重掺砷单晶硅制备中砷的蒸发速率常数的测定

在采用柴式(Czochralski, CZ)法生长重掺砷(As)单晶硅的过程中,掺杂剂——As具有较强的蒸发性。 为了有效抑制As蒸发对单晶硅电阻率的影响,需要测定As的蒸发速率常数。通过实验测量 给出了晶体样块中As浓度随蒸发时间的变化曲线,然后对实验曲线进行了线性回归分析,得到了 重掺As单晶硅制备中As的蒸发速率常数(1.43×10-4 cm/s)。该结果在实际应用中被验证是正确而有 效的,这对精确控制重掺As单晶硅的电阻率有着重要意义。     

InCl分子B~3∏_1态时间分辨谱研究

采用激光诱导荧光技术对ＩｎＣｌ分子 Ｂ３∏１→Ｘ１∑＋荧光光谱进行了分析和归属,并对Ｂ３∏１（ｖ’＝０）→Ｘ１∑＋（ｖ＂＝０）的时间分辨谱进行了观测．首次得到ＩｎＣｌ分子Ｂ２∏１态（ｖ＇＝０）无碰撞辐射寿命 ０≈３５３ｎｓ;无辐射弛豫速率常数ｋＱ≈１．９８５×１０－１０ｃｍ３ｍｏｌｅｃ－１ｓ－１及电子跃迁矩｜Ｒｅ｜２＝ ０．４０Ｄ２．     

大气压电晕放电离子迁移谱测量溴代烷烃的电子吸附速率常数

常温大气压下,在电子能量为0.35～0.65 eV的范围内,使用氮气负电晕放电-电子吸附-离子迁移谱,测量了CH2Br2,CH2BrCl,CHBr3的电子吸附速率常数,得到电子吸附速率常数的大小关系为k(CH2Br2)＞k(CH2BrCl),k(CH2Br2)＞k(CHBr3),并根据电子亲和势对CH2Br2和CH2BrCl的大小关系进行理论分析.首次对CHBr3的电子吸附过程进行了定性分析,发现样品蒸汽在迁移区通入迁移管时,溴离子会与CHBr3分子络合成团簇离子Br-(H2O)n(CHBr3)m.     

基于激光激发多模态超声波速测量的材料弹性常数测定

提出了利用精确测量激光激发的多种模态的超声波速来测定各向同性材料密度和二阶弹性(SOE)常数的实验系统和方法。把Nd:YAG激光器产生的激光聚焦成线源在样品表面不同位置激发3种模态的超声波,采用自行设计的压电陶瓷(PZT)传感器分别探测接收表面波、纵波和横波信号。利用扫描激光源技术和波形相关技术精确测算表面波波速,再根据体波传播距离和到达时间分别计算纵波和横波波速,最后根据瑞利方程和克里斯托费尔的弹性理论,计算得到材料的密度和二阶弹性参数。实验结果表明,该方法测得的铝样品的密度和二阶弹性常数C11,C44具有较高的可靠性和测量精度。     

O_2(1∑_g~+)和O_2(~1△g)的碰撞发射谱

利用微波激励高纯 O2 观测到了峰值波长分别为 4 5 0 .8nm、5 6 5 .9nm的 2个新谱带。实验研究和动力学过程分析证明 ,这 2个新谱带是 O2 的激发态 O2 (1 +g )和 O2 (1 Δ g)碰撞反应发射的。     

纳米粉体（TiO2_）_（1－x）（Y_2O_3）_x的拉曼光谱研究

纳米粉体（ＴｉＯ２＿）＿（１－ｘ）（Ｙ＿２Ｏ＿３）＿ｘ的拉曼光谱研究蔡继光，张小未，孙真荣，王祖赓（华东师范大学物理系上海２０００６２）氧化钛单晶和超细粉末在现代工业上有较广泛的应用，关于纯氧化钛单晶和粉体材料及其结构、性能方面的研究国内外已有不少报...     

非晶硅碳（a-SiC∶H）薄膜光学常数的透射谱表征

报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序．这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系，所有公式均为解析表达式，便于进行数据处理，无须专用软件，使用Excel即可完成，适用于多种半导体薄膜材料．将这种方法应用于PECVD方法制备的非晶硅碳（a-SiC∶H）薄膜，对其光学特性进行了分析．     

NO分子A^2∑（v’=1）→X^2∏（v”=1～11）跃迁的激光诱导荧光光谱

用Nd1YAG激光器泵浦光学参量发生放大器做激发源，利用激光诱导荧光光谱技术得到NO分子在200～370nm范围内的荧光光谱，谱线峰值归属于A^2∑(v’=1)→X^2∏(v”=1,3～11)跃迁，用最小二乘法拟合获得NO分子X^2∏态振动常数，计算出平衡位置的力常数k。通过测量NO分子在不同气压下A^2∑→X^2∏跃迁的时间分辨谱，得到A^2∑(v’=1)态的自然寿命为180ns。结果可为用激光诱导荧光光谱技术探测大气污染物NO分子提供理论及实验参考。     

生长在Ge_xSi_（1－x）（001）衬底上的量子阱Si／Ge_xSi_（1－x）的电子能带结构

根据电子能带的畸变势常数计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的量子阱Ｓｉ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ的电子势垒高度，讨论了电子势垒高度随合金组分ｘ的变化情况。并用包络函数方法计算了不同合金组分ｘ时的量子阱的子能带结构。计算结果表明［００１］及［００１］导带底电子量子阱处在Ｓｉ层，而其它四个导带底能谷的电子量子阱处在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金层。两类量子阱的电子势垒高度均随着衬底合金组分ｘ的增加而增加。     

