溶胶-凝胶法制备纳米氧化锡及其性能表征

以SnCl4·5H2O为原料,采用溶胶-凝胶法制备了纳米SnO2粒子,研究了焙烧温度、碱的种类及反应物浓度对纳米SnO2粒子大小和分散状态的影响。采用XRD、TEM、ED等技术对SnO2纳米粒子的性能进行了表征。实验结果表明:用氨水和尿素作为沉淀剂,控制反应结束时pH值为7,在600℃焙烧,制备得到粒子尺寸约为15nm、分散性良好的纳米SnO2粒子。     

SnO2纳米薄膜的溶胶-凝胶法制备及气敏性能

以SnCl2·2H2O和无水乙醇为原料制备SnO2透明溶胶,通过浸渍法在云母基片上制备了SnO2纳米薄膜.利用XRD和AFM手段研究了薄膜的结构和形貌,结果表明,SnO2纳米薄膜的球形粒径约为15nm;随着薄膜沉积层数的增加或工作温度的升高,薄膜电阻逐渐减小.气敏特性研究表明,薄膜对H2有较好的敏感性.     

纳米TiO2薄膜的制备及其光催化性能研究

采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在玻璃衬底上制备了纳米TiO2薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见一光谱(UV/vis)和原子力显微镜(AFM)对纳米TiO2进行表征.结果表明,经300～700℃退火得到的TiO2粉体呈锐钛矿相,经800℃退火得到了锐钛矿相与金红石相的混合晶相,经900℃退火完全转化为金红石相.薄膜表面粒子分布均匀,表面平均粗糙度为1.54nm,该薄膜具有较高的光催化活性,可直接用于光催化降解有机物等领域,具有广阔的应用前景.     

Zn掺杂改性TiO2的制备及其光催化性能研究

利用溶胶-凝胶法制备了Zn掺杂改性TiO_2催化剂。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜对制备的光催化剂进行表征,考察了该催化剂对亚甲基蓝废水的光催化降解性能。结果表明,Zn成功掺入TiO_2中,Zn掺杂改性TiO_2和纯TiO_2均属于锐钛矿TiO_2晶型。在催化剂投入量为1.5g/L、亚甲基蓝质量浓度为10mg/L、降解时间为0～2h条件下,Zn掺杂改性TiO_2催化剂对亚甲基蓝溶液的降解率超过60%,明显高于纯TiO_2的降解率。     

SnO2纳米颗粒制备及其对溶胶-凝胶Sb:SnO2薄膜性能的影响

以Sn(OEt)2为起始原料,采用水热晶化法合成了分散性良好的金红石结构的SnO2纳米颗粒.采用X射线衍射对其进行了表征,表明SnO2纳米颗粒的结晶性良好,颗粒尺寸小于10nm.将合成的SnO2纳米颗粒均匀分散到Sb:SnO2镀膜液中,经陈化后制成镀膜溶胶,以溶胶-凝胶浸渍镀膜工艺制备纳米颗粒掺杂Sb:SnO2薄膜.分别采用范德堡(Van Der Pauw)法、UV/VIS分光光度计和FTIR中红外分析仪测量并分析膜层的导电性能、光学性能及结构特征,研究了导电纳米颗粒添加对Sb:SnO2薄膜电性能、光学性能和结构的影响.     

有机-无机透明导电薄膜的研究进展

透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛.以传统的无机氧化物和导电高分子材料制备的导电薄膜虽然电学性能优良,但综合性能不甚理想.通过有机-无机杂化的透明导电薄膜能够借助各组成材料特性的互补作用使复合材料具有出色的综合性能.介绍了透明导电薄膜的种类、用途和特性,综述了有机-无机杂化导电材料在块体材料和透明导电薄膜方面的应用,并展望了其发展前景.     

溶胶-凝胶法制备ITO透明导电薄膜的研究进展

ITO透明导电薄膜以其优良的透明导电性能在平面液晶显示(LCD)、电致发光(EC)等多个领域得到了广泛的应用.制备ITO薄膜的方法很多,其中采用溶胶-凝胶法制备ITO透明导电薄膜具有成本低,设备简单,工艺可控,有利于大面积成膜等优点,因而受到了广泛的关注.较详尽地介绍了ITO薄膜的透明导电机理、溶胶-凝胶法的工艺特征,并初步论述了溶胶-凝胶法制备ITO透明导电薄膜的应用和发展前景.     

TiO2/SnO2复合薄膜的亲水性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了TiO2／SnO2复合薄膜，通过XRD、XPS、UV透射光谱的分析及薄膜表面接触角、光催化降解甲基橙等的分析，研究了SnO2与TiO2配比、热处理温度、膜厚度等因素对复合膜的亲水性、透光率及光催化活性的影响。结果表明：复合膜的亲水性和光催化活性均优于单纯TiO2，当SnO2与TiO2的摩尔比为1％-5％时，所制备的薄膜具有超亲水特性；热处理温度为450℃时薄膜亲水性最好，膜厚度的增加有利于亲水性的改善。     

Pr掺杂对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃基片上制备出了Pr掺杂ZnO透明导电薄膜,研究了Pr掺杂对ZnO透明导电薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。实验结果表明,Zn1-xPrxO薄膜均为纤锌矿结构,当Pr掺杂含量为1%时,Zn1-xPrxO薄膜的结晶质量最好、可见光平均透过率最高、电阻率最低,具有最佳的光电综合性能。     

柠檬酸盐溶胶-凝胶法合成α-Li4Zn(PO4)2及其离子导电性

采用柠檬酸盐溶胶-凝胶法合成了生成温度较固相合成低的多的纯相α-Li4Zn(PO4)2(L2ZP)离子导体,并对合成材料进行了DTA、TG、XRD和SEM等表征,确证合成材料为纯相α-Li4Zn(PO4)2,探讨了不同烧结温度对粉末颗粒度的影响.实验结果表明,随着焙烧温度的升高,颗粒间发生团聚,粒径逐渐增大.电导率且逐渐减小.     

