异桥联(μ-Cl和μ-OCH3)双核铜 (Ⅱ)配合物磁偶合体系中桥联原子的轨道互补效应

采用密度泛函结合对称性破损(DFT-BS)方法,研究了异桥联(μ-Cl和μ-OCH3)双核铜(Ⅱ)配合物磁偶合体系中桥联原子轨道相互作用.计算结果表明,两个桥联配体原子轨道对反铁磁性偶合,表现为轨道互补效应.这种互补效应不仅表现在磁偶合作用的一致性,而且表现在对磁偶合贡献的加合性.分子轨道和自旋集居数分析都很好解释了计算的结果.     

异桥联(μ-Cl和μ-OCH3)双核铜 (Ⅱ)配合物磁偶合体系中桥联原子的轨道互补效应

采用密度泛函结合对称性破损(DFT-BS)方法,研究了异桥联(μ-Cl和μ-OCH3)双核铜(Ⅱ)配合物磁偶合体系中桥联原子轨道相互作用.计算结果表明,两个桥联配体原子轨道对反铁磁性偶合,表现为轨道互补效应.这种互补效应不仅表现在磁偶合作用的一致性,而且表现在对磁偶合贡献的加合性.分子轨道和自旋集居数分析都很好解释了计算的结果.     

异桥联(μ-Cl和μ-OCH_3)双核铜(II)配合物磁偶合体系中桥联原子的轨道互补效应

采用密度泛函结合对称性破损(DFT-BS)方法,研究了异桥联(μ-Cl和μ-OCH3)双核铜(II)配合物磁偶合体系中桥联原子轨道相互作用。计算结果表明,两个桥联配体原子轨道对反铁磁性偶合,表现为轨道互补效应。这种互补效应不仅表现在磁偶合作用的一致性,而且表现在对磁偶合贡献的加合性。分子轨道和自旋集居数分析都很好解释了计算的结果。     

横场下Ising变磁体的基态性质

采用平均场理论研究了横场下双子晶格Ising变磁体的基态磁性质,计算了基态能量、纵向交错磁矩、纵向磁化率、横向磁矩等重要物理量·分别计算了施加不同横向磁场Ω时纵向交错磁矩ms,z0,纵向磁化率χt,z0和横向总磁矩mt,x0随纵向磁场的变化·结果表明,横向磁场的作用使系统的自旋由与平面垂直方向朝着与平面平行方向偏转,从而阻碍了自旋沿与平面垂直方向的反转·给出了纵向磁场h与横向磁场Ω平面的基态相图,确定了三相点的位置为hi=0 3578,Ω=0 7156·计算表明,在横向磁场较小而纵向磁场较大时,系统发生一级相变;在横向磁场较大而纵向磁场较小时,系统发生二级相变;横向磁场对Ising变磁体的基态...     

导桥联（μ-CI和μ-OCH3）双核铜（II）配合物磁偶合体系中桥联原子的轨道互补效应

采用密度泛函结合对称性破损（DFT—BS）方法，研究了异桥联（μ-CI和μ-OCH3）双核铜（II）配合物磁偶合体系中桥联原子轨道相互作用。计算结果表明，两个桥联配体原子轨道对反铁磁性偶合，表现为轨道互补效应。这种互补效应不仅表现在磁偶合作用的一致性，而且表现在对磁偶合贡献的加合性。分子轨道和自旋集居数分析都很好解释了计算的结果。     

垂直位型中反铁磁体系线性磁化率随磁场变化规律分析

磁化率是描述磁性介质属性的物理量,决定着磁性体系的长波动力学特性和磁光性质。对于反铁磁体系而言,可以通过控制外加稳恒磁场来改变反铁磁体系动力学性质,并改变它的电磁性质及光学性质。因此,有外加磁场存在下的线性与非线性磁化率的计算就具有了普适意义。随着对反铁磁体系光学性质研究的不断深入,对于磁化率的表述也成为研究线性与非线性问题的重点,在外磁场中反铁磁体磁化率的推导是一个复杂而繁琐的工作。采用典型的双子格反铁磁体为计算模型,推导了外场垂直磁化下反铁磁体的一阶线性磁化率,同时考虑了有阻尼作用存在,通过一阶线性磁化率求解可以得出当外场存在时反铁磁体的共振频率。这为以后深入研究反铁磁体系的入射、反射和透射性质提供了理论依据。     

