全球最小尺寸FFCSP封装技术

日商NEC日前公布其自行研发的几乎与裸芯片相同尺寸的堆叠型系统封装(FFCSP)技术,较之传统多芯片封装技术,FFCSP三维堆叠技术可节省约30％～40％的电路板占用面积,并可将单个芯片高度压低到0.2 mm左右,重量仅为0.1％. FFCSP封装技术属于堆叠型系统封装技术的一种,它采用粘性热塑胶绝缘层柔性底板为中间层,粘性热塑胶     

芯片尺寸封装（CSP）技术的发展动态

芯片尺寸封装（ＣｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ简称ＣＳＰ）技术是一项焊接区面积等于或略大于裸芯片面积的单芯片封装技术，由于采用该项技术能解决芯片和封装之间芯片小封装尺寸大的内在矛盾、ＩＣ（集成电路）引脚不断增长、多芯片组件（ＭｕｌｔｉｃｈｉｐＭｏｄｕｌ...     

无需TSV的3D芯片叠加

正成就高性能,低成本,薄型化封装设计面对面芯片叠加可以简化封装:使用成熟的铜柱微凸点倒装技术叠加两颗或多颗芯片,而无需昂贵的穿硅孔(TSV)技术近距离芯片互联可以提高性能:实现高带宽,高密度和高功率目标,而无需昂贵的2.5D或3D穿硅孔(TSV)技术优化芯片放置可以实现轻薄化:减薄的子芯片置于倒装母芯片下的凸点阵列环内与母芯片互联,或置于基板BGA阵列环内与基板互联,封装体没有增厚     

含有逻辑和存储芯片SiP的开发

随着电子产品向轻薄小型化发展，FPBGA，CSP已成为LSI的主流封装结构；其中，FPBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)是细间距球栅阵列封装结构，CSP(chip Size/Scal Package)是芯片尺寸，规摸封装结构。特别是对于急速普及的移动手机．因为装配面积限制存储器件的增加，可采用把多个存储器芯片装配在一起的多芯片封装MCP(Multi Chip Package)技术加以解决。     

富士通开发成功封装新技术,可在2mm的厚度中层叠任意8枚芯片

<正> 富士通日前成功地开发出了可以层叠多枚任意尺寸芯片的新型SIP(System-in-a-Package)封装技术。在2mm的厚度中可内置8个芯片。而该公司此前的封装层叠芯片技术,只能在1.4mm～1.6mm的厚度中嵌入4枚芯片。而且,很难内置相同面积的芯片。因为为了进行引线焊接(Wire Bonding),需要暴露     

用芯片嵌入技术创新移动应用中的2D和3D封装结构

智能移动装置的高速发展正在驱动更先进芯片封装技术的开发,以满足多功能集成和小型化的要求。传统的解决方案,如多芯片模块,可能无法同时满足高密度和小型化需求。而先进的2.5D硅基板TSV解决方案成本太高,特别是,在对成本敏感的消费类市场中不能使用。在这两者之间,芯片嵌入式封装可能是一个理想的解决方案,它不但有较高互联密度,较小封装尺寸,也可以实现多芯片集成。本文着重讨论了主动芯片的嵌入技术:二维扇出封装和三维封装叠加。二维结构包括扇出晶圆级封装和多层板中芯片嵌入,前者基于晶圆形式,后者基于型板形式。不同流程的选择造成成本和成品率的差异,也造成芯片放置时间的先后。本文讨论了"Die-First"、"Die-Mid"和"Die-Last"流程的优劣势。主动(有源)芯片嵌入的三维叠加有着与二维芯片嵌入类似的优势,只是主动芯片嵌入封装体的上端可以另外叠加封装体,以实现真正的SiP结构。本文还讨论了芯片嵌入技术的发展、未来增长、可能的封装形式和将来的路线图。     

高密度封装技术现状及发展趋势

综述了对半导体集成电路发展有深刻影响的微电子封装技术的现状 ,指出了适用于高密度封装的载带封装 (TCP)、球栅阵列封装 (BGA)、倒装片 (FCT)、芯片规模封装 (CSP)、多芯片组件 (MCM)、三维封装等关键技术及其发展趋势     

芯片尺寸封装(CSP)简介

<正>芯片尺寸封装(CSP)和BGA是同一时代的产物,是整机小型化、便携化的结果。美国JEDEC给CSP的定义是:LSI芯片封装面积小于或等于LSI芯片面积120%的封装称为CSP。由于许多CSP采用BGA的形式,     

基于PDP扫描驱动芯片的LQFP封装热特性研究

研究了LQFP封装的96路等离子平板显示(PDP)扫描驱动芯片的封装热特性,利用有限元法对所建立的封装模型进行数值求解,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的可靠性与准确性。研究表明,在集成电路封装设计中,增大散热基板面积、优化引线框架、提高封装热导率,对于散热性能的提高非常有效,而在外围设计中,增大印制电路板(PCB)有效覆铜面积、增加PCB有效过孔数、在芯片顶部添加散热片、加大空气流速都可使芯片散热能力显著增强。     

微系统与中规模器件的封装技术设计

文章主要论述了微机电系统(MEMS)和微系统诸如微传感器、驱动器和微流体元件的电机封装技术、封装等级和封装技术相关的问题.首先陈述并讨论了典型的MEMS产品诸如微压传感器、加速度计和微泵;微电子封装和微系统封装技术,重点阐述芯片级封装技术和器件级封装技术问题.芯片级封装技术主要涉及芯片钝化、芯片隔离和芯片压焊;器件级封...     

