CO（ a）+ NO（X）传能体系中的新传能通道

在相对碰撞平动能为 0 .0 5eV的分子束实验条件下 ,研究了亚稳态CO(a) +NO(X)的E E传能通道 .通过测量和分析交碰区的传能发射光谱 ,在 780和 860nm处观测到了NO(b -a)跃迁Ogawa带的△v =+ 4和△v =+ 3序的发射光谱 .从而首次在实验上直接证实了传能过程中第四通道的存在 (CO (a) +NO(X)→CO (X) +NO(b) ) .这一通道的发现解释了前人测量到的在CO(a)与NO(X)碰撞传能过程中CO(a)的猝灭速率远大于NO(A ,B)生成速率的实验结果 ,并进一步证实了这一“经典”E E传能体系为电子交换机理的传能观点     

振动激发态NO（v）向NO2的快速传能

利用激光光解时间分辨富里叶红外发射谱仪对ＮＯ（ｖ）被ＮＯ２的碰撞弛豫进行了研究。观察到激光光解ＮＯ２后反应产物ＮＯ（ｖ≤３）的红外发射谱及其变化。通过光谱拟合，得到各振动态布居及其随时间的演变，由此获得ＮＯ（ｖ＝１￣３）的各不同振动态被ＮＯ２碰撞弛豫的传能常数。这种较通常传能常数高出１￣２个数量级的转速ｖ－ｖ传能用碰撞复合体模型加以解释。     

RbHe(E)态的预离解和Rb 5 p~2P_J精细结构能级分支比

光学薄的Rb蒸汽和低密度 ( 2～ 8× 10 17cm- 3)He的混合系统被 570～ 60 0nm的激光激发 ,RbHe分子激发态预离解到Rb 5P1/2 或 5P3/2 态 ,测定了实验分支比I(D1) /I(D2 ) ,I(D1)和I(D2 )分别是RbD1和D2 线的强度 ,得到了预离解率之比和精细结构转移截面。     

F和CH3OH多通道反应的速率常数与分支比的研究

F和CH₃OH有两个夺氢反应通道,分别生成HF+CH₃O 和HF+CH₂OH. 尽管这两个通道都没有能垒,但前一个通道即生成HF+CH₃O的反应分支比远远高于期望的统计平均值(四分之一). 不同实验测得的分支比不仅相去甚远,而且定量上与早期由过渡态理论(稳定点信息在MP2以及G2理论水平下计算得到)得到的计算结果也不符合. 此前在CCSD(T)-F12a/AVDZ水平上计算得到了121000个几何构型的能量,采用对易不变多项式结合神经网络的方法拟合得到了该体系的全维高精度势能面. 本文采用该势能面,结合准经典轨线动力学方法,对该反应的反应速率常数和反应分支比进行了理论研究,得到的结果与实验吻合. 由于反应没有能垒,理论计算结果表明反应速率常数随温度升高而有微弱的下降趋势.     

分子束外延Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的拉曼光谱

运用分子束外延（ＭＢＥ）技术成功地生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格，并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达５级的ＺｎＳｅ的ＬＯ声子峰和ＺｎＳｅ的ＴＯ声子峰；同时还在频移为１４４ｃｍ－１、３７０ｃｍ－１处观测到了两个新声子峰，估计是来自于ＺｎＣｄＳｅ的声学模和光学模。     

HOD分子在?1B1态的光解动力学： 产物OH/OD的分支比以及OD键解离能

利用H(D)原子里德堡态时间飞渡谱技术研究了HOD超声射流分子束在124 nm附近的?态光解动力学．实验测量了HOD分子在?态的转动分辨的吸收谱,并得到了五个转动峰下H+OD以及D+OH通道的产物总的平动能谱．通过对产物平动能谱的分析,得到了?态解离产物OH和OD的分支比,并与Β态和?态相应解离产物的分支比做了对比．实验结果确定了HOD分子OD键的解离能为41751.3±5 cm^-1.     

NO分子b4∑--a4∏i（4，0）带的吸收光谱

通过对NO与He流动混合气体放电,产生了激发态的NO（a4∏ii）分子．利用光外差-浓度调制吸收光谱技术测量了NO分子在12530-12850cm-1波段内的吸收光谱,并标识出b4∑--a4∏i（4,0）带在该波段内的324条跃迁谱线．采用标准4∑--4∏i哈密顿量模型,通过非线性最小二乘法拟合其中267条谱线,拟合残差（0．0071cm-1）接近实验系统测量误差（0．007cm-1）．获得的主要分子常数与文献提供的常数符合,并且拟合得到了精细结构分子常数．     

