TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性来源研究

采用不加偏压的磁控溅射法制备了带有和不带有金属Cr底层的TbCo非晶垂直磁化膜 ,并对TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性来源进行了研究。理论分析结果表明 ,TbCo非晶垂直磁化膜的垂直磁各向异性主要来自于Tb离子的非球对称分布电荷与膜内晶场之间的库仑相互作用以及膜内的应力。扫描电镜的观测结果表明 ,带有Cr底层的TbCo薄膜具有柱状结构。柱状结构的存在导致了其磁各向异性的增强。     

高速溅射垂直磁记录CoCr膜的现况

<正> 前言 1975年,岩崎俊一教授提出垂直磁记录技术以后,该技术迅速引起各国的广泛注意。1982年以来,已有东芝等多家公司采用垂直磁记录方式制成了软盘样机,其记录介质大部分采用Co-Cr单层膜或Co-Cr/Ni-Fe和Co-Cr/Ge双层膜。     

CoFeZrRE非晶薄膜的各向异性研究

研究了磁性稀土元素 (RE)的种类和含量 (0≤x≤ 3) ,对非晶态 (Co73 Fe2 0 Zr7) 10 0 -x (RE) x 薄膜各向异性的影响 ,并着重探讨该类薄膜中出现的平面单轴各向异性 (Ku)和垂直各向异性 (Kp)的起源问题。薄膜是在外加磁场中溅射而成。当掺入的稀土元素为Nd ,Pr,Dy和Tb时 ,获得了显著的平面单轴各向异性Ku ,且Ku与稀土元素的单离子各向异性密切相关。当稀土元素为Gd和Sm时 ,则会出现双轴各向异性 (Ku和Kp) ,这主要是成膜温度高于临界温度时 ,同时形成了 2种局域性的异质的磁结构。     

双离子束溅射非晶SiOxNy薄膜的光致发光研究

采用双离子束溅射法制备了SiOxNy薄膜,用X射线衍射分析(XRD),透射电子显微镜(TEM),X射线光电子能谱(XPS),傅立叶变换红外(FTIR)等对薄膜的结构进行了表征,分析了样品的光致发光(PL)特性。X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM)结果表明该薄膜具有非晶结构。XPS测试表明N1s的特征峰位于398eV,对应于N-Si键。在光吸收谱中,与Si-SiO2薄膜相比,SiOxNy的光学带隙得到展宽。在225nm的激光激发下,样品在室温下可发射可见光,峰位位于590nm,与N的缺陷有关。     

垂直记录溅射Co-Cr介质磁盘的研究

本文在分析盘片溅射工艺的基础上,介绍了系统地开展实验研究、取得垂直记录磁盘的合理条件。     

平面各向异性非晶铁磁薄膜磁谱模拟

使用Landau-Lifshitz理论分析模拟了平面各向异性非晶铁磁薄膜的磁谱。讨论了薄膜特征参数(饱和磁化强度Ms、阻尼系数α、各向异性常数Hk)在2-18GHz频率下对磁谱的影响。指明了设计宽频薄膜吸收材料的研究方向。     

防磁控溅射镀银膜变色新工艺

利用RSFM-4直流磁控溅射机在纯铜片上制备了银膜。采用了电化学纯化、化学纯化、浸涂BTA、涂覆DJB-823以及复合处理等多种防银膜变色工艺方法进行处理。分别在二氧化硫气体、硫化氢气体和硫化钠溶液中进行了加速银膜变色试验。通过对试验结果进行综合评价，表明采用化学纯化 涂覆DJB-823的复合处理工艺处理的银膜在各种环境下都有良好的抗银膜变色能力。     

ZrO_2溅射膜的柱状生长机制

气相沉积ZrO2 膜常为柱状结构 ,要更好地控制ZrO2 膜性能 ,需要研究ZrO2 膜中柱状结构的形成和演化规律 .在射频溅射条件下沉积了ZrO2 膜 ,发现该膜的柱状晶具有 { 111}面织构 ,其底层可能还有等轴晶 .提出以下柱状晶形成机制 :在光滑 (玻璃 )基片上形成的柱状晶源自于在基片表面形成的具有 { 111}面织构的最初晶核 ;在较为粗糙 (多晶Al2 O3)基片表面上形成的柱状晶源自于〈111〉晶向与沉积物质流方向一致的晶核择优生长及随后对其它取向的小晶核的吞噬而形成的晶核群 .基片表面粗糙时 ,由于柱状晶核经过晶核筛选产生 ,柱状晶底部可能有等轴晶层 ;若温度较低 ,出现等轴晶层可能性更大     

ZrO2溅射膜的柱状生长机制

气相沉积ZrO2膜常为柱状结构,要更好地控制ZrO2膜性能,需要研究ZrO2膜中柱状结构的形成和演化规律.在射频溅射条件下沉积了ZrO2膜,发现该膜的柱状晶具有{111}面织构,其底层可能还有等轴晶.提出以下柱状晶形成机制在光滑(玻璃)基片上形成的柱状晶源自于在基片表面形成的具有{111}面织构的最初晶核;在较为粗糙(多晶Al2O3)基片表面上形成的柱状晶源自于〈111〉晶向与沉积物质流方向一致的晶核择优生长及随后对其它取向的小晶核的吞噬而形成的晶核群.基片表面粗糙时,由于柱状晶核经过晶核筛选产生,柱状晶底部可能有等轴晶层;若温度较低,出现等轴晶层可能性更大.     

