Au／a—Ge膜退火行为的多重分形研究

研究了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜退火后形成花样的分布及其分维。单个分形枝叉的疏密可用简单分维定量描述。多重分形谱可以很好地定量描述了多个分形区的分布的变化，分形花样稀少且分布不均匀的图形对应的分形谱较宽。经１００℃退火６０ｍｉｎ后薄膜中出现分布不均匀的很少的分形花样，经１２０℃退火６０ｍｉｎ后分形花样布满整个薄膜表面，相应的分形谱宽度△α从３．７０减小到０．２３。     

分形晶化的Au／a—Ge双层膜的非线性V—I特征

本报道了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜的分形晶体现象，并首次测量了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜分形晶化的Ｖ－Ｉ特性，实验结果表明：分表晶化后的Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜具有反常的非线性Ｖ－Ｉ特征，应用隧道结网络（ＲＴＪＮ）模型对实验结果给予了合理的解释。     

Au／a—Ge双层膜分形晶化及其V—I非线性研究

本文报道了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜的分形晶化现象，测量了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜在分形晶化后的Ｖ－Ｉ特性。实验结果表明：Ｗ发形晶化后的Ａｕ／Ａ－Ｇｅ双层膜具有反常的非线性Ｖ－Ｉ特生，应用隧道结网络（ＲＴＪＮ）。模型对该合理的解释。     

Au/a-Ge膜退火行为的多重分形研究

研究了Ａｕ／ａ－Ｇｅ 双层膜退火后形成分形花样的分布及其分维。单个分形枝叉的疏密可用简单分维定量描述。多重分形谱可以很好地定量描述多个分形区的分布的变化，分形花样稀少且分布不均匀的图形对应的分形谱较宽。经１００℃退火６０ｍ ｉｎ 后薄膜中出现分布不均匀的很少的分形花样，经１２０℃退火６０ｍ ｉｎ 后分形花样布满整个薄膜表面，相应的分形谱宽度Δα从３．７０ 减小到０．２３。     

a—Ge／Al双层膜中分形和退火温度的关系

侯建国等曾系统地研究了a-Ge/Au双层膜体系,发现a-Ge晶化形成的分形结构与退火温度、Au的晶粒尺寸等物理因素间存在着很强的关联。最近我们报道了Al/Ge膜中分形的形成与Al/Ge的厚度比有关,随着Al/Ge厚度比减小,分形结构变得越来越密集,维数增大,并用逐次触发成核模型(PSN)解释了观察到的现象。     

Al／Ge双层膜分形晶化及阻抗特性研究

本文用高分辨透射电镜ＨＲＥＭ（ＪＥＯＬ２０１０）观察了Ａｌ／Ｇｅ双层膜的分形行为及其微结构特征，并采用四探针法对具有不同分形维数薄膜样品的电阻率进行了测量，获得了一些有探讨价值的实验结果     

分形天线--一种新颖的天线小型化技术及其应用

分形几何具有重要的特性，即自相似性和分数维，可以成功的应用于天线的设计。本文主要介绍了分形的基本概念，并对典型的分形天线及其小型化原理进行了简要介绍。     

Si／Ag／Si和Si／Au／Si薄膜分形晶化的TEM和EDS研究

本文利用透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线能谱（ＥＤＳ）对ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｇ／ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｕ／ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的分形晶化行为进行了研究。结果表明薄膜的分形晶化强烈依赖于退火条件，分形的形成可用随机逐次触发形核和生长（ＲＳＮＧ）来加以解释。尽管膜内存在明显的互扩散，Ｓｉ分形区厚度与均匀基体区厚度相近。但在ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｇ／ａ：Ｓｉ：Ｈ膜中存在部分较大的Ａｇ晶粒凸出膜面。     