透明导电氧化物薄膜材料及其制备技术研究进展

综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的结构、光电性能以及TCO薄膜制备技术的研究进展.ITO薄膜性能优异,是重要的平面显示器件用材料.掺铝ZnO薄膜价格低廉,是极具开发前景的ITO薄膜的替代材料.柔性衬底氧化物半导体透明导电薄膜的开发和应用将扩大TCO薄膜的应用领域.     

掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究

通过实验测量sol-gel工艺制备的Sb掺杂SnO2薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚、紫外－可见光区透射率，反射率等性质，详细研究了Sb掺杂SnO2薄膜电化学与光学性能，实验发现，薄膜具有良好的透光性和较高导电性，膜内载流子浓度高达10^20cm^-3，电阻率－10^-2Ω．cm， 透光率高达90％，SnO2膜禁带宽度Eg=3.7-3.80eV.     

喷雾热分解法制备SnO2透明导电薄膜

利用压缩空气气雾化器,通过喷雾热分解法,以ＳｎＣｌ２．２Ｈ２Ｏ为原料,在载玻片上成功制备了ＳｎＯ２薄膜,在１１０℃到３６５℃间的不同沉积温度下进行镀膜,考察了沉积温度,沉积时间对ＳｎＯ２薄膜制备的影响,结果表明,在３２５℃的沉积温度下,薄膜已晶化,随着温度升高,喷雾时间增加,方块电阻降低３２５℃下的样品在可见光区透射率达８０％以上,近红外区透射率达９０％以上。     

ZAO透明导电薄膜的制备及性质

ZAO（ZnO：Al）透明导电薄膜是一种具有高的载离子浓度和宽禁带的半导体氧化物，电学和光学性能优异。极具应用前景。本文介绍了ZAO薄膜的制备现状、特性、磁控溅射参数对其电学和光学性质的影响以及今后研究的方向。     

掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究

通过实验测量 ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备的 Ｓｂ掺杂 ＳｎＯ２薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚,紫外－可见光区透射率、反射率等性质,详细研究了Ｓｂ掺杂ＳｎＯ_２薄膜电学与光学性能．实验发现,薄膜具有良好的透光性和较高导电性,膜内载流子浓度高达１０^２０ｃｍ^－３,电阻率～１０^－２Ω·ｃｍ,透光率高达 ９０％,ＳｎＯ_２膜禁带宽度 Ｅ_ｇ≈３７～３．８０ｅＶ．     

p型透明导电的锡镓氧化物薄膜的制备及其表征

本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜.X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试表明TGO薄膜在可见光范围内透过率可达到85%以上,其光学禁带宽度Eg约3.8 eV.霍尔效应测试结果表明,TGO薄膜的载流子类型及其浓度与热处理温度密切相关.热氧化温度过高或过低均不利于空穴浓度.当热氧化温度处于(600～700) ℃之间时,可以获得p型透明导电的TGO薄膜,最高空穴浓度高达8.84×1018 cm-3.     

SnO_2基陶瓷的制备及其性能研究

以纳米SnO2粉末为原料制备导电陶瓷,研究了所制备的SnO2-Sb2O3-CuO三元系SnO2基陶瓷的烧结性能和导电性能。用光学显微镜、扫描电镜和X射线能谱仪等对陶瓷基体的相组成和微观组织进行了分析。结果表明,纳米SnO2粉末在加入一定量的Sb2O3和CuO添加剂后,烧结活性有所提高;加入烧结助剂CuO可明显促进SnO2的烧结;在最佳CuO-Sb2O3配比下,制备的SnO2基陶瓷的综合性能良好。     

溶胶凝胶法制备ZnO—SnO2复合交替透明导电薄膜

用溶胶凝胶法制备了ZnO—SnO2交替薄膜，具有工艺设备简单、后处理温度低、对衬底要求比较宽、易于定量掺杂等特点，通过X光电子能谱、紫外-可见吸收光谱和扫描电子显微镜对样品的组成及形貌等进行了分析与表征，测量发现，随着温度的升高薄膜的电阻变小，导电性变好？     

聚乙烯基复合透明导电薄膜的制备与性能

以聚乙烯(PE)薄膜为基材,通过表面处理,采用聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)制备导电涂料,利用丝杠涂布制备了在可见和中远红外都有较高透过率的透明导电薄膜。利用可见分光光度计、红外光谱仪(IR)、四探针等分析PE导电薄膜的透光性和导电性。结果表明,表面改性有效提高导电层溶液的铺展性;当紫外光固胶CBU225质量分数为20%,导电层溶液中含有质量分数5%二甲基亚砜时,制备的PE导电薄膜表面电阻为8640Ω,在550nm的透过率为75.8%,红外透过率最高。     

掺钼氧化锌透明导电薄膜光学性质研究

采用直流磁控反应溅射制备了掺钼氧化锌透明导电薄膜。研究了掺钼氧化锌薄膜的结构、表面形貌及其光学和电学性能。原子力显微镜扫描显示薄膜表面较为平整致密。制备出的掺钼氧化锌薄膜最低电阻率为9.4×10-4Ω.cm,相应载流子迁移率为27.3cm2V-1s-1,载流子浓度为3.1×1020cm-3。在可见光区域的平均透射率大于85%,折射率(550nm)为1.853,消光系数为7.0×10-3。通过调节氧分压可以调节薄膜载流子浓度,禁带宽度随载流子浓度的增加由3.37增大到3.8eV,薄膜的载流子有效质量m*为0.33倍的电子质量。