PECVD淀积SiO_2薄膜工艺研究

研究了等离子增强化学气相淀积（PECVD）制备非晶SiO2薄膜的工艺。系统地研究了反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强、淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜质量的影响,采用椭偏仪测量了不同工艺条件下淀积的SiO2薄膜的厚度和折射率。根据以上测试结果分析了各工艺参数对SiO2薄膜淀积速率、折射率以及均匀性的影响规律,并定性讨论了其机理。找到了比较合适的制备高均匀性和典型折射率SiO2薄膜的工艺参数。     

多弧离子淀积TiO_2气敏薄膜材料

介绍了采用多弧离子镀设备．在玻璃基片上沉积ＴｉＯ２薄膜材料的制备技术。掺杂方法简单实用．采用ＳＥＭ、ＸＲＤ等对薄膜的结构和成分进行了观察和分析，用方形四点探针法测量了薄膜的电导率并对薄膜的气敏性能进行了初步研究。结果表明，ＴｉＯ２膜的组织致密，主要为金红石相结构．ＴｉＯ２薄膜在３００℃下对Ｏ２有较好的选择性．     

化学汽相淀积多晶硅薄膜生长的动力学描述

本文对化学汽相淀积生长多晶硅的过程作了定性描述,经过若干简化后,提出了多晶硅成核模型,根据“液滴”模型进行了晶体生长动力学的分析,此结果在低温成核,高温生长情况下成立。本文未涉及掺杂多晶硅膜的生长问题,它将在另文中讨论。     

CVD淀积SiC薄膜SiH4,CH4的分解反应的计算机模拟研究

采用化学气相淀积淀积ＳｉＣ薄膜中ＳｉＨ４、ＣＨ４的分解产物种属进行数学建模,并结合相关热力学数据进行计算机模拟,得出ＳｉＨ４分解产物中以ＳｉＨ２为最多,ＣＨ４以ＣＨ２为最多,表明它们在淀积薄膜中是主要因素。     

TiO2薄膜制备及其气敏特性

NO2是一种强毒性气体,本文利用了溶胶一凝胶法在硅片及陶瓷管上制备TiO2纳米薄膜,并探讨了在制备过程中不同的因素对薄膜成膜质量的影响。并用马弗炉对硅片及陶瓷管上制备的TiO2纳米薄膜进行不同温度的退火处理。对其分别进行XRD的分析,和原子力显微镜分析。利用气敏测试系统对不同的退火温度下的气敏元件进行测试。研制出工作温度低,气敏特性强,响应恢复特性好的基于TiO2的NO2气敏传感器。     

PECVD 工艺中氮化硅薄膜龟裂研究

PE 氮化硅薄膜优异的物理、化学性能使其在半导体分立器件、IC 电路中常被用作绝缘层、钝化层而使用。然而,氮化硅龟裂问题是影响其作为钝化层使用的阻碍因素,因此,科学的氮化硅工艺条件对其薄膜质量的影响非常关键。给出了等离子体化学气相淀积（PECVD）氮化硅薄膜技术的原理,通过实验验证,确定了诱发氮化硅龟裂现象的原因,优化工艺条件,确定了 PECVD氮化硅的最佳工艺条件,杜绝了龟裂现象对氮化硅作为钝化层使用的影响。     

低气压气体放电电子束淀积 类金刚石薄膜 的光学特性

介绍一种新的淀积DLC膜的方法,并详细研究了该膜的光学特性.结果表明它对紫外辐射的透射率很低,但在可见与红外区则是透明的,同时CH_4的流量与基底温度对膜的特性有重要影响.     

SnO2超微粒薄膜气敏元件的研制与测试

用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO_2超微粒薄膜,溅射过程中适量掺Pd,用IC技术制成气敏元件.实验结果表明:该元件在90℃左右时对氢气有极高的灵敏度,是一种薄膜化、集成化、高选择性的气敏元件.本文介绍薄膜制备、微观结构分析、元件设计及气敏特性测试.     

