非晶硅液晶光阀

本文介绍反射式非晶硅液晶光阀的研制方法，并对其光电性能进行了研究，提出非晶硅液晶光阀的参数设计模型。     

液晶光阀阻光层研究

本文研究了阻光层在液晶光阀中的作用，报导了我们首先提出的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ作为液晶光阀阻光层。ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得。本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜结构和光电性质。ａ－Ｓｉ：Ｈ和随这沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结。采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结构液昌光阀可改进器件的许多性能。     

高速沉积非晶硅氢合金薄膜的研究

在一个等离子体化学气相沉积(PCVD)系统中,用射频辉光放电分解纯硅烷,通过控制和选择工艺条件,可以制备速率大于1.0nm/s,光敏性大于10~5的优质非晶硅氢合金薄膜。     

光寻址液晶光阀的吸收层

光寻址液晶光阀是一种高分辨率空间光调制器，是高亮度，高分辨率大屏幕光寻址液晶光阀投影机的核心部件，为了避免读出光对图像对比度和分辨率的影响，光阀结构中需要一层高光吸收能力的吸收层。本讨论了光寻址液晶光阀对光吸收层的吸收性能要求，吸收层需求在全光谱范围内都有比较强的吸收，碲化镉薄膜对蓝，绿光有较强的吸收，钒氧配套红光具有较强的吸收，它们具有近似互补的吸收光谱。碲化镉和钒氧酞菁复合多层吸收薄膜综合了两种材料的光吸收特性，在全光谱范围内都有良好的吸收，是一种制作光寻址液晶光阀的吸收层的理想方法。     

复合光导层液晶光阀的研究

介绍了一种具有柱状结构的a-Si：H／nc—Si复合光导层的液晶光阀，复合光导层是通过热蒸发和等离子体辉光放电沉积方法，采用Al诱导a-Si：H制成的。经过测试，这种柱状结构薄膜具有电导各向异性，其横向电导率小于纵向电导率。用这种薄膜制成的液晶光阀其分辨率达到5001p／inch。     

液晶光阀星图模拟设计与实现

星图模拟是星敏感器研制过程的重要组成部分。本文提出了采用液晶光阀用计算机控制产生星图的方法，并给出了相关的算法．     

液晶光阀用ZnSSe薄膜的光电特性研究

用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜.室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103.薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω@cm的暗电阻率.频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求.     

利用液晶光阀实现的Joint变换

本文叙述了Joint变换的基本原理,并利用液晶光阀的偏振调制特性实现了Joint变换,液晶光阀作为实时记录器件,可以对物体的频谱进行改善,从而得到了较好的相关输出,实验结果与理论分析相符,提供了实时光学相关的一种新方法。     

液晶光阀中的α-Si:H光导膜研究

本文对在光学信息处理中应用的液晶光阀的关键性膜层——光电导膜采用新近开发的非晶硅材料作了一些探索。研究表明,响应快速的α-Si:H薄膜用于液晶光阀是很有前途的。     

单液晶光阀彩色大屏幕投影显示

设计一电路,将彩色图象信息编码到黑白CRT的亮度之中,并将其写入液晶光阀,用白光读出,当编码合适时,读出的象颜色可与原图像一致。本文讨论了这一技术原理并进行了单液晶光阀彩色大屏幕投影的实验验证。     

采用液晶光阀的氦氖激光准直控制

激光光束的漂移,功率稳定性和激光光斑的强度分布对称性是影响准直精度的主要参数。通过分析液晶光阀的特性,提出了一种智能型光束准直控制方法,可同时控制激光功率的稳定性和光斑的强度分布对称性。利用热平衡技术,设计了一套温度实时反馈控制的准直装置。实验结果证实了该方法的可行性和有效性。     

整体快速擦除式激光选址液晶光阀

本文介绍一种改进的激光选址液晶光阀。它以液晶的光散射态(暗态)为显示背景,减少了对观察者眼睛的刺激;它的整体擦除时间大约0.5～1s.采用以暗态为背景的方案,必须对光阀施加高电压才能进行整体擦除,高电压容易使光阀击穿。本文采用在导电层与吸收层之间镀隔离层,就可避免因加大液晶层厚度使写入光灵敏度降低,又增加了高电压与大电流的承受能力。     

一种基于TN型液晶的自控光阀

对TN(扭曲向列)型液晶的透光率测量实验表明,在外加电压的作用下TN型液晶可以吸收入射光线,并且在外加电压连续改变时,对入射光的透光率将呈现连续非线性变化。根据此特性,利用数字电路来控制加到液晶电极上的电压,就得到了一种空间光调制器──自控光阀。自控光阀能控制通过光阀的光强,使之趋于设定值。     

紫外透射型液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究

描述了透射型ZnS,Se1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理,并从器件的电学模型出发,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-,光敏层的特殊要求.采用分子束外延技术在ITO石英导电玻璃上制备了不同组分的三元ZnS,Se1-x多晶薄膜,通过控制反应时的生长参数,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜.室温下,薄膜 的紫外/可见光响应对比度大于103,响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分,在360～410nm范围内连续可调;薄膜的紫外/可见光吸收系数比大于103;在液晶光阀工作的低频段(＜200Hz),其暗阻抗在105～106Ωcm2之间;暗/亮阻抗比满足器件要求.     

基于液晶光阀微分处理的实时联合变换相关器

提出了一种用液晶光阀实现对输入图像的微分预处理和对功率谱微分处理的实时联合变换相关器。两个液晶光阀均处于非线性变换态,分别在输入面和频谱面上实现对输入图像和联合功率谱的微分处理。微分功率谱经傅里叶透镜变换后得到相关输出。实验表明,该相关器采用全光方式不仅保证了实时性,而且锐化了相关峰;经该相关器微分后的图像,其相关性能明显优于常规联合变换相关器输出的结果。     

PECVD制备氢化非晶硅薄膜的氢含量研究

采用等离子增强化学气相沉积工艺在硅片上制备a-Si:H薄膜,用傅里叶变换红外光谱仪测试薄膜的红外光谱吸收峰。研究了衬底温度、工艺压强和氢气稀释比对a-Si:H薄膜中氢含量的影响。结果表明,随着衬底温度升高,氢含量显著减小;压强增大时,氢含量也增大;氢气稀释比增大,氢含量反而减小。选择适当的工艺参数,可以控制a-Si:H薄膜的氢含量,从而改善a-Si:H薄膜性能和微结构。研究结果对低温多晶硅制造工艺也有一定的指导意义。     

PECVD制备氢化非晶硅薄膜的氢含量研究

采用等离子增强化学气相沉积工艺在硅片上制备a-Si：H薄膜,用傅里叶变换红外光谱仪测试薄膜的红外光谱吸收峰。研究了衬底温度、工艺压强和氢气稀释比对a-Si：H薄膜中氢含量的影响。结果表明,随着衬底温度升高,氢含量显著减小;压强增大时,氢含量也增大;氢气稀释比增大,氢含量反而减小。选择适当的工艺参数,可以控制a-Si：H...     

分子束外延生长液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究

描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,该薄膜的紫外 /可见光响应对比度大于10 3 ;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 (36 0～ 4 10 )nm范围内连续可调 ;薄膜的暗电阻率在 (4 32× 10 9～ 2 0 3×10 11)Ω·m之间 ,并随着晶粒的增大而减小 ;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其光 /暗阻抗比在 0 2 2～ 0 36之间。