BaPbO3掺杂对（Sr,Pb）TiO3陶瓷性能的影响

研究了一系列ＢａＰｂＯ３掺杂的钛酸锶铅基陶瓷的制备过程和电学性能，结果表明：低阻的ＢａＰｂＯ３的添加能显著降低材料的烧结温度，促进晶粒生长，但并不能明显降低材料的室温电阻率，ＸＰＳ分析证实了ＢａＰｂＯ３加入后在与（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３固溶时，四价的Ｐｂ被还原为二阶，ＢａＰｂＯ３不以低阻相单独存在。     

Y半导（Ba,Sr）TiO3系PTCR陶瓷Nb,Mn二次掺杂效果

研究了Ｙ半导（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ２）系ＰＴＣＲ陶瓷Ｎｂ，Ｍｎ二次掺杂的电学性能及显微结构。探讨了施主与受主的掺杂效果。     

施主掺杂（Sr,Pb）TiO3陶瓷的正电子湮没（PAT）研究

本文采用正电子湮没技术（ＰＡＴ）研究了施主掺杂（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷的半导化机制，结果表明，在低施主掺杂浓度下，半导化行为与准自由电子浓度有关，主要取决于电子补偿机制，同时晶格失氧对半导化也有贡献。高浓度时，重新绝缘源于缺陷的缔合。     

掺Nd的（Sr,Pb）TiO3陶瓷的热敏特性研究

研究了用固相法制备的掺（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷的热敏特性。结果表明，掺Ｎｄ的（Ｓｉ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷具有良好的ＮＴＣ－ＰＴＣ复合热敏特性，主要参数：Ｔｃ＝１２３℃，ｐＲＴ＝１５０Ωｃｍ，ｐｍｉｎ＝１５．４４Ωｃｍ，α（－）５０＝－３．０６％／℃，α（＋）５０＝７．５７％／℃，降阻后材料仍为典型的ＡＢＯ３型钙肽矿结构；Ｎｄ＾３＋一部分以施主形式进入Ａ位，一部分仍以Ｎｄ２Ｏ３的形式残留在试样中。Ｓ     

化学法制备的（Sr,Pb）TiO3基PTCR陶瓷

通过化学工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ３陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特性，样品耐压强度大，室温电阻率低于１０＾２Ω．ｃｍ，升阻比高达１０＾６．３３，烧结温度可以降低至１１００℃以下。     

La掺杂Sr0.4Pb0.6TiO3陶瓷热敏机理研究

液相掺杂施主元素La，在1100－1200℃烧结制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷。该陶瓷具有显著的NTCR－PTCR复合效应，其室温电阻率随烧结温度提高而增大；而添加少量PbO用于补偿铅损失，则明显降低了陶瓷的室温电阻率及减弱了居里点下的NTCR效应。同时利用XRD，SEM和TEM分别对陶瓷的相结构，形貌和畴结构进行了研究。根据实验结果，探讨了La掺杂Sr0.4Pb0.6TiO3陶瓷的半导化机理及其热敏特性。     

掺杂ZrO2对（Pb,Ca）（Fe,Nb）O3陶瓷微波特性的影响

研究了B位Zr掺杂对(Pb     

氧化锌陶瓷铌掺杂效应的低温导电特性研究

研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性。结果表明：低温状态下．随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品,烧结温度越高,电阻率愈小;同一烧结温度下,不同烧结时间的ZnO样品,随着烧结时间的增加,电阻率愈小。     

烧成及热处理工艺对钛酸锶铅基热敏材料性能及显微结构的影响

研究了烧成及热处理工艺对钛酸锶铅基热敏材料的阻温特性及显微结构的影响。通过扫描电镜（ＳＥＭ）和能量分散仪（ＥＤＡＸ）分析了材料的显微结构及不同形貌晶粒的成份。通过对组成、烧成及热处理工艺的控制，可得到具有Ｖ型ＰＴＣＲ特性的热敏材料。     

钛酸锶铅基陶瓷的烧结动力学及显微结构研究

研究了钛酸锶铅基陶瓷的等温烧结动力学。结果表明，在１１３０℃等温烧结过程中，致密化与重排过程及扩散控制的溶解－沉淀过程紧密相关。烧结初期的致密化过程主要与粒子的重排有关，烧结中期的致密化机理主要为扩散控制的溶解－沉淀过程。ＳＥＭ分析表明，烧结初期坯体中局部区域有较多的液相，随着烧结时间的增长，其分布趋于均匀，此时粒子的重排对致密化有较大的贡献。烧结时间为３６０ｍｉｎ时出现了晶粒异常生长。ＨＲＥＭ分     

晶界势垒对晶界层电容器性能的影响

本文从晶界势垒的角度研究了中间夹层的 Schottky 晶界势垒对晶界层电容的介电常数、工作电压等电性能的影响。对在空气中烧成和在还原气氛中烧成的 SrTiO_3晶界层电容器电性能的较大差别给予了一些解释。     

