低应力振幅下非线性滞弹性内耗峰(P′1峰)的数值分析

通过差分方法，对在位错弯结气团模型的基础上推导出来的溶质原子在位错芯区内的纵向扩散方程，进行了数值求解，由此计算出了与Ｐ′１峰相应的内耗和横量亏损随温度和振幅的变化曲线．数值计算得到的内耗曲线与以前的实验曲线，无论在外观形态上，还是在移动规律上，都完全一样．这样就从定量上解释了Ｐ′１峰     

位错芯区扩散引起的非线性滞弹性内耗峰

若干年来,我们对于出现在Al-Cu和Al-Mg系中的表现正常和反常振幅效应的坐落在室温附近的内耗峰进行了系统研究,测得的激活能接近于溶质原子在位错管道中扩散的激活能，从而认为内耗峰的基本过程是溶质原子在隹错芯内的扩散，并且提出了根据位错弯结模型的物理图像。在70年代，Windler-Gniewek等根据弦模型对于位错芯内的扩散进行了理论计算，推导出描述内耗行为的数学表达式与我们的实验结果有许多相似之处。本文对于弦模型和弯结模型进行了对比，分析了位错芯内的纵向扩散和横向扩散所引起的内耗的非线性表现以及内耗峰温和峰高随着应变振幅和测量温度而变化的情况，进一步了我们发现的室温非线性内耗峰（非线性滞弹性内耗）是由于溶质原子在位错芯内扩散所引起的。 关键词：     

NiTi合金中应力诱导的I/C相变及其界面动力学的研究

在改装了的拉力试验机上,以不同的拉伸速率ε(0.79—18×10^-5s^-1)进行加、卸载试验,并用中间扭摆和四端电位法同时测量了Ni-49at％Ti合金丝在应力诱导I/C相变过程的内耗Q^-1、模量M/M₀、电阻率ρ/ρ₀和应力-应变曲线。研究了应力循环和应变速率的影响。在Q^-1-ε曲线上出现Q^-1峰,而在f²-ε曲线上出现与之相对应的模量极小。内耗峰的高度Q_p^-1和模量亏损值均随ε增大而增大。根据界面动力学模型和内耗的实验数据,计算得应力诱导I/C相变过程界面的动力学关系为V=V^*(△G—△G_R)^m,V^*和m为动力学参数,△G_R为相变过程中运动相界面所受的阻力,计算得△G_R≈1cal/mol。讨论了内耗和模量亏损、软模效应之间的关系。 关键词：     

铁磷合金中的Snoek-Kê-K?ster峰

用真空葛氏摆,研究了Fe-C+N-P合金系冷加工试样内耗。发现置换式固溶元素磷,强烈减低铁的S-K-K内耗(Q^-1)、降低内耗峰温度(T_p)和明显减小其弛豫激活能(H)。在铁中磷的固溶限度以下,内耗峰高度(Q_h^-1)随合金中磷浓度的三分之二次方(即位错线上磷浓度平方)C_p^2/3增加而线性减低。实验结果符合Schoeck理论。本文还讨论了内耗机制,认为它是非螺(包括刃)位错段拖曳Cottrell气团间隙溶质原子移动产生的。位错段运动以弯曲的方式进行。 关键词：     

与位错和点缺陷的交互作用有关的低温内耗峰

系统研究了出现在经冷加工处理的Al-Mg固溶体中的低温内耗峰。当测量频率约为1Hz时,分别在-70℃(P_L2峰)和-50℃(P_L1峰)观察到了两个内耗峰。详细研究了镁(Mg)含量,冷加工量,冷加工模式,不同合金元素(Ga,Zn),退火等诸因素对这两个内耗峰的出现及特性的影响。得出了P_L2峰与位错和“Mg原子-双空位”对的交互作用有关以及P_L1峰与位错和“Mg原子-单空位”对的交互作用有关的结论。 关键词：     

动态法拉第效应及其损耗机制

在磁光介质中，法拉第磁光效应的动态特性与静态特性具有明显的差别．交变法拉第旋转θ_t的实部θ′_t恒小于静态法拉第旋转θ_ｓ的实部θ′_ｓ，θ′_t＜θ′_ｓ，而虚部θ″_t＞θ″_ｓ．分析(BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂磁光单晶薄膜法拉第效应的测量结果表明，在交流磁场频率ω＞10 关键词：     

