小型化恒温压控振荡器设计

采用附加恒温电路对振荡器进行温度补偿，进而实现了低温漂。在结构设计上摒弃了传统的复杂恒温槽结构，改为对管壳封装的集成ＶＣＯ进行局部恒温，讨论了对温度漂移有影响的关键因素，通过合理设计，达到了要求的技术指标，实现了小型化。     

GPS射频接收芯片中低功耗压控振荡器的设计

设计了一种应用于GPS射频接收芯片的低功耗环形压控振荡器.环路由5级差分结构的放大器构成.芯片采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺,核心电路面积0.25 mm×0.05 mm.测试结果表明,采用1.75 V电源电压供电时,电路的功耗约为9.2 mW,振荡器中心工作频率为62 MHz,相位噪声为-89.39 dBc/Hz @ 1 MHz,该VCO可应用于锁相环和频率合成器中.     

准恒定压控增益的压控振荡器设计

在DRM DAB系统设计中,压控振荡器需要满足宽的调频范围,而其压控增益的差别需要控制在一定的范围内,以使得锁相环的稳定性得到提高,同时为了降低锁相环环路对噪声的敏感性,我们需要低的压控增益。据此,本文所采用的可变电容阵列结构有效地满足了上述要求,使用SMIC 0.18μm CMOS工艺,仿真得到的结果显示在1.71G振荡频率1MHZ频偏处的相位噪声为-124.3d Bc/Hz.压控范围为1.71-2.31GHz。     

小型化恒温压控振荡器设计

采用附加恒温电路对振荡器进行温度补偿 ,进而实现了低温漂。在结构设计上摒弃了传统的复杂恒温槽结构 ,改为对管壳封装的集成 VCO进行局部恒温 ,讨论了对温度漂移有影响的关键因素。通过合理设计 ,达到了要求的技术指标 ,实现了小型化。     

闭环压控振荡器的设计

压控振荡器在许多电子设备中得到应用。平显火控系统中的f_d信号发生器实际上可以认为是一个压控振荡器。其输入信号是—控制电压即频偏调制电压,输出是频率与输入电压成线性关系的正弦波。开环压控振荡器对于输出频率与输入电压之间的线性关系难以保证。现在采用的ICL8038是一集成压控振荡器,其线性度在10倍程的频率范围内较好,而在更大范围内则有所下降。另外,该器件输出频率的温度稳定性不够高,特别是国产5G8038尽管价格较进口的ICL8038便宜近十倍,但温度稳定性更差。本文介绍一种闭环压控振荡器电路,以稳定输出频率与输入电压间的线性度。     

低噪声CMOS环型压控振荡器的设计

应用增益补偿技术，设计了一种结构新颖的CMOS单端反相器环形压控振荡器，该电路具有较低的压控增益，较好的线性，较强的噪声抑制能力。采用lstsilicon 0,25μmCMOS工艺进行仿真，结果显示：在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为一108dBc。     

适用于2．4GHz锁相环LC压控振荡器设计

本文设计了一种适用于2．4GHz锁相环的LC压控振荡器,采stoic0．13ffCMOS工艺,中心频率2．4GHz,频率调谐范围136MHz,在1．8v电压下工作时,静态电流为5mA,在偏离中心频率1MHz处,测得相位噪声为-111dBc／Hz。     

传输线压控振荡器

一个现代化的数字式频率合成器,其性能的好坏,主要取决于其相位噪声的大小,而它在很大程度上取决于频率合成器中的压控振荡器(VCO)本身相位噪声的优劣。设计和制造出低相位噪声的 VCO 就成为设计制造频率合成器的一个关键问题。一、电路的主要技术要求对于锁相环中的 VCO,一般应考虑以下几个方面的要求:(1)频率变化范围必须满足锁相环所要求的输出范围,并要有一定的余量。(2)频率稳定度要求长期慢漂移不超过锁相环的同步带,对取样环更不能超过±f_r/2(f_r为参考脉冲频率)。(3)要求 VCO 的相位噪声 S_((?)VCO)越小越好。(4)希望输出频率随输入电压的变化尽可能是线性的,因为如果 VCO 电压频率特性是非线性的,阻尼系数ζ与环路固有频率ω_n 就会随     

低噪声SAW反馈稳定压控振荡器

仔细选择声表面波谐振器,可得到输出很纯的300MHz压控振荡器(VCO)。用于锁相环(PLL)的压控振荡器必须经常在调频范围和相位噪声之间折衷考虑,以确保所有条件下的锁定。怎样得到好的折衷以满足低噪声指标将取决于选择的谐振器带宽,插入损耗和稳定度。声表面波谐振器提供了这种通用性并可在300MHz压控振荡器内得到非常低的噪声。     

微波压控振荡器的发展与选用

介绍微波压控振荡器的发展情况和性能参数的特点及选用时应注意的问题。     

电荷泵锁相环中压控振荡器的噪声设计

在分析和比较反相型VCO(压控振荡器)、差分对型VCO、LC型VCO工作原理和特点的基础上,综合差分对型和LC型VCO的优点,设计了一种全差分结构的LC型VCO(使用键合线等效电感及附加COMS电容阵列作为LC元件),具有较高的电源噪声和衬底噪声抑制能力。仿真结果表明,VCO工作频率范围1.98 GHz~2.06 GHz,相位噪声-89 dBc/Hz。本VCO适合于低功耗设计。     

