M—Z型铌酸锂高速调制器

报道了采用行波电极结构的偏振型和与偏振无关型Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ３高速强度调制器，其中与偏振无关的高速强度调制器是首次研制成功。     

M－Z型铌酸锂高速调制器

报道了采用行波电极结构的偏振型和与偏振无关型Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ３高速强度调制器，其中与偏振无关的高速强度调制器是首次研制成功。     

铌酸锂粉体的制备和研究进展

铌酸锂具有居里温度高、自发强度大等优点,是一种重要的压电铁电材料,在电光装置和声表面装置中有着广泛的应用。本文中分析了铌酸锂粉体的国内外研究进展,简要介绍了合成铌酸锂粉体的几种方法,如sol-gel法、沉淀法、水热法等,以及在合成结构均一、纯度高、颗粒尺寸小的铌酸锂粉体方面的研究及其应用现状。     

铌酸钾锂晶体的生长技术

铌酸钾锂被认为是目前综合性能指数最高的非线性光学晶体,在半导体二极管蓝激光倍频方面有广阔的应用前景。本文综述了用于蓝光倍频的铌酸钾锂晶体生长研究进展,比较了不同生长方法的优缺点,报道了我们在该晶体坩埚下降法生长研究方面的最新成果。     

宽带低压15GHz铌酸锂电光调制器

报导了国内首例宽带，低压铌酸锂电光调制器的研究结果。用傅利叶级数方法设计了长电极，厚金电极和厚ＳｉＯ２缓冲层的Ｍ－Ｚ光波导强度调制器，制成的调制器为实用化带尾光纤包装式器件，在１．５５μｍ工作波光下，其性能指标为３ｄＢ光调制带宽１５ＧＨｚ，半波电压５．６Ｖ，消光比２１ｄＢ。     

Pechini法制备铌酸锂陶瓷的结晶性能研究

以Li2CO3、Nb2O5、K2CO3为初始原料,采用Pechini法制备了铌酸锂(LiNbO3)陶瓷。用XRD、SEM等分析了LiNbO3陶瓷的结晶特性。分析结果表明Li2O对于铌酸锂陶瓷的烧结及致密度有着重要的影响,经980℃烧结得到的LiNbO3陶瓷晶粒发育良好,当烧结温度>1100℃时,Li2O有较大的损失,所得到的LiNbO3陶瓷组分与化学计量比有一定偏差。因此应采用多种技术方法来减少Li2O的损失以得到致密、结晶性良好的铌酸锂陶瓷。     

铌酸钾锂晶体的生长与性能

使用坩埚下降法成功生长了尺寸为φ10mm50mm、四方钨青铜结构、透明铌酸钾锂晶体,讨论了引起晶体开裂的主要原因,研究了该晶体的光透过性能和介电性能,室温下该晶体的介电常数ε33=127,ε11=376,居里温度为380°     

聚合物前驱体法制备铌酸钾锂粉体的研究

采用聚合物前驱体法制备了KLN纳米陶瓷粉体。研究了不同pH值、不同柠檬酸与金属离子物质的量比（CA：M^n＋）以及不同退火温度对K-Li-Nb溶胶稳定性以及粉体组成的影响。实验结果表明：K-Li-Nb凝胶热分解过程分为3个阶段，KLN的生成温度在590～620℃左右：当柠檬酸与金属离子物质的量比（CA：M^n＋）为3：l，前驱体溶液pH值控制在6～10内可以得到均匀透明的溶胶。pH=10的前驱体凝胶在850℃下煅烧后得到较纯的KLN纳米陶瓷粉体。     

交叉绕制单模光纤环减小轴向磁场灵敏度

垂直光纤环面变化的轴向磁场会降低去偏陀螺的精度,因此提出减小轴向磁场灵敏度的新方法:用交叉绕法单模光纤环作为敏感环。与普通绕法相比,理想交叉绕法光纤环中的正反任一束光经过的路径可分为相等的两段,每段路径上产生的Faraday相位延迟大小相等、符号相反,整个路径上相互抵消,从而两束光不存在与磁场有关的Faraday非互易相位差。仿真结果表明,交叉环有很低的轴向磁场灵敏度,与轴向磁场灵敏度为23.4°/(h·mT)的普通环相比,其他参数相同、不对称度为1%的交叉二极子光纤环,轴向磁场灵敏度仅为0.23°/(h·mT)。     