超导金属小粒子的顺磁磁化率

从约化BCS哈密顿量出发．采用配分函数的路径积分表示方法，在静态路径近似(SPA)方法下，考虑准粒子的热涨落以及能级的统计效应对超导纳米粒子的电子磁化率的影响，计算了弱磁场中的超导金属小粒子的顺磁磁化率，并做了分析．     

构成正交归一杂化轨道的简便方法

众所周知,L.Pauling在三十年代提出的原子轨道杂化,就是指孤单原子在形成分子的过程中不同原子轨道的混杂。混杂后所得的原子轨道称为杂化轨道。应用轨道重叠的方法研究分子结构时,原子轨道的杂化具有特别重要的意义。它是解释分子的几何构型,偶极矩,力常数及键矩等分子性质的有力工具。此外,在分子轨道理论的计算中,也应用杂化轨道。因此,原子轨道的杂化是个重要的概念。由于研究原子轨道的杂化需要一些群论的     

有限粒子数费米系统温度对顺磁性的影响

根据弱磁场中理想费米气体的粒子数N+的几率分布函数G(β,N+),运用理论解析与数值模拟相结合的方法,研究了有限粒子数理想费米系统的泡利顺磁性,给出了粒子数临界值和上界磁场的解析式,分析了温度和粒子数对顺磁性的影响.研究表明,温度趋于费米温度时,极限磁化率与平均磁化率的偏差减小;当温度高于费米温度时,极限磁化率与平均磁...     

高磁场下顺磁性NdF3介质的磁特性

理论计算了高磁场下顺磁性NdF3的磁特性。理论分析表明,顺磁性NdF3的分子场系数v〈0。在高于奈尔温度的一段温度区域内,随着温度的上升,NdF3介质的磁化率χ会发生急剧变化,同时引起磁亚晶格结构异乎寻常的变化,理论与实验结果较为吻合。     

势阱中旋转费米气体的磁性质

采用准经典近似研究简谐势阱中旋转费米气体磁性质,以磁场中的带电荷费米气体为例,导出了体系的热容量和内能表达式,得到了磁场强度和磁化率随外加磁场的变化关系.     

圆盘形双层膜系统中的交变逆自旋霍尔效应

以铁磁体Py与顺磁金属Pt构成的圆盘形双层膜系统为研究对象,在垂直于界面的磁化建立后,沿盘面的激发场可以泵浦自旋流从铁磁体进入顺磁金属,由于逆自旋霍尔效应,发现系统中不存在直流电压,只存在交流电压。通过沿不同方向的测量可以区分逆自旋霍尔效应诱致的交流电压和激发磁场自身诱致的交流电压。计算了逆自旋霍尔效应诱致的交流电压大小和激发磁场自身诱致的交流电压大小对外磁场的依赖性,发现在铁磁共振时,逆自旋霍尔效应诱致的交流电压大小达到最大,而偏离共振磁场后,交流电压大小很快衰减;而激发磁场自身诱致的交流电压大小随外磁场的增大而增加。其次,研究了在不同位相差下,在垂直于激发场方向总的交流电压大小对外磁场的依赖性,发现交流电压大小随着两者之间相位差的变化在共振点附近变化很明显;进一步在共振点附近,计算了总的交流电压大小对相位差的依赖性,发现相位为0时,交流电压达到最大;而相位为π时,交流电压达到最小。最后,文章还计算了交流电压大小对激发功率的依赖性,发现不同于直流电压与激发功率P成正比的情况,两种类型的交流电压都与P~(1/2)成正比。     

反铁磁系统(S=5/2)中外磁场诱导的相变

讨论了在外磁场下自旋为S＝5／2的反铁磁三角晶格的静态磁化率与8温度的关系，当不存在磁场时，磁化率曲线在温度TN1处出现一个峰，加上外磁场时磁化率曲线又在TN2处出现一谷，在TN2处的相变是由外磁场诱导的，磁化率与外磁场的变化曲线存在一个连续区，对应实验上磁化率的1／3（S＝1／2）或1／2（S＝1）平台。     

〔1,3〕同面迁移过程中的分子轨道界面图

采用唐敖庆提出的HMO模型.算得[1,3]б同迁移过程中分子轨道能量及系数随反应坐标变化.但对反应坐标入=0.5时出现的偶然简并性相应的前线轨道,采用陈志行等的系数.对过渡态的分子几何,采用MNDO全几何优化计算结果.加上其它分子几何及原子轨道补充暇设.绘制了反应过程中分子轨道界面图.     

