ASIC版图设计技巧

<正>0引言ASIC是专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit)的简称。ASIC设计是指根据特定用户要求或电子系统的要求,在正确择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下,尽量减小芯片面积,降低设计成本,缩短设计周期,以保证全局优化,设计出满足     

一种用于功率IC中高性能PNP管的版图设计

在对传统横向PNP管版图和晶体管寄生效应分析的基础上,提出了一种基于双极工艺的横向PNP管设计方案,并给出了一个适用于功率集成电路中高性能横向PNP输出管的版图设计.     

集成电路制造工艺及其使用的气体

从半导体制造工艺晶体生长与社底制备、氧化、扩散、外延生长、化学汽相淀积、物理淀积、离子注入,刻蚀、光刻、合金化和焊接等方面,叙述了对气体使用的要求。     

混合集成电路的制造工艺

混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装随着各种电子设备的体积日趋变小，功能性越来越强，可靠陛要求越来越高，从而对于我们制造厚膜混合集成电路的集成度要求越来越高，对于厚膜电路的技术要求和质量要求也越来越高。     

MEMS版图自动生成与工艺匹配系统研究

根据MEMS工艺设计的特点提出了反馈式专家系统运作方式,并据此给出了MEMS版图自动生成与工艺匹配系统的体系结构.同虚拟MEMS加工工艺相比,该系统可实现工艺流水的逆向推理流程,由此,进一步给出了系统逆向推理所需的专家规则描述方式和推理机实现方法,并实现了一个原型系统,该系统可实现由两种标准MEMS工艺制作器件的版图自动生成与工艺匹配工作,初步验证了系统的可行性.     

用于45nm及以下集成电路工艺的高介电常数绝缘栅材料

金属-氧化物-半导体结构(MOS)是目前电子器件中最重要的器件之一,现代电子技术可以说是建立在MOS器件之上的。随着集成电路技术的不断发展,MOS技术到达了一个关键的转折点. 由于器件尺寸不断缩小, 导致MOS中氧化层厚度相应减小, 电子的隧道穿透效应逐渐显现出来, 引起的棚极-沟道漏电流急剧增大,导致器件发热量增加、性能下降甚至失效,因此限制了MOS器件尺寸的进一步缩小. 当MOS进入65nm工艺时,二氧化硅的厚度已经降至1.2nm(大约相当于5个原子层的厚度),这样的厚度几乎已经达到了二氧化硅介质层物理极限. 因此,45nm技术及以下工艺不能继续沿用原有的MOS结构与制备技术,必须采用新的结构、新的材料、新的工艺以便进一步缩小MOS器件的尺寸,提高器件的工作速度,降低器件的能耗. 高电介质常数介质膜被业界认为是开发45nm以下硅集成电路芯片技术的关键. 业界普遍认为利用high K绝缘层技术的MOS器件是20世纪60年代MOS晶体管出现以来,晶体管技术发生的最大变化. 2005年以及以后的International technology roadmap for Semiconductors 均把high K技术作为标志性内容之一. 目前国际上有关high K材料与器件的研究比较多,Intel、IBM等已经实现研究成果向生产技术的转移,其中Intel公司在45nm微处理器技术中利用high K绝缘栅技术已经取得突破性进展,并于2007年11月16日发布了一系列利用high K技术的45nm处理器,IBM公司也已经在MOS工艺中实现high K绝缘栅技术. 较以前的MOS工艺,基于high K技术的芯片中晶体管数量成倍增加,栅极漏电流减小了数倍,功耗大幅减小. 根据目前透露的资料,high K绝缘层为Hf基氧化物,但是介质膜的具体成分、结构、制备工艺流程以及与Hf基氧化物配合的金属栅极材料等技术内容目前均属于保密资料. 从国内同行的研究看,目前发表的相关研究文章主要集中在对high K绝缘栅的介绍或综述性评论,实际开展的研究工作很有限. 因此,及时开展对high K绝缘层成分与制备工艺方面的研究,对于我国集成电路制造业跟上国际集成电路技术的发展方向和先进水平、打破国外的技术垄断是非常必要的.     

集成化MEMS工艺设计技术的研究

针对目前MEMS研究领域中普遍存在的器件设计与加工工艺脱节的问题，提出了一种集成化的MEMS工艺设计技术。即在器件设计的过程中充分考虑加工工艺的特点和制约，提高器件的工艺设计能力和效率．这种工艺设计方法以结构材料、反应材料、工艺设备和环境限制的数据库为基础，从工艺过程为结构材料和反应物之间的物理或化学反应的角度出发，提炼出了工艺设计规则；在设计过程中，结合版图尺寸和具体的工艺参数，对工艺过程中器件结构二维断面上的所有结构材料的状态和图形进行计算和记录，并以此信息为依据结合设计规则判断工艺流程的合理性，并把相应的工艺信息、材料信息等代入器件的结构分析中去，实现MEMS器件的集成化工艺和结构设计．最后三维可视化设计工具IMEE1．0实现了集成化的设计技术，并通过对一个结构比较复杂的气体传感器进行设计和制作。验证了这种集成化工艺设计技术的可行性和实用性．     

