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1.
研究了(Fe1-xWx)84.5B15.5(x=0—0.1)非晶态合金的电阻率ρ与温度T(4.2—300K)的关系。实验结果表明,在所研究浓度区域内均出现电阻率与温度关系的极小值,电阻率极小值的温度Tmin在x=0.06时出现峰值。用x=0.02—0.1浓度区域内,当Tmin时,又出现了电阻率与温度关系的极大值,电阻率极大值的温度Tmax在26—35K之间。低温电阻率反常现象与类Kondo效应及局域磁矩之间RKKY相互作用有关。
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用单辊急冷法制备了非晶态(Fe1-xVx)84B16(x=0,0.02,0.04,0.06,0.10)合金的薄带,分别用磁天平和四端引线法测量了饱和磁化强度和高温电阻率的温度关系。得到平均每个磁性原子的磁矩随V含量的增加近似线性下降,计算出每个Fe原子和每个V原子的平均磁矩分别为2.08μB和-5.08μB。居里温度Tc从x=0时的622K下降到x=0.10时的478K。利用自旋波激发公式:σ(T)=σ(0)(1-BT*
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3.
研究了非晶态Sm-Fe和Sm-Co薄膜在1.5—300K的磁性。发现Sm-Fe薄膜中Fe原子磁矩取向存在分散性,Sm-Co薄膜中Co原子有效磁矩随Sm含量的变化与Nd-Co非晶薄膜很相似。决定了Sm-Fe薄膜具有散铁磁结构,Sm-Co薄膜为共线铁磁性结构。Sm原子磁矩≈0。报道了这两个非晶合金系列的矫顽力Hc与成份和温度的依赖关系。发现Sm-Fe薄膜的Hc较高于Sm-Co的值;前者随Sm含量增加而急剧上升,并随温度升高而陡降;后者的Hc在Sm含量≈43at%有极大值,并以指数形式随温度升高而减小。发现低温范围内磁化强度随温度变化与自旋波激发和Stoner激发都有关系。
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非晶态稀土-过渡金属合金亚铁磁薄膜具有很强的垂直磁各向异性、超快的磁矩翻转速度以及磁矩和角动量补偿的特性,是当前自旋电子学以及超快信息存储领域的重要研究对象.本文采用磁控溅射制备了系列X/Tbx(Fe0.75Co0.25)1–x/X三明治结构薄膜(0.13≤x≤0.32, X=SiO2, Pt和W),系统地研究了重金属Pt, W作为TbFeCo超薄膜的缓冲层和覆盖层(统称包覆层)对其室温下磁性和热稳定性的影响.实验结果显示,被SiO2包覆的TbFeCo薄膜具有垂直磁各向异性,磁矩补偿成分在0.21 相似文献
5.
本文研究了TbFe2非晶态薄膜的磁性和电性,测量了Ms(T)(77—800K),ρ(T)(4.2—400K)和穆斯堡尔谱(18K,400K),得到居里温度Tc~400K,电阻极小值温度Tmin~360K,在T<360K范围内观察到温度系数为负的类Kondo效应,用Hesse和Window两种不同方法解出了室温穆斯堡尔谱的超精细场,得到了H=210kOe和H=25kOe两种分布,其中前一组给出了铁磁性,后一组可能与类Ko
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本文讨论了非晶态NdxT1-x(T=Fe,Co,Ni)薄膜为滋结构,以及在低温下磁化强度随温度变化的反常特性,在20K附近观测到磁化强度有陡降现象,并且在较大的成份范围内所对应的温度基本不变,我们认为,在这类非晶态合金中,当Nd含量超过一定值后,其磁中性态(通称基态)可能同时是散反铁磁性和散铁磁性的共存态,在20K附近的磁化强度发生陡降,是散反铁磁性←→顺磁性相转变的反映,这两种磁结构共存的临界成份相应约为:Nd-Fe情况x≥0.45;Nd-Co,x≥0.20;Nd-Ni,x≥0.08。
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用闪光蒸镀法在77K制备了NdxFe1-x(x=0.06-0.80)非晶薄膜,原位测定了其电阻随温度的变化。结果表明:在0.192和ρ(T)∝T。晶化不是在一个固定的温度,而是在一个温度区间发生。 相似文献
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针对Sm-Fe薄膜的不同晶态组织演化和磁性能调控问题,采用分子束气相沉积方法制备Sm-Fe薄膜时,通过改变Sm含量、膜厚和强磁场来调节薄膜的晶态和磁性能.结果表明,Sm含量可以调节Sm-Fe薄膜的晶态组织演化,而晶态组织的演化和强磁场对磁性能有显著影响.Sm-Fe薄膜在Sm原子比为5.8%时是体心立方晶态组织,在Sm含量为33.0%时为非晶态组织,而膜厚和强磁场不会影响薄膜的晶态组织.非晶态薄膜的表面粗糙度和表面颗粒尺寸都比晶态薄膜的小,施加6 T强磁场会使表面颗粒尺寸增大,而表面粗糙度降低.非晶态薄膜的饱和磁化强度M_s比晶态薄膜的M_s(1466 emu/cm~3,1 emu/cm~3=4π×10-10T)低约47.6%,施加6 T强磁场使非晶态和晶态薄膜的M_s均降低约50%.Sm-Fe薄膜的矫顽力H_c在6—130 Oe(1 Oe=103/(4π)A/m)之间,其中,非晶态薄膜的H_c比晶态薄膜的H_c大.施加6 T强磁场使晶态薄膜的H_c增大,而使非晶态薄膜的H_c减小,最高可以减少95%.结果表明含量和强磁场可以用于调控Sm-Fe薄膜的晶态和磁性能. 相似文献