Hg1—xCdxTe光学常数测量

根据半导体光学常数间的关系,通过测量Hg_(1-x)Cd_xTe晶片不同厚度时的透射比,求得了Hg_(1-x)Cd_xTe的光学常数。本文采用迭代法精确求解有关方程组,避免了计算过程引入的误差,提高了测量结果的精度。这种方法也适用于其他半导体光学常数的测量。     

GdCa_4O(BO_3)_3晶体电弹常数的测量

首次测量了ＧｄＣａ_４Ｏ（ＢＯ_3）_3晶体的全部介电常数、压电应变常数和部分机电耦合系数。     

(Sr_(0.5)Ba_(0.5))_(1.9)Ca_(0.1)NaNb_(5–x)TaxO_(15)陶瓷的介电性能

通过Ta掺杂改性钨青铜陶瓷(Sr0.5Ba0.5)1.9Ca0.1NaNb5–xTaxO15(x=0～0.30),分析了Ta掺杂量对其烧结性能、微观结构及介电性能的影响。陶瓷的烧结温度随x的增大略有提高。当x<0.10时,陶瓷的tC和弛豫性变化不大;当x≥0.10时,tm(1kHz)明显降低,从270℃(x=0)降低至231℃(x=0.30)。且tm随频率增加向高温移动,弛豫性明显增强。认为Ta掺杂引起其性能变化是由于Ta—O键与Nb—O键键能的差异,导致陶瓷氧八面体中心离子位移量以及A位离子有序程度的变化所致。     

激光器速率方程参数的实验提取及动态特性实验

通过实验测量和拟合的方法得到10Gb/s半导体激光器内部参数,用于解激光器单模速率方程.由此分析激光器增益开关输出脉冲的波形和啁啾特性,并通过不同光纤传输实验,证明计算与实验结果吻合.     

Ba(Ti0.91Zr0.09)1-3x /2 MoxO3铁电陶瓷的相变弥散

采用固相反应法制备了MoO3施主掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,借助Agilent4284A、ZT—I电滞回线和d33测量仪,研究了MoO3含量对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷介电性能的影响。结果表明:掺杂MoO3能降低Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的烧结温度。当x(MoO3)为0.05时,ρv达到最佳值5.682g·cm–3;tanδ最小为0.0157;εr为2510,相变温度向高温方向移动。在所研究的组分范围内,样品表现出扩散相变铁电体的特征,但未观察到典型的介电弛豫行为。     

K0.9Li0.1（Ta0.5Nb0.5）O3晶体压电应变系数的测量

用准静态ｄ＿（３３）测量仪和干涉法相结合。测量了Ｋ＿（０．９）Ｌｉ＿（０．１）（Ｔａ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５））Ｏ＿３晶体的压电应变系数。结果为：ｄ＿（３３）＝８６．０，ｄ＿（３３）＝一２９．５，ｄ＿（１５）＝１１２．９×１０￣（－１２）Ｃ／Ｎ．     

YCaO(BO_3)_3晶体电弹常数的测量

首次测量了 YCa O(BO3) 3晶体的全部压电应变常数、压电应力常数、弹性柔顺常数、弹性刚度常数以及介电常数。     

CS_2、SO_2对亚稳态Co（a）的猝灭及化学发光

本文利用流动余辉技术测定了ＣＳ２、ＳＯ２对亚稳态分子ＣＯ（ａ）的电子态猝灭速率常数，实验中观察到ＣＳ２、ＳＯ２对ＣＯ（ａ）的猝灭产物ＣＳ（Ａ，ａ—Ｘ）、ＣＳ（Ａ—Ｘ）、ＳＯ（Ａ—Ｘ）的化学发光，讨论了猝灭和产物的形成机理，测得了产物的形成速率常数，获得了产物初生振动布居的信息，并用统计模型对态布居进行了分析。     

漏率公式与判据和内部气体含量的分析研究(一)

在对氦质谱细检漏漏率公式的分析和对密封腔体内外气体交换过程公式的推演中,以氦气标准漏率LHe代替等效标准漏率L,引用了氦气交换时间常数τHe,使公式更为真实和简单直观。通过漏率偏差的分析和内部气体含量的计算表明,能够应用文中的公式对密封腔体内外气体的交换过程进行工程计算。计算分析了现行某些标准中各种试验条件漏率判据所对应的τHe,着重指出漏率符合接收判据并不能有效保证内部水汽含量要求。讨论了这些标准中进行的改进、存在的密封性等级及进一步改进的必要,并提出了建议进行研究的内容。     

单原子层应变超晶格(Si)_1/(Si_(1-x)Ge_x)_1(100)的电子结构

在计入应力的紧束缚框架之下计算了单原子层应变超晶格(Si)_1/(Si_1-xGo_x)_1的电子结构.对应于不同应变条件,得出能隙随组分的变化,并结合能带边不连续的变动加以考察.超晶格取Si(或Ge)晶格常数后能隙随组分的非单调变化源自合金受相同应力后能隙的类似特点.超晶格能带及态密度均呈现类Si的闪锌矿结构对称性.在虚晶近似得出的能隙和电子状态密度的基础上,利用相干势近似作了进一步的修正.