有机硅浸渍漆研究进展

概述了国内外有机硅浸渍漆的制备研究进展和发展现状,对有机硅浸渍漆的改性方法进行了介绍,展望了有机硅浸渍漆的发展趋势,具有高导热、耐热、耐高压、节能环保等性能的加成型无溶剂有机硅绝缘漆将是未来发展方向.     

聚氨酯改性用有机硅的种类及其改性机理

聚氨酯改性用有机硅的种类有4种,分别对这4种有机硅共聚改性聚氨酯的研究进行了论述,介绍了复合材料的改性机理、性能和应用。     

碳纤维水泥基复合材料导电机理的探讨

通过研究水泥基体的导电性能和不同纤维掺量、外力作用下及掺入骨料后的碳纤维水泥基复合材料的导电性能,探讨碳纤维水泥基复合材料的导电机理.研究表明,水泥基体的电阻随水化时间显著增加,其导电机理是强电解质溶液的离子导电;碳纤维水泥基复合材料的电阻率随纤维掺量增加而显著降低,其电导由接触导电、隧道导电和离子导电3种机制共同决定;碳纤维水泥基复合材料在压力作用下,电阻率因界面接触的改善和纤维搭接概率的增加而降低,在拉力作用下,电阻率因纤维的拔出、折断而提高;骨料的引入增加了复合材料的电阻,这是由于骨料增加了纤维分散的难度和折断的概率,同时阻碍了纤维的搭接并提高了隧道势垒.     

漆酚醌铁（Ⅱ）螯合物形成机理的研究

采用ESR、IR、元素分析、磁化率测定等分析手段和有关的化学方法,探讨了漆酚与FeCl_3形成漆酚醌铁(Ⅱ)螯合物的过程。在这个过程中,漆酚与FeCl_3首先形成漆酚铁(Ⅲ)配合物,继而,该配合物的中心离子与配位体间发生氧化还原反应,并进一步生成黑色的漆酚醌铁(Ⅱ)螯合物。     

有机硅非离子表面活性剂SD-5物理化学性质的研究

研究了一种结构复杂、具有特殊用途的新型有机硅非离子表面活性剂(商品名SD-5)在溶液表面上的吸附特性和对二甲基黄(DMAB)的增溶作用,并考察了各种电解质时SD-5溶液的浊点和增溶作用的影响.     

用热分析法提高缩醛漆的性能

本文利用热分析的方法,从若干种缩醛漆的配方中筛选出一改进配方。该配方的缩醛漆与现在国内生产的缩醛漆相比,组分少,工序减化,性能优良。成本降低。     

P^＋掺杂浓度分布对硅半导体器件正向特性的影响

为提高硅半导体器件的正向导电特性,文中对器件浓硼扩散、磷扩散和烧结铝电极后P~+-P区掺杂浓度分布、少子寿命等因素的影响进行了实验研究.结果表明:对于烧铝电极器件浓硼扩散改善压降作用主要取决于能否提高器件的少子寿命;磷扩散工艺不当,引起结片阳极面反型,会造成正向压降过高而导致废品;采用烧结铝电极工艺形成的器件,铝硅接触处半导体表面浓度约为10~(18)个/cm~3,与原始表面浓度无明显关系;用P~+取代P~+-P区对降低压降明显有效.对以上实验结果,作者应用P—N结正向导电理论进行了分析和研讨.     

电力电子器件表面溅射膜的保护机理研究

本文研究了用直流硅靶溅射反应法制备的溅射膜的导电特性和表面屏蔽作用,得出低含氧气氛下(O_2/Ar<30%)生成的溅射膜是一种半绝缘性的含氧非晶硅.它用于电力电子器件表面作内层保护能屏蔽外界电荷,因而可以大幅度提高器件的耐压稳定性.     

电阻型湿度传感器伏安特性测试及其导电机理

测试了电阻型湿度传感器在低湿和高湿区的伏安特性，并根据伏安特性的测试数据，分析了该湿度传感器的导电机理，结果表明，在低湿区，其主要导电载流子是电子；在高湿区，其主要导电载流子是湿敏材料中的去离子。     

聚二硫二丙烷磺酸钠对铜电沉积过程的表面作用机理研究

酸性镀铜溶液中表面活性剂聚二硫二丙烷磺酸钠的表面作用机理表现为：吸附态的聚二硫二丙烷磺酸钠与Ｃｕ＋形成表面络合物阻化铜离子的电沉积．铜的电结晶过程符合二维圆盘状瞬时成核模式     

表面品格振动的高分辨电子能量损失谱研究

阐述了利用高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究表面晶格振动的原理和方法,结合2种不同类型的半导体GaAs(110)和Si(111)表面声子谱的实验观察,讨论了表面声子谱的特征。确定了GaAs(110)剖理面在液氦温度下及Si(111)剖理面在室温下的表面声子能量分别为35.6和56meV,其1次增值峰对损失峰的相对强度分别为0.002和0.1。     

半导体表面吸附分子的表面增强喇曼散射

本文介绍了半导体材料表面吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)研究工作.至今,人们主要在二类半导体材料表面进行了SERS 实验:一类是半导体材料表面吸附分子的SERS 实验;另一类是被银修饰了的(silver-modified)半导体材料表面吸附分子的SERS 实验.文章还简单介绍了对半导体材料表面SERS效应所作的理论解释.最后对半导体材料表面SERS 研究的发展和应用前景作了展望.     

新型电子清洗工艺对半导体表面的清洗效果

报告了一种新型电子清洗工艺．该工艺采用了被命名为ＤＺ—１和ＤＺ—２的两种新型电子清洗剂分别与９５％体积的去离子水配制成清洗液，先后用超声波清洗．用高频Ｃ—Ｖ测试和原子吸收光谱分析研究了清洗效果．用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在１０１０ｃｍ－２数量级；去重金属离子能力与常规ＣＭＯＳ／ＳＯＳ栅氧化工艺相当．新型清洗工艺具有操作简单、价格低廉、且无毒、无腐蚀和对人体无危害、对环境无污染的优点．     

金属表面吸附分子的研究

利用表面增强拉曼散射（ＳＥＲＳ），研究了金属表面对分子的吸附特性，得出了腾吸附过程以及添加物的作用等方面的初步结果。