CH2Br2的同步辐射光电离研究:10—12eV范围内CH2Br2的振动自电离态

报道在超声射流冷却条件下用同步辐射ＶＵＶ光源研究ＣＨ₂Ｂｒ₂的振动自电离结构．根据测量的１０５—１２３ｎｍ范围内母体离子（ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺）的光电离产率曲线，获得ＣＨ₂Ｂｒ₂的绝热电离势为１０.２３±０.０１ｅＶ．ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺的最低三个电子激发态，即Ａ（²Ａ₂），Ｂ（²Ｂ₁），Ｃ（²Ａ₁）分别位于１０.７８±０.０１ｅＶ，１１.２０±０.０１ｅＶ和１１.２７±０.０１ｅＶ．在１１５.０１—１２１.１５ｎｍ范围内，观察到ＣＨ₂Ｂｒ₂自电离峰叠加在若干台阶结构上，台阶平均宽度为７１６.８±４０.０ｃｍ^-1，对应于ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺（Ｘ²Ｂ₂）中Ｂｒ-Ｃ-Ｂｒ反对称的伸缩振动（ｖ₉），所有的峰均归属为收敛于ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺（Ｘ²Ｂ₂，ｖ⁺）振动能级的ｎｓ，ｎｐ和ｎｄ自电离Ｒｙｄｂｅｒｇ态．此外，对ＣＨ₂Ｂｒ₂光解离电离产生离子型自由基ＣＨ₂Ｂｒ⁺（Ｘ）的光电离产率曲线的结构也进行了归属 关键词：     

描述蠕变过程中内耗的四参量模型

实验表明:蠕变过程中的内耗兼有Maxwell二参量模型的性质和滞弹性三参量模型的性质。本文提出一个用以描述蠕变过程中内耗的四参量模型。由此模型推导出的内耗表达式为Q^-1=1/(ωτ₁)+△(ωτ₂)/(1+ω²τ₂²),式中ω为测量圆频率,τ₁和τ₂分别为粘弹性内耗和滞弹性内耗的弛豫时间,△为弛豫强度。这个内耗表达式可以满意地说明蠕 关键词：     

超晶格相变的逾渗机制

把超晶格相变的哈密顿量写成Ising形式,由Ising模型与键逾渗间的对应关系,得到超晶格相变的短程序参量为P′=1-e^-2J/kT;由Monte-Carlo模拟定出L1₀结构的相变点为P′_bc=0.3436,L1₂结构的相变点为P′_bc=0.4924;建立了P′_bc与相应结构上普通键逾渗阈值P_bc间的关系P′_bcx=P_{b 关键词：}     

镁-锌时效合金中一维过渡相β′2的晶体学研究

采用X射线衍射方法,显示出镁-5Wt％锌合金在165℃时效初期有两种过渡相β′₁和β′₂共存。对细杆状过渡相,β′₂的一维衍射现象进行了详细分析。这种过渡相具有六角点阵结构,其[0001]轴是杆的长轴,它的点阵常数及与母相间的取向关系经测定为:a_(β′2)=13.2?,c_(β′2)=5.25?,[0001]_{(β′2)关键词：}     

铝-铜-镓三元系合金相图

铝-铜-镓三元系合金相图的室温截面已经用X射线方法测定出来了。室温固相截面包含11个单相(即α, γ₂, γ′, δ, ζ₁, ζ₂, η₂, θ, θ′,α_铝和镓)相区,14个双相(即α + ζ₁, α+ γ₂, α + γ′, γ₂ + γ′, γ′+ ζ₁, γ₂+δ, γ′+δ,δ +ζ₂, ζ₂+η₂, η₂+θ,η₂+ θ′, γ′ + θ′, θ′+ 镓和θ+α_铝)相区和9个三相(即α + γ′+ζ₁, α+ γ₂+ γ′, γ₂+ γ′ + δ,γ′ + δ + θ′, δ+ζ₂+θ′, ζ₂ + η₂ + θ′, η₂+ θ′ + 镓, η₂ +θ + 镓和θ +镓+ α_铝)相区。所有单相和三个二元系内室温存在的单相相同,没有新相出现。 关键词：     

金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜

利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向的ＬａＡｌＯ_３，ＳｒＴｉＯ_３和重掺杂硅单晶衬底上制备ＰｂＴｉＯ_３铁电薄膜，并通过Ｘ射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析．Ｘ射线θ－２θ扫描显示硅衬底上得到了ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜，另两种衬底上得到了择优取向的ＰｂＴｉＯ_３薄膜．ＬａＡｌＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜有ａ和ｃ两个取向，也就是薄膜中存在着９０°畴结构，而生长在ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜中只存在ｃ方向的择优取向．由于薄膜的尺度效应，发现ｃ轴晶格常数与块材相比均缩短．Ｘ射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性，利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质，进一步证明了ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜的单畴特性．利用重掺杂的硅衬底作底电极，测量显示直接生长于硅衬底上的ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜具有良好的铁电性能 关键词：     

Gd1-xCaxBa2Cu3O7-y高温超导体压力效应的研究

研究了Ｇｄ_1-xＣａ_xＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-y（０．０≤Ｘ≤０．２０）高温超导体在常压和高压下的超导电性在１－３００Ｋ温度范围内，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ对顶砧获得压力达９．０ＧＰａ，测量了（Ｘ＝０．１０，０．１５，０．２０）样品的ｄＴ_c／ｄｐ分别为７．６８，７．８和４．４６Ｋ／ＧＰａ。发现Ｔ_c的压力导数随着ｃａ²⁺含量的增加而下降，分析了氧含量对Ｔ_c和ｄＴ_c／ｄＰ的影响．利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变，说明ＣｕＯ₂面在超导电性上的作用，用ＣｕＯ₂面之间耦合解释Ｔ_c（Ｐ）曲线的非线性关系。 关键词：     