BGA/CSP/倒装芯片技术的发展

本文介绍了几种先进的电子封装技术:球栅阵列(BGA)、芯片规模封装(CSP)以及倒装芯片技术的特点、发展和应用领域,分析了当前及今后一段时间内微电子封装技术的发展趋势,从市场角度预测未来这几种封装技术的比较优势及各自的市场份额。     

超越BGA封装技术

简要介绍了芯片级封装技术诸如芯片规模封装(CSP)、微型SMT封装(MSMT)、迷你型球栅阵列封装(miniBGA)、超级型球栅阵列封装(SuperBGA)和mBGA封装。     

WLCSP封装技术中的集成无源器件

芯片规模封装技术一直倍受高性能、小形状因素解决方案在各类应用中的关注。芯片规模封装与球栅阵列(BGA)封装之间的区别变得不可分辨,已成为“细间距BGA”的同义词。芯片规模封装成本也是业界关注的焦点之一。芯片规模晶圆级封装是提供小形状、高性能和低成本的最快途径。论述了集成无源器件加工、低成本化的晶圆级芯片规模封装技术。     

微系统三维(3D)封装技术

文章论述塑料三维(3D)结构微系统封装技术相关问题,描述了把微电机硅膜泵与3D塑料密封垂直多芯片模块封装(MCM-V)相结合的微系统集成化。采用有限元技术分析封装结构中的封装应力,根据有限元设计研究结果,改变芯片载体结构,降低其发生裂纹的危险。计划采用板上芯片和塑料无引线芯片载体的替代低应力和低成本的3D封装技术方案。     

叠层CSP封装工艺仿真中的有限元应力分析

叠层CSP封装已日益成为实现高密度、三维封装的重要方法。在叠层CSP封装工艺中,封装体将承受多次热载荷。因此,如果封装材料之间的热错配过大,在芯片封装完成之前,热应力就会引起芯片开裂和分层。详细地研究了一种典型四层芯片叠层CSP封装产品的封装工艺流程对芯片开裂和分层问题的影响。采用有限元的方法分别分析了含有高温过程的主要封装工艺中产生的热应力对芯片开裂和分层问题的影响,这些封装工艺主要包括第一层芯片粘和剂固化、第二、三、四层芯片粘和剂固化和后成模固化。在模拟计算中发现:(1)比较三步工艺固化工艺对叠层CSP封装可靠性的影响,第二步固化工艺是最可能发生失效危险的;(2)经过第一、二步固化工艺,封装体中发现了明显的应力分布特点,而在第三步固化工艺中则不明显。     

MEMS封装技术研究进展

介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等。文中还介绍了MEMS产品封装实例。     

功率半导体封装技术的发展趋势

每一代新型电子应用都要求电源管理系统有更高的性能。在信息技术和便携式产品市场上,这一趋势尤为明显。直到最近,硅技术一直都是改进电源管理系统性能的最重要因素。然而,硅技术的进步现在受到封装性能提高的限制。为了实现明显的改进,必须提高功率半导体封装技术。下面将对功率封装技术改进的3种途径进行讨论。提高芯片面积与占用面积之比在PDA和移动电话等便携式应用中,尺寸是关键因素,因此,芯片与占用面积之比是功率器件的最重要因素。在传统的SMT封装(如TSOP-6、SOT-23、SMA、SMB和SMC)中,这一比例为20%左右。这意味着约80%…     

BGA／CSP和倒装焊芯片面积阵列封装技术

随着表面安装技术的迅速发展,新的封装技术不断出现,面积阵列封装技术成了现代封装的热门话题,而BGA／CSP和倒装焊芯片（F1iPChip）是面积阵列封装主流类型。BGA／CSP和倒装焊芯片的出现,适应了表面安装技术的需要,解决了高密度、高性能、多功能及高I／O数应用的封装难题。本文介绍了BGA／CSP和倒装焊芯片的封装理论和技术优势及制造流程,并阐述了植球机的基本构成和工作原理。     

SAW器件封装技术概述

小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力。文章回顾了SAW器件封装的发展历史,介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点,详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装(Chip Sized SAW Package,CSSP)技术,将通用芯片倒装技术(Flip Chip Bonding,FCB)和SAW封装的特点结合,使封装尺寸减小到极限。然后对今后的复合封装进行了展望。     

TSOP叠层芯片封装的介绍

叠层芯片封装技术,简称3D,是指在不改变封装体外型尺寸的前提下,在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上的芯片的封装技术,它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。叠层芯片封装技术具有大容量、多功能、小尺寸、低成本的特点,2006年以来3D技术逐渐成为主流。随着NAND快闪存储器市场的高速增长及3D技术的兴起,加之TSOP封装成本低、柔韧性强,所以TSOP封装得以重新焕发生机。