CS2分子^1B2（^1∑u^＋）态预解离动力学研究

研究了CS2分子^1B2(^1∑u^+)预离解态线形势垒下的g振动能级光解动力学，包括预解离寿命、产物振转布居、平动-振动-转动能量分配和解离通道分支比．在实验过程中，一束可调谐激光激发超声射流冷却的CS2分子到^1B2(^1∑u^+)电子态，光解产物CS用另一束可调谐激光通过激光诱导荧光(LIF)方法检测．通过拟合光解碎片激发谱的谱峰轮廓，获得了源于不同跃迁初始态的^1B2(^1∑u^+)态g振动能级的预解离寿命．通过分析CS的LIF光谱，则获得了不同光解波长下CS碎片的v=0—8振动态布居、v=1、4—8振动态的转动布居、能量分配以及两个预解离通道CS(X^1∑^+)+S(^3PJ)和CS(X^1∑^+)+S(^1D2)的分支比．实验还考察了初始态弯曲振动量子数v2″、振动角动量量子数l对解离动力学的影响．发现v2″的影响不大，而l的影响却是明显的．较大的l(=K)对应于较短的寿命和较小的通道分支比S(^3PJ)／S(^1D2)，即大的l(=K)有利于预解离的发生，同时更有利于产生S(^1D2)．     

HL-2A装置上超声分子束注入触发L-H转换的实验研究

利用具有定向速度的超声分子束注入技术,研究了HL-2A装置在较低加热功率条件下实现L-H转换的等离子体放电特征,从边缘密度分布的差异比较分析了普通送气和超声分子束注入对L-H转换的影响.实验结果表明,HL-2A装置上采用超声分子束注入可直接触发L-H转换,明显降低L-H转换功率.通过对大量实验数据的分析和整理发现,利用超声分子束注入实现L-H转换的最低加热功率,比同等条件下采用普通送气实现L-H转换的最低加热功率减少约10％.     

OH+C2H3F的反应机理及产物支化比反应的理论研究

本文对HOC₂H₃F可能解离通道的势能面进行从头算CCSD(T)/CBS//B3LYP/6-311G(d,p)计算,同时对速率常数进行Rice-Ramsperger-Kassel-Marcus计算. 生成主要产物CH₂CHO+HF最有利的反应途径是OHC₂H₃F→i2→TS14→i6→TS9→i3→TS3→CH₂CHO+HF,其中速率决定步骤是HF通过TS11从CO桥接位置解离,能量比反应物高3.8 kcal/mol. 借助中间态TS14,F原子从C_α迁移到C_β位置生成CH₂O+CH₂F,然后通过中间态TS16,H从O迁移到C_α位置;通过中间态TS5,C-C键断裂生成产物,其能量比反应物低1.8 kcal/mol,比TS11低4.0 kcal/mol.     

用色散荧光研究NH2（A^2A1）转动态—态传能

利用脉冲染料激光制备ＮＨ２（Ａ＾２Ａ１）单一转动能态Σ（０，９，０）３０３，在分子束条件下研究它的态－态转动传能至Σ（０，９，０）５０５，１０１和△（０，９，０）６２５，５２３，４２３，３２１，２２１各转动能态的相对截面。结果表明：转动跃迁│△Ｎ│＞２几率较小，│△Ｎ│愈小，传能截面愈大，而且同一电子振动态内传能最有效，且向下跃迁快于向上跃迁。分析荧光谱可以看出碰撞前后转动能极的对称性不变，这是单     

用两束真空紫外激光和离子速度成像方法测量12C16O分子在108000∽113200 cm-1能量范围的解离通道分支比：生成O(1D)通道的观测

本文利用两束可调谐真空紫外激光和离子速度成像的方法测量了CO在108000∽113200 cm^-1光解离通道分支比[C(³P₀)+O(¹D)]/{[C(³P₀)+O(³P)]+[C(³P₀)+O(¹D)]}和[C(³P₂)+O(¹D)]/{[C(³P₂)+O(³P)]+[C(³P₂)+O(¹D)]}. 本文先用一束真空紫外激光将CO分子激发至特定的高激发量子态并发生解离,接着用另一束真空外激光选择性地电离C(³P₀)和C(³P₂)并进行探测. 1VUV+1UV/visible共振增强多光子电离的方法大大提高了实验的探测灵敏度,使得之前没有观测到的较弱的吸收带也首次被观测到. 通过分支比的测量,发现自旋禁阻的解离通道C(³P₀)+O(¹D)和C(³P₂)+O(¹D) 只在某些分立的较窄能量范围内才能被观测到. 这可能是由于直接激发的高里德堡态和解离到上述自旋禁阻通道的价态在这些能量范围内发生了共振的自旋-轨道耦合相互作用.     