Ge／Pt／Au,Ge／Au／Ni／Au—n型GaAs欧姆接触的对比研究

对用快速热合金方法（RTP）形成Ge/Pt/Au,Ge/Au/Ni/Au-n型GaAs欧姆接触进行了对比研究。实验结果表明，在合金形貌和欧姆接触特性兼顾的情况下，Ge/Pt/Au和Ge/Au/Ni/Au有不同的“温度－时间”窗口的接触电阻率。合金后，Auger能谱分析表明，Ge/Au/Ni/Au金属系统扩散进GaAs体内的净施主Ge浓度较高，因而接触电阻率较低。两种欧姆接触金属系统经高温存贮一定时间后，发现其接触电阻率都有所降低。     

a-Si:H簿膜的晶化与分形结构的形成

利用透射电子显微镜(TEM)观测a-Si:H 薄膜在不同温度下生长的分形结构。实验方法为原位动态技术。对分形结构的TEM形貌像用Sandbox方法计算了其分形维数。450℃时,形成具有类似分叉状的分形结构,分形线数d_f=1.69;800℃时,形成岛状分形结构,分形维数d_f=1.76。实验结果表明,分形结构的形成与薄膜物性的变化相联系。文中还对分形结构与a =Si:H 薄膜晶化的关系进行了讨论。     

Pd／Ge薄膜体系中分形的形成

近年来,分形的研究已成为国内外的热门课题之一。利用分形的概念,可以从新的角度去归纳认识一些物理现象和规律,从而大大推动了材料科学研究的深化。本文报道了用透射电镜对Pd/Ge薄膜体系中分形形成的研究。为探讨薄膜制备方法、膜厚比以及退火温度对分形形成的影响,利用真空镀膜仪制备了Pd-Ge共蒸膜、Pd/a-Ge双层膜(先蒸Ge后蒸Pd)和a-Ge/Pd双层膜(先蒸Pd后蒸Ge),试样制备条件如表一所示。制备好的膜在真空炉中退火,退火温度分别为200℃、250℃、300℃、350℃和400℃,时间均为30秒。透射电镜观测在目立H-800上进行。     

Au／CdTe＋ZnS／HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究

通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar^ 束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTe MIS器件;通过对器件的C－V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数。实验表明：溅射沉积介质膜CdTe ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦麦面器件表面钝化的各项要求。     

海杂波FRFT域的分形特性及目标检测

通过对实测海杂波数据的仿真分析,论证了海杂波在分数阶Fourier变换域具有分形特征,而且有目标单元和无目标单元存在分数维差异,这种分数维差异在分数阶Fourier变换域存在一个最大值。基于此特征提出了基于分数阶Fourier变换域海杂波分数维差异的目标检测方法,此方法通过检测回波信号分数阶Fourier变换域分数维的变化的最大值达到检测目标的目的,这比基于时域分数维差异的方法具有更好的检测效果。最后通过对实测海杂波数据进行仿真,证实了该方法的有效性。     

退火态Cu膜表面形貌的分形特征

用磁控溅射工艺在Si基片上沉积500nm厚Cu膜,并在不同温度下进行快速退火处理。用扫描电镜（SEM）与原子力显微镜（AFM）观察薄膜表面形貌,并根据分形理论予以定量表征。结果表明：当退火温度T在小于673K范围内增加时,分形维数Dr逐渐减小;而当T增加至773K时,Dr异常增加。本文根据表面扩散、晶粒长大、缺陷形成等机制对其进行了分析。     

硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象

利用浓硼扩散腐蚀停止技术制备自由悬空硅薄膜时,在薄膜的表面观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构．研究表明,薄膜表面的生成物的分形属于典型的有限扩散集团凝聚模型,其分形维数值约为1.667．实验还发现,反应生成络合物的聚集结构以及能否产生聚集都受腐蚀腔体的深宽比影响．     

硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象

利用浓硼扩散腐蚀停止技术制备自由悬空硅薄膜时,在薄膜的表面观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构.研究表明,薄膜表面的生成物的分形属于典型的有限扩散集团凝聚模型,其分形维数值约为1.667.实验还发现,反应生成络合物的聚集结构以及能否产生聚集都受腐蚀腔体的深宽比影响.