化学镀Ni-W-B非晶质电阻膜的研究

研究了化学懂Ni-W－B合金的工艺及性能．结果表明，在Ni-B槽液中加入一定量的钨酸钠溶液，不仅能得到含钨、硼的镀层，而且还能提高镀液的沉积速度；Ni-W-B合金层在镀态时为非晶态结构，它的电阻率随钨含量的增加而增大，随镀层厚度的增加而降低．     

非晶金刚石膜在高速钢丝锥上的应用

非晶金刚石膜具有高硬度、低摩擦系数和高热导率等优异性能,在刀具、量具和模具制造业有着广泛的应用前景。     

薄膜磁头用非晶软磁多层膜

研究了Co-Nb-Ti系非晶溅射薄膜的制作和交、直流磁特性,着重叙述了交叉磁场热处理对兆周下的起始导磁率μ′的影响,发现μ-T(热处理温度)曲线出现两个峰值,其曲线形状随成分而变化。进而研究了多层化对磁性的影响,制出了厚0.85μm的五层膜,其Bs为1.15T,10MHz下的μ′为9100。     

化学镀非晶质电阻膜的现状与展望

叙述了化学镀非晶质电阻膜分类和制作技术，其中包括Ｎｉ－Ｐ，Ｎｉ－Ｗ－Ｐ，Ｎｉ－Ｍｏ－Ｐ，Ｎｉ－Ｃｒ－Ｐ，Ｎｉ－Ｂ，Ｎｉ－Ｗ－Ｂ，Ｎｉ－Ｍｏ－Ｂ，Ｎｉ－Ｂ－Ｐ，Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＣ以及Ｎｉ－Ｂ－ＳｉＣ等非晶质电阻膜的化学镀技术。介绍了化学镀非晶质电阻膜的形成机理。归纳了化学镀非晶质电阻膜的优点，指出了今后的发展方向。     

膜厚对超薄四面体非晶碳膜应力和结构的影响

利用自主研制的45°双弯曲磁过滤阴极真空电弧技术制备超薄四面体非晶碳膜,研究了膜厚变化对超薄四面体非晶碳膜残余应力和微观结构的影响。结果表明:膜厚从7.6 nm增加到50 nm时,残余应力和sp3含量先减小后增加;当膜厚为29 nm时,可以得到最小的残余应力为3.9 GPa。制备的薄膜表面粗糙度都小于纯硅片表面粗糙度(0.412 nm),表明沉积的碳粒子可以减少基体表面的缺陷;基于磁过滤阴极真空电弧技术的优势,制备的超薄四面体非晶碳膜在较大区域内表面无大颗粒等物质。     

用溅射工艺镀可钢化低辐射膜玻璃的探索

1概述 离线溅射镀Low—E玻璃具有较高的可见光透过率和很低的热辐射率，其热辐射率比在线镀膜的Low—E玻璃更低，保温隔热性能更好。在镀膜后进行高温热处理方面，溅射镀Low—E玻璃性能处于劣势。探索可钢化热弯的Low—E玻璃一直是离线溅射镀膜玻璃行业的迫切要求。     

对向靶溅射参数对CoCr膜性质的影响

<正> 本文系统地研究了对向靶溅射参数对垂直磁记录介质 CoCr 膜结构和磁性的影响。一、引言近年来,随着垂直磁记录介质研究的发展,关于二极溅射、磁控溅射和射频溅射的溅射条件对 CoCr 膜性质的影响已有许多研究,但新型对向靶溅射仪溅射条件对 CoCr 膜性质的影响还不甚清楚。对向靶溅射中影响 CoCr 膜性质的因素很多。通过实验研究,我们发现氩气压力 P_(Ar),溅射电流 I_s,基板温度 T_s和基板负偏     

溅射法制备Al/Pb金属多层膜

通过直流二极溅射法制备了具有不同调制波长和周期的Al／Pb金属多层膜。分别通过扫描电镜、X-射线衍射试验以及能谱对多层膜的表面形貌、断面形貌、结构和组成进行了分析。结果表明,所制备的Al／Pb纳米多层膜既无新相生成也无非晶相产生;在亚微米尺寸范围内,铝和铅的微粒分布均匀;在纳米尺寸范围内,形成了Pb对Al的包覆。     

垂直管降膜蒸发器的传热研究

在接近工业应用的条件下,热通量为10～80kW/m~2、蒸发温度为80～100℃、料液雷诺数在2000～10.000范围内.在内径为22mm、长为4m的紫铜管内,测定了蒸汽加热的垂直管内降膜蒸发传热系数,并进行了传热系数试验关联。     

垂直管内降膜沸腾传热的研究

本文提出了降膜沸腾传热的物理模型和数学模型,全面考虑了对流流动与核式沸腾对膜传热系数的影响,以及液体流动对液膜内核式沸腾的抑制作用。该模型计算值与实验值吻合较好。