状况下是由混合层深度为10的冲击腐蚀磨损试验机来检测的。该浆料是由Ph值为2.5的稀硫酸和直径为1.7～3.3mm的铁矿石混合而成,冲击能为1.2J。通过分析磨损表面的形态和样品次表层的金相组织,来分析3种钢制样品的冲击腐蚀和磨损特性。实验结果表明,在冲击能为1.2J条件下,含Cr量为3%的低碳合金钢的冲击腐蚀和磨损特性是疲劳磨损变形。含Cr量为6%的低碳合金钢由于短时间的累积变形而产生裂纹,由于长时间的多塑性变形而产生表面材料的脱落,而含Cr量为9%的低碳合金钢的疲劳磨损特性是多塑性变形。低碳合金钢的质量损失随Cr含量的增加而减少,低碳钢的耐磨性随Cr含量的增加而提高。     

激光冲击范围对小孔构件疲劳性能的影响

激光冲击强化能够有效地提高孔结构零件的疲劳寿命。试验中采用较大的冲击区域范围对试样进行激光冲击强化后,发现试样的疲劳寿命降低甚至出现负增益。为此采用有限元分析和试验的方法,研究单面激光冲击范围对铝合金小孔件残余应力场以及疲劳寿命的影响。研究结果表明:激光冲击范围的增大,导致试样沿孔壁方向的应力分布变差,并且残余压应力影响层的深度降低;同时对疲劳拉伸后试样的断口观察发现,随着冲击范围的增大,疲劳裂纹源的位置也随之发生内移。因此对于小孔构件的激光冲击强化,应严格控制激光冲击范围以提高小孔构件的抗疲劳性能。     

球磨时间对硼硅玻璃基复相陶瓷性能的影响

采用经过不同球磨时间制备的硼硅玻璃与氧化铝复合,低温烧结制备了硼硅玻璃/氧化铝系复相陶瓷.利用XRD和SEM,研究了硼硅玻璃粉料球磨时间对流延成型及所制复相陶瓷的烧结性能、介电性能(10MHz)的影响.结果表明:随着球磨时间增加,粉料粒径减小,硼硅玻璃复相陶瓷烧结温度降低,密度增加,介电常数和介质损耗降低.球磨90 m...     

脉冲冲击对ZnO功能陶瓷性能及微观结构影响

研究了不同配比ZnO-Al2O3陶瓷电阻率变化规律及小电流(100mA¹A)下伏安特性,最小非线性系数为1.10(掺入Al2O3摩尔分数为2.0%)。采用无毒环氧树脂封装样品,2ms方波脉冲冲击。在高能脉冲冲击下,电阻值从2.8Ω减小到0.89Ω,能量密度为887.8J/cm3。     

通过优化额外的硼注入工艺减小STI对SONOS存储器的影响

The influence of shallow trench isolation (STI) on a 90 nm polysilicon–oxide–nitride–oxide–silicon structure non-volatile memory has been studied based on experiments. It has been found that the performance of edge memory cells adjacent to STI deteriorates remarkably. The compressive stress and boron segregation induced by STI are thought to be the main causes of this problem. In order to mitigate the STI impact, an added boron implantation in the STI region is developed as a new solution. Four kinds of boron implantation experiments have been implemented to evaluate the impact of STI on edge cells, respectively. The experimental results show that the performance of edge cells can be greatly improved through optimizing added boron implantation technology.     

双碱金属氧化物对钙硼硅微晶玻璃性能的影响

向CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃中添加双碱金属氧化物Na2O和Li2O。研究了Na2O和Li2O的总体质量分数和二者的质量比对玻璃试样性能的影响。采用DSC、XRD、SEM分析了玻璃的性能和微观形貌。结果表明:烧结后试样晶相主要为硅灰石;当w(双碱金属氧化物)为1.5%,ζ(Na2O∶Li2O)为2∶3时,试样能在950℃烧结,εr为6.16,tanδ为3.5×10–3(1MHz)。     

锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响

通过单步长时间退火(650～1150℃/64h)和低高两步退火(650℃/16h+1000℃/16h和800℃/4～128h+1000℃/16h),研究锗对重掺硼硅(HB-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,经过退火后,掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅,这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成,并对相关的机制做了初步探讨.     

锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响

通过单步长时间退火(650～1150℃/64h)和低高两步退火(650℃/16h 1000℃/16h和800℃/4～128h 1000℃/16h),研究锗对重掺硼硅(HB-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,经过退火后,掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅,这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成,并对相关的机制做了初步探讨.