超高碰撞能23.84 kJ/mol下反应F+D2→DF+D的交叉分子束研究

本文搭建了一套新的实验设备,首次将氢原子里德堡态标记的飞行时间谱技术与激光爆破束源技术相结合,进行超高碰撞能下化学反应的动力学研究. 初步进行了F+D₂→DF+D在超高碰撞能23.84 kJ/mol下的实验研究. 在研究中应用了两种类型束源：一类是通过激光爆破过程产生的高能F原子束源,另一类是通过液氮冷却脉冲阀而产生的D₂束源. 实验中探测了反应产物振动态分辨的微分散射截面. 结果显示,大部分反应产物DF主要呈现侧向和后向散射分布,而产物DF(v''=4)则主要分布在前向. 对前向散射产物DF(v''=4)的动力学来源进行了讨论.     

C60分子在Si（111）-7×7表面分子束外延生长的STM研究

在超高真空中采用分子束外延(molecular beam epitaxial)技术进行C₆₀分子在硅（111）-7×7表面的生长,并利用扫描隧道显微镜进行原位研究.室温下,相对于无层错半胞（unfaulted half unit cell）,C₆₀更易于吸附在有层错半胞（faulted half unit cell）.表面台阶处的电子悬挂键密度最高,通过控制温度和时间进行退火处理后,C₆₀分子会向着台阶的方向扩散并聚集.测量分子在不同吸附位 关键词： 60分子')" href="#">C₆₀分子 分子束外延 Si(111)-7×7 超高真空扫描隧道显微镜     

Si_（1－x）Ge_x／Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应；Ｘ射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的，结晶完整性好．低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合．并讨论了生长温度对量于阱发光的影响．     

CS2^1B2（^1∑u^＋）态预离解产物CS的振转布居研究

用一束波长为210．27nm的激光将CS2分子激发至预离解态^1B2(^1∑u^+)，用另一束激光通过激光诱导荧光(UF)方法检测碎片CS，在250．5～286．5nm获得了CS碎片A^1П←X^1∑^+振转分辨的激发谱，通过对光谱强度的分析，获得了CS碎片v″=0～8的振动布居和v″=1，4～8振动态的转动布居，结果发现，碎片CS的振动布居呈双模结构，分别对应于CS2分子^1B2(^1∑u^+)态的两个解离通道，即CS(X^1∑^+，v″=0～9)+S(^3PJ)和CS(X^1∑^+，v″=0～1)+S(^1B2)，由此得到两个解离通道的分支比S(^3P1)：S(^1B2)为5．6±1．2。与前人193nm处的研究结果相比，210．27nm激发更有利于S(^3P1)通道的生成。此外，实验还发现CS的转动布居不满足热平衡分布，为两个Boltzmann分布的合成。     

束—气条件下He（2^3S）＋CH2Cl2碰撞传能反应的动力学研究

本文在束－气条件下研究了亚稳态原子Ｈｅ（２＾３Ｓ）与ＣＨ２Ｃｌ２间的传能反应，测得了由该反应产生的ＣＨ（Ａ＾２△－Ｘ＾２П），ＣＨ（Ｂ＾２∑＾－Ｘ＾２П）ＣＨ（Ｃ＾２∑＾＋－Ｘ＾２П）和Ｈ原子（Ｂａｌｍｅｒ系）的化学发光光谱。通过对ＣＨ（Ａ，Ｂ）的光谱进行计算机模拟，推测出初手的ＣＨ（Ａ＾２△，ｖ＾１＝０－２）态振动分布为Ｎｏ：Ｎ１：Ｎ２＝１００：４０±５：１９±２，ＣＨ（Ａ＾２△，ｖ＾１＝０－０     

CS2 分子 1 B2(1 Σ+u )态预解离动力学研究

研究了CS2 分子1B2 (1Σ+u )预离解态线形势垒下的g振动能级光解动力学,包括预解离寿命、产物振转布居、平动振动转动能量分配和解离通道分支比.在实验过程中,一束可调谐激光激发超声射流冷却的CS2 分子到1B2 (1Σ+u )电子态,光解产物CS用另一束可调谐激光通过激光诱导荧光(LIF)方法检测.通过拟合光解碎片激发谱的谱峰轮廓,获得了源于不同跃迁初始态的1B2 (1Σ+u )态g振动能级的预解离寿命.通过分析CS的LIF光谱,则获得了不同光解波长下CS碎片的v=0~8振动态布居、v=1、4 ~8振动态的转动布居、能量分配以及两个预解离通道CS(X1Σ+ ) +S(3PJ)和CS(X1Σ+ ) +S(1D2 )的分支比.实验还考察了初始态弯曲振动量子数v2″、振动角动量量子数l对解离动力学的影响.发现v2″的影响不大,而l的影响却是明显的.较大的l(=K)对应于较短的寿命和较小的通道分支比S(3PJ) /S(1D2 ),即大的l(=K)有利于预解离的发生,同时更有利于产生S(1D2 ).