以LaNiO_3为电极在Si衬底上生长的(Ba,Sr)TiO_3薄膜的结构和介电性质

利用射频磁控溅射技术,在传导的钙钛矿型的LaNiO3电极上生长了(Ba,Sr)TiO3薄膜。为了研究生长温度对(Ba,Sr)TiO3薄膜结晶程度的影响,沉积过程中选择了100℃-700℃的衬底温度。在300℃的较低生长温度时,薄膜由无定型相开始转变为多晶相;当生长温度增加到500℃以上时,薄膜呈现出高度的(h00)取向。利用扫描电子显微镜(SEM),可以看到在600℃时,薄膜的表面形貌光滑而且致密。另外,随着生长温度的提高,薄膜的相对介电常数(rε)因为结晶性的改善快速增大;在500℃以上时增加得比较小。薄膜在600℃以上时,其介电损耗低于0.02。同时研究了不同生长温度条件下薄膜的电容-电压特性,薄膜的调谐率随着结晶性的改善获得了极大的提高,这主要是薄膜介电常数增大的结果。     

Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响

采用固相烧结工艺制备出了Ｓｒ_０．４Ｐｂ_０．６ＴｉＯ_３半导体陶瓷元件,其阻温特性具有独特的ＮＴＣＲ和ＰＴＣＲ复合效应,陶瓷室温电阻率及居里点以下的ＮＴＣＲ效应随着烧结温度的升高而提高,适当过量ＰｂＯ则能降低陶瓷室温电阻率及其ＮＴＣＲ效应．利用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＥＤＳ分别对样品的相结构、形貌及成份分布等进行分析,结果显示晶界中的Ｓｒ,Ｔｉ含量相对较高,而Ｐｂ含量相对较低,材料的阻温特性明显受其影响．铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现ＮＴＣＲ效应的主要原因之一,同时探讨了Ｙ^３＋离子掺杂（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ_３陶瓷的半导化机理和热敏特性．     

溶胶－凝胶工艺参数对（Pb，La）TiO_3薄膜结构的影响

系统地研究了溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）方法制备（Ｐｂ_（１－Ｘ）Ｌａ_ｘ）Ｔｉ_（１－ｘ／４）Ｏ_３（简称ＰＬＴ）薄膜时催化剂（或ｐＨ值）、溶液浓度在室温下对形成溶胶和凝胶的影响规律，用Ｘ射线结构分析和ＳＥＭ研究了热处理工艺对薄膜结构及晶粒尺寸的影响。实验表明，浓度、醋酸含量都存在一个最佳的范围，且随铜（Ｌａ）含量的增加，该范围减小；实验还发现，随着Ｌａ含量的增加，薄膜的晶化温度降低。在单晶（１００）Ｓｉ衬底上成功地制备出了具有钙钛矿型结构、厚度约为２００ｎｍ、均匀、致密、无裂纹的ＰＬＴ晶态薄膜。     

Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响

采用固相烧结工艺制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3半导体陶瓷元件，其阻温特性具有独特的NTCR和PTCR复合效应，陶瓷室温电阻率及居里点以下的NTCR效应随着烧结温度的升高而提高，适当过量PbO则能降低陶瓷室温电阻率及其NTCR效应。利用XRD，SEM和EDS分别对样品的相结构，形貌及成份分布等进行分析。结果显示晶界中的Sr,Ti含量相对较高，而Pb含量相对较低，材料的阻温特性明显受其影响，铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现NTCR效应的主要原因之一，同时探讨Y^3 离子掺杂（Sr,Pb)TiO3陶瓷的半导体机理和热敏特性。     

(Ph,La)TiO_3铁电薄膜的表面态分析

利用（Ｐｈ,Ｌａ）ＴｉＯ３陶瓷靶材,采用射频磁控溅射技术室温淀积,其后在６００℃下退火,制备ＰＬＴ铁电薄膜。通过对薄膜进行ＸＰＳ和ＥＤＡＸ分析,发现薄膜表面富钛。与利用其它工艺技术如多离子束反应共溅射、ｓｏｌ－ｇｅｌ等技术制备的ＰＬＴ铁电薄膜进行对比可以看出,利用不同技术制备的铁电薄膜,具有不同的表面态。     

BaWO4/(Ba|Sr)TiO3复合陶瓷的显微结构与介电性能

采用常规的陶瓷工艺制备了BaWO₄/(Ba,Sr)TiO₃复合陶瓷,并通过X射线衍射、扫描电镜及介电性能测试对陶瓷的烧结特性、微结构和介电性能进行了研究。结果表明,BaWO₄/(Ba,Sr)TiO₃复合陶瓷在1250～1300℃ 可以实现致密化烧结,且陶瓷由(Ba,Sr)TiO₃和BaWO₄两相复合而成,未检测到其它物相。随着BaWO₄含量的增加,材料的表观密度逐渐增大,介电常数和可调度逐渐降低,介电损耗变化不大,均在10-3量级。典型样品(60 %BaWO₄/40%Ba 0.5Sr 0.5TiO₃ , 质量分数)介电常数182.7,介电损耗0.0024,在2V·μm-1偏置电场下的可调度为14.7%,具有较好的介电性能。