射频溅射—热处理法研制SnO2薄膜

本文比较详细地研究射频溅射Sn膜—热处理氧化制备SnO_2薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响,得到了采用该新工艺制备SnO_2薄膜的最佳条件:首先采用350W×0.10Pa×20min的射频溅射工艺制备 β-Sn膜;然后采用在550～650℃温度条件下保温2～3h的热处理工艺制备出SnO_2薄膜。X-射线衍射实验结果表明,在该工艺条件下可以得到非常细小均匀的纳米级SnO_2晶体结构,为薄膜型SnO_2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。     

TiO_2/V_2O_5双层薄膜的TMA气敏特性研究

报道了以TiCl4 和V2 O5为源 ,采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)和溶胶 -凝胶 (sol-gel)技术制备了TiO2 /V2 O5双层薄膜 ,将该薄膜沉积在带有金梳状电极的陶瓷管和硅片上 ,进行了X射线衍射(XRD)分析 ,并且测量其对三甲基胺 (TMA)的气敏特性。结果发现该双层薄膜对TMA具有高灵敏度、良好的选择特性和快速的响应恢复特性。     

光纤传感用的TiO_2/V_2O_5湿敏光学薄膜

用溶胶-凝胶法制备TiO2／V2O5光学薄膜，研究了它的湿敏光学特性，并用表面吸附理论、电子理论解析了湿敏-光学特性机理。     

薄膜型TiO_2氧传感器响应时间的测试与研究

讨论了氧分压测试的原理、方法，利用计算机实现了数据采集自动化．用Ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备出了薄膜型ＴｉＯ２氧传感器，并对传感器的响应时间进行了测试与分析，发现温度和催化剂对其响应时间有很大的影响．     

S枪制备的SnO2气敏薄膜分析

本文主要介绍采用S枪磁控反应溅射技术制备SnO_2气敏薄膜材料.运用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X衍射仪、俄歇电子能谱仪及X光电子能谱仪进行了SnO_2薄膜表面形貌、晶格结构分析,并与不同工艺条件下的组分分析比较,为选择SnO_2薄膜制备工艺提供了重要的实验依据.     

一种微型平面薄膜型酒敏器件的研制

粉末溅射有制靶简单、掺杂容易的特点,并有掺杂稳定的优点.利用反溅,发展了粉末溅射,制备了酒敏微型平面薄膜.对薄膜的相关特性进行了研究,给出了薄膜最佳掺杂范围、最佳灵敏度的膜厚以及响应时间与恢复时间随膜厚变化的规律,总结了最优参数.又测试了器件性能,通过实验对影响灵敏度测试的条件如测试电压和湿度影响灵敏度的规律进行了分析和讨论.结论认为,所研制的粉末溅射微型薄膜酒敏器件性能可靠、灵敏度高、稳定性好.     

碳膜低温传感器的研制

报道了一种体积小、热容低、灵敏度高、热响应速度快、不易受强磁场影响的新型碳膜电阻低温传感器。介绍了这种传感器的制备结构和性能测试方法。给出了其电阻-温度特性和热响应时间的测试结果。     

二氧化锡薄膜气敏传感器对常见室内污染气体的 电阻2温度特性及机理分析

采用无机试剂(SnCl2·2H2O)为原料,用溶胶-凝胶提拉法制备了二氧化锡薄膜及相应的气敏传感器,并研究了二氧化锡薄膜气敏传感器在常见室内污染气体气氛中的电阻-温度变化关系.结果发现不同气氛下电阻-温度特性各不相同,由此可以获得被测气体的相关信息.本文还用分子轨道计算软件对四种室内污染气体的分子轨道进行了计算,并根据分子轨道能级的相对位置定性解释了二氧化锡薄膜气敏传感器在不同气氛中的电阻-温度曲线.通过对甲醛、苯、甲苯、二甲苯四种气体电阻-温度曲线的测试可以确定被测气体的种类.     

气体传感器中的厚薄膜技术

厚薄膜技术已广泛用于制作气体传感器,在气敏技术中起重要作用。综述了在气体传感器制造中使用的厚薄膜技术,包括厚膜、薄膜、超微粒子薄膜和LB膜技术。     

半导体有机膜测试电路

采用两种不同的方法测试有机半导体薄膜气敏传感器。实验表明CuPc对NH_3、O_3、No_2等气体有较高的灵敏度。