扰动对一维局域模的影响

在紧束缚模型基础上，考虑到缺陷、温度、掺杂等外界因素的影响，用方形随机分布模拟了格点原子扰动对一维局域模的影响.给出了不同扰动参数σ下，孤子和极化子中各个局域模的变化情况.计算发现，由于孤子g₁模的钉扎效应，扰动后，弱模g₄定域性会得到加强，还会产生两个新定域模g′₁和g′₂，它们与相应的g₁和g₂模有相同的节点和宇称 ；极化子的g₇模在畸变较大时将 关键词： 扰动 局域模 聚合物     

(Ba_(1-x)K_x)BiO_3电子结构与超导电性

用第一原理的ＬＤＦ-ＬＭＴＯ-ＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ_３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ^３＋和Ｂｉ^5＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ₄Ｂｉ₄Ｏ₁₂，（Ｂａ_３Ｋ）Ｂｉ₄Ｏ₁₂，（ＢａＫ）Ｂｉ₂Ｏ₆，（ＢａＫ_３）Ｂｉ₄Ｏ₁₂，Ｋ₂Ｂｉ₂Ｏ₆（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅ_g＝１.６ｅＶ及Ｅ_g＝１.５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０.５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ_1-xＫ_x）ＢｉＯ_３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔ_c在ｘ＝０．２５附近的突变 关键词：     

超声冷却SO2( 1A2— 1A1)激光诱导荧光激发谱的转动分析

通过改变SO₂/Ar配比，研究了超声膨胀冷却SO₂( ¹A₂— ¹A₁)系统315—330nm波段振动分辨的激光诱导荧光(LIF)激发谱.获得了属于两个完整带系(1,m,1),(0,n,1)—(0,0,0)的高分辨转动结构谱.其中(ν′₁,ν′₂,ν′₃)=(0,9,1),(0,10,1),(1,7,1),(1 关键词：     

Bi0.8Pb0.2SrCaCuOy超导体中磁通运动引起的内耗峰

在线性增加磁场的条件下,用变频倒扭摆测量了配比成份为(Bi_0.8Pb_0.2)SrCaCu₂O_y的试样在超导态时磁化过程中的低频内耗。测量温度为95K,试样处于零电阻状态,所用频率为0.5-5Hz.在内耗-场强H曲线上观测到内耗峰,它有如下特点:1)峰高随加场速率H的增大而增大,但随测量频率的增大而降低;2)峰值处的场强为4-6mT;3)当H由非零值突然改变至零时,磁化过程特征内耗消失;4)试样处于正常态时,上述特征内耗消失。认为超导体在磁化过程中的上述特征内耗是量子磁通的运动所引起来的。 关键词：     

氨分子在000和201带的选择光离解

本文利用脉冲紫外激光(UV)选择激发氨分子到?¹A″₂电子激发态的两个最低振动能级ν′₂=0和ν′₂=1(ν₂振动),然后检测新生态H原子的飞行谱(TOF),研究了氨分子的光碎片动力学。光谱证实了最近所测的离解能D₀⁰(H-NH₂)=4.645eV;绝大多数生成的NH₂(X²B₁)基处于非振动激发,但是具有围绕a惯性轴的高度转动激发。通过NH₃(?)的ν′₂=1光离解产生的NH₂(X)基具有较高的内部激发,并且显示了在N=K_a转动能级上的反转布居。 关键词：     

一维单峰映象的拓扑熵

在对Logistic映象数值计算的基础上,我们分析了一维单峰映象的逆轨道结构,证明了不同参数处逆轨道总数N(n)随求逆次数n而变化的递推公式。借此解析地求得了在倍周期区中h(f)≡0;在U序列RLR²¹的m=3+2l周期点上h(f)=logα_mp,其中α_mp为方程α^m-2α^m-2-1=0的最大实根;在2^j-1常和2j带交界处h_j(f)=(1/2)^jlog2,由此可得聚点μ_∞处拓扑熵的标度指数t=0.449806…。在此基础上,我们还求得了混沌区的周期窗口,U序列RL^aR^b所对应的各点处的拓扑熵,以及h_R*Q(f)=(1/2)h_Q(f)的关系。证明是在M.S.S.规则和“*”乘法则的基础上进行的。所以本文的结果对一维单峰映象是普适的。 关键词：     

相对论性氢原子径向算符矩阵元的通项计算公式

给出了相对论性氢原子径向算符矩阵元〈n′₁,K₁,j₁,m_j1|r^p|n′₂,K₂,j₂,m_j2〉的通项计算公式. 关键词：