两种不同铁芯结构纵磁真空灭弧室触头三维磁场对比分析

本文建立了两种不同铁芯结构的纵向磁场真空灭弧室触头三维模型,一种铁芯为带有断口的环状结构,另一种是由12个柱状铁芯圆周方向排列的结构,采用有限元分析方法对两种结构的三维模型进行仿真计算,分析对比两种铁芯结构对电流峰值时刻纵向磁场和电流过零时剩余磁场以及磁场滞后时间的影响,计算的过程中考虑到了涡流的影响。从仿真结果中可以得到以下结论:1.电流峰值时环状铁芯结构产生的纵向磁场大于柱状铁芯结构,但柱状铁芯结构产生的纵向磁场比环状铁芯结构的均匀;2.电流过零时两种铁芯结构的剩余磁场分布相似,但环状铁芯结构的剩余纵向磁场大于柱状铁芯结构;3.柱状铁芯结构的磁场滞后时间要小于环状铁芯结构,电流过零时剩余磁场强的区域对应的磁场滞后时间也大。     

氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜的影响

本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完全c轴取向的LN薄膜 ,LN(0 0 6 )衍射峰的半高宽为 0 2 1°。这是首次报道不施加缓冲层和诱导电场采用PLD技术在硅衬底上生长出了结晶质量良好的完全c轴取向的LN薄膜     

LiNbO3薄膜的研究进展

LiNbO3薄膜具有优良的压电、热释电、声光及非线性光学特性，在光电子学及集成光学等领域有许多重要应用，着重介绍LiNbO3的结构，性质与薄膜制备技术，以及在光通信领域中的应用。     

LiNbO_3晶体在凝胶玻璃中的受控析晶研究

采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺,以Ｎｂ（ＯＨ）５为铌酸盐的起始原料,低温合成了ＬｉＮｂＯ３／ＳｉＯ２凝胶玻璃。通过ＤＴＡ、ＸＲＤ和ＩＲ分析方法,研究了ＬｉＮｂＯ３晶体在凝胶玻璃中的析晶过程和析晶动力学。结果表明,ＬｉＮｂＯ３微晶在凝胶玻璃中的析晶过程是受界面控制的,其析晶活化能为１４２ＫＪ／ｍｏｌ。     

垂直磁场对锗熔体磁粘度的影响

采用旋转转子法，测量研究了不同垂直磁场条件下，不同温度时锗熔体的磁粘度。结果表明，随着磁场强度的增加，锗熔体的粘度降低了，而且粘度的降低和磁场强度不呈单调关系。用“磁场直拉硅原理的微观解释”，可以较好地解释垂直磁场中锗熔体粘度的降低现象。     

轴向磁场对硅单晶Czochralski生长过程的影响

利用有限元方法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟,假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流,熔体为不可压缩流体,Cz炉外壁温度维持恒定,模拟磁场强度范围为(0～0.3)T,研究了用Czochralski(Cz)法生长单晶硅轴向磁场对熔体流动和氧传输过程的影响.结果表明:轴向磁场可有效地抑制熔体内的流动,但增大加热器功率和结晶界面处晶体内的轴向温度梯度;对于常规Cz炉,轴向磁场可增大结晶界面平均氧浓度,而对于具有气体导板的Cz炉,则会减小结晶界面平均氧浓度.     

Pr:Fe:LiNbO3晶体光折变性能的研究

在Fe∶LiNbO3中掺进Pr6011生长Pr∶Fe∶LiNbO3晶体。对晶体进行氧化－还原处理。测试晶体的指数增益系数、衍射效率、响应时间、光电导和信噪比。测试结果Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的响应时间缩短,信噪比提高,克服了Fe∶LiNbO3响应时间长,光电导和信噪低的缺点。以Pr∶Fe∶LiNbO3晶体作为存储元件实现了全息关联存储。