铁磁材料应力-磁化性能的相关性

针对受外力作用的铁磁材料,应用微磁学理论,从最小能量原理出发,采用拉格朗日乘子法推导了应力作用下的应力-磁化矢量的描述方程,得出应力-磁化率关系表达式。以条形单晶铁为例,编写三维有限元程序,计算得出应力平行和垂直于外磁场情况下单晶铁磁体内部的磁化矢量分布及应力-磁化率关系曲线,计算结果表明在应力作用下磁化矢量发生偏转,受拉时磁化矢量向外磁场方向偏转,磁化增强,磁化率随应力增加而增大;受压时磁化矢量向背离外磁场方向偏转,磁化减弱,磁化率随应力增大而减小;且各向异性磁化率与应力施加方向相关。     

磁场对液态物质分子的作用机制

分析了磁场对运动电偶极子、磁偶极矩以及各向异性的抗磁分子的排列取向作用。探讨了磁处理过程中,液态物质在管道中的分层流动使得磁场对于结构和磁性均为各向异性的抗磁物质分子诱导排列的可能性。用磁场对抗磁性物质分子的取向作用进行解释,磁处理效果与磁场梯度有关。磁场梯度越大,分子运动时磁场变化引起的感应电场对分子中电子产生的作用力越大,从而产生较强的抗磁性及抗磁各向异性,有利于分子的排列取向     

基于分子磁化率性质的电磁流量计误差

采用电磁学和结构化学原理剖析了用于石油"三采"聚合物液流的电磁流量计计量误差原因,从分子磁化性质的角度解释了由于不同溶液的磁化率性质不同所造成的电磁流量计计量误差的现象.结合公式和实验说明了不同溶液在电磁流量计励磁磁场的作用下发生磁化而导致电磁流量计原励磁磁场强度发生变化的误差机理.通过论证和实验证明,不同磁化率性质的溶液在通过励磁磁场时将会不同程度的改变原磁场强度,因此不同溶液在同一电磁流量计磁场的作用下其感应电动势的响应值是不同的.     

半球型线圈阵列聚焦磁场计算与性能优化

为提高聚磁装置的电磁性能,提升经颅刺激、肿瘤治疗等领域的医疗效果,提出一种半球型线圈阵列结构及优化设计方法.根据电磁场理论建立了聚焦磁场解析计算模型,利用电磁场数值计算方法计算聚焦磁场,验证了解析模型的正确性,揭示了聚焦磁场的分布规律,给出了主要结构参数的灵敏度评价.根据优化目标和约束条件,利用解析模型和智能优化算法(NSGA-Ⅱ)对聚磁线圈阵列开展优化设计,得到满足热性能和聚磁性能等指标的设计结果.建立了聚磁线圈阵列原理样机并开展实验研究.优化计算结果、有限元计算结果及实验结果对比表明:聚焦磁场解析计算模型的计算误差约2%～3%,半球型线圈阵列布置合理,聚焦磁场满足范围、梯度以及幅值要求,采用NSGA-Ⅱ优化设计有效提高了线圈阵列的聚磁性能.     

磁场对液态物质分子的作用机制

分析了磁场对运动电偶极子，磁偶极矩以及各向异性的抗磁分子的排列取向作用，探讨了磁处理过程中，液态物质在管道中的分层流动使得磁场对于结构和磁性均为各向异性的抗磁物质分子诱导排列的可能性，用磁场对抗磁性物质分子的取向作用进行解释，磁处理效果与磁场梯度有关，磁场梯度越大，分子运动时磁场变化引起的感应电场对分子中电子产生的作用力越大，从而产生较强的抗磁性及抗磁各向异性，有利于分子的排列取向。     

均匀磁场中电子的极化矢量

研究均匀磁场中电子的极化矢量、磁矩、能量和顺磁磁化率的统计平均值,以及在低温、强磁场极限和高温、弱磁场极限下的统计行为.