1V 2.5GHz压控振荡器设计

设计了 1V ,2 .5 GHz的全集成压控振荡器 .通过优化集成电感的设计 ,同时采用 NMOS管和开关电容阵列作为可变电容 ,使该设计具有较低的相位噪声和较宽的调谐范围 .采用 0 .18μm CMOS工艺进行仿真 ,结果显示 ,在1V电源电压下 ,在偏离中心频率 6 0 0 k Hz处的相位噪声为 - 119d Bc/ Hz,调谐范围为 2 8% ,功耗为 3.6 m W.     

低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计

与传统的硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结双极晶体管(HBT)具有特征频率高、1/f噪声小的优点,可以用在微波频段内的单片集成电路设计中。采用异质结双极晶体管(HBT)设计一种低相位噪声HBT单片VCO电路,芯片电路测试结果:电压控制频率范围fo=8.0~9.5 GHz;输出功率Pout=7~9.5 dBm;在偏离振荡中心频率foffset为100 kHz时相位噪声Pn=-106 dBc/Hz。     

一种低噪声CMOS差分环型压控振荡器的设计和分析

设计和分析了一种高稳定性,宽频带范围,低噪声的差分环型压控振荡器.该电路具有较低的压控增益,较好的线性范围,较低的相位噪声.应用复制偏置电路,对差分环型压控振荡器的控制电压进行复制,以提高对环型压控振荡器电源电压噪声和衬底噪声的抑制.采用0.6 tanCMOS工艺进行模拟仿真,当控制电压从1 V到3.2 V变化时,相应的振荡频率为130 MHz到740 MHz;在偏离中心频率100 kHz,1 MHz频率处的相位噪声为-89 dBc,-110 dBc.     

高性能超低功耗的4.224GHz正交LC VCO

采用Jazz0.18μm RF CMOS工艺设计并实现应用于MB-OFDM超宽带频率综合器的4.224GHz电感电容正交压控振荡器。通过解析的方法给出了电感电容正交压控振荡器的模型,并推导出简洁的公式解释了相位噪声性能与耦合因子的关系。测试结果显示,核心电路在1.5V电源电压下,消耗6mA电流,频率调谐范围为3.566~4.712GHz;在主频频偏1MHz处的相位噪声为-119.99dBc/Hz,对应的相位噪声的FoM(Figure-of-Merit)为183dB;I、Q两路信号等效的相位误差为2.13°。     

一种钽酸锂压控振荡器的设计与实现

该文使用具有低电容比、宽调谐范围的钽酸锂晶体设计了一巴特勒共基低相位噪声压控振荡器,此设计在寻求高有载品质因数QL的同时保持了振荡器的输出功率。使用的钽酸锂晶体的无载品质因数Q0约为1.24×103,其频率为10.727MHz。设计出的巴特勒振荡器QL≈33%Q0,输出功率约为11dBm。不加压控的情况下,实际测得该振荡器的相位噪声结果为-85dBc/Hz@10 Hz和-145dBc/Hz@1kHz。在此基础上,增加一变容二极管作为压控元件设计了钽酸锂压控振荡器,在2~10 V范围内,测得控制电压压控斜率约为86.6×10-6/V,相位噪声测试结果优于-82dBc/Hz@10Hz和-142dBc/Hz@1kHz,实现了具有宽调谐范围的低相位噪声钽酸锂振荡器的设计。     

基于单片机控制的微波压控振荡器设计

微波压控振荡器是一种常见的微波频率源,广泛应用于通信、测量等领域.由于压控振荡器自身的特性限制,很难得到线性可预知的频率输出.设计了一种基于单片机控制的微波压控振荡器,该系统实现频率的数字可控线性输出.系统同时考虑了环境温度对系统的影响,由单片机处理分析温度传感器获取的温度值,将其结果和用户输入电压叠加,经数/模转换、运算放大后控制微波压控振荡器的偏置电压,控制输出频率.经实际测试,系统达到了微波数控压控振荡器的技术要求.     

声表面波压控振荡器的可靠性

对一种声表面波压控振荡器的工作失效率进行了预计。建立了由５个单元组成的可靠性串联模型。应用可靠性预计手岫计算了各单元的工作换效率。结果表明,在＋７０℃和Ｍｔ环境条件下,预计这种振荡器的故障工作时间为１３７８１ｈ。如果将元器件的质量提高１个等级,在相同条件下的平均无故障工作时间将大于２００００ｈ。     

低相位噪声CMOS环形压控振荡器的研究与设计

针对个人电脑和通讯系统对频率合成器中振荡器的低相位噪声的要求,对基本的环形振荡器结构进行改进,设计了两种宽带低相位噪声CMOS环形压控振荡器(VCO),在800 MHz振荡频率、1 MHz频偏下,测试的相位噪声分别为-123 dBc/Hz和-110 dBc/Hz.两个VCO的调谐范围分别为450～1 017 MHz和559～935 MHz.