国家科技重大专项成果：65nm集成电路工艺量产

由中芯国际集成电路制造有限公司承担的国家重大科技专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”（02专项）“65／45／32nm工艺”项目,在科技部、北京市和上海市的支持下,成功研发出65nm产品工艺,各项技术指标均达到国际主流技术水平。现已进入批量生产阶段。     

GaAs霍尔开关集成电路的研制

成功地设计并制造出GaAsMESFET霍尔开关集成电路。该电路采用了方形霍尔元件，绝对灵敏度为704mV/T；信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成，触发电路结构类似于SCFL的D触发器。结果表明，开关性能良好，工作点合理，达到设计要求。实验结果还表明，霍尔元件和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路。     

惠州光电产业基地跻身省战略版图

<正>昨日,全省促进高端新型电子信息产业发展现场会在佛山举行,会议公布了广东省战略性新兴产业基地(第一批)名单,"惠州光电产业基地"入列其中。副市长李选民出席会     

一个Droog，将荷兰划入了世界设计版图

Droog在荷兰语中是“干”的意思．你们希望通过这个词来传达什么呢?     

集成电路薄膜工艺的新进展--化学液相淀积

介绍了化学液相淀积法制备氧化物薄膜的工艺过程及其在集成电路生产中的应用，并报道了一些最新研究成果。     

热壁LPCVD设备使用中几个问题的探讨

文章就热壁ＬＰＣＶＤ设备使用过程中出现的几个问题作了较全面的分析，提出了一些解决办法，并就热壁ＬＰＣＶＤ备设出现的故障及设备的维护谈了自己的一点体会。     

新型集成电路器件与中、高档B超诊断仪的研制开发

本文扼要地介绍了新型器件在中、高档B超研制开发中的重要地位。首先介绍了PLD、GA、SC等ASIC器件的简单原理、设计思想,指出了采用ASIC替代传统的SSI/MSI器件的优点以及在我国推广应用的困难。其后,文章又介绍了数字信号处理、图象处理及计算机专用芯片的基本情况。最后提出了对PLD、SC、GA等ASIC器件和DSP、图象处理以及计算机专用芯片在中、高档B超中进行应用研究的建议和设想。     

集成电路坯件的光电自学机检测系统

针对集成电路壳体坯件上的联结芯片和外部引脚的导线进行检测，基于和标准件相比较的原理，结合实际生产，建立了光电自学机检测系统。此系统对被检件形式上的发迹具有高度的柔性，而且具有抗环境因素干扰、检测速度快等优点，对某一形式的被检件检测过程分为两步骤：自学过程和自动检测，如果改变被检件的形式，只需重新进行一次自学过程，对系统无需进行大的调整和编程。     

ZnO薄膜的制备方法、性质和应用

介绍了宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺、主要性质和器件应用等几方面内容.ZnO薄膜的制备方法大致分为物理法和化学法.前者主要包括溅射、脉冲激光沉积和分子束外延等;后者则涵盖化学气相沉积、喷雾热解和溶胶-凝胶法等.从晶体结构、光学及电学等角度概述了ZnO薄膜的主要性质.与这些性质相联系的器件应用有太阳能电池、发光器件和紫外探测器等.对器件应用领域中存在的一些问题及其解决思路作了探讨.     

美研制出新型超导集成电路

12月号的美国《电气电子工程师学会分析》杂志报道说,美国研究人员研制出一种新型超导集成电路,它的时钟频率能够达到100GHZ。 新设计出的这种“高速单通量量子”逻辑电路采用了超导材料铌。为了保证内部电阻接近零,这种逻     

155 Mbit/s和622 Mbit/s 速率0.6 μm CMOS工艺光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片

采用国内的CSMC-HJ 0．6μm CMOS工艺实现了155Mb／s和622Mb／s速率的光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片。芯片测试结果表明，激光二极管驱动电路(LDD)，前置放大器(Pre-Amp)和限幅放大器(LA)集成电路达到了世界同类集成电路的水平。     

与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件研究

着重介绍了与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件的最新研究进展,包括硅基光发射器、硅基光波导和调制器件、硅基光电探测器和接收机以及硅基光电子集成回路的工作原理、制作工艺和集成技术.与标准集成电路工艺兼容的硅基光电子集成回路能有效地解决电互连芯片内部串扰、带宽和能耗等问题,并能够充分利用现有成熟的集成电路工艺,实现大规模生产,具有广阔的实用前景.     

我国大规模集成电路封装材料在化学所实现突破

日前，中国科学院化学研究所成功开发出可用于超大规模集成电路(VLSI)先进封装材料光敏型BTPA-1000和标准型BTDA1000聚酰亚胺专用树脂，并已申请7项国家发明专利。目前，国内多家半导体企业和科研院所准备将这种新型树脂用于芯片及光电器件的制造，年产几十吨的工业中试装置正在建设，可望于今年7月投产。