巯基烯烃点击反应制备超疏水聚偏氟乙烯中空纤维膜及其加湿性能

为更好地发挥中空纤维膜加湿器的加湿作用,提高加湿性能,提出对中空纤维膜进行超疏水改性.利用溶胶凝胶法制备二氧化硅(SiO2),八乙烯基笼型倍半硅氧烷(OV-POSS)与巯基-聚二甲基硅氧烷(PDMS-SH)通过巯基烯烃点击反应形成POSS-S-PDMS聚合物,利用涂覆法将其涂覆在聚偏氟乙烯(PVDF)中空纤维膜表面.在膜表面与涂层、涂层与涂层之间均利用化学键连接以提高涂层的牢固度,制备了一种具有SiO2-PDMS-POSS稳定性涂层的超疏水复合膜.研究了光引发剂的质量分数、二氧化硅粒径影响因素对复合膜的影响,并对复合膜进行了表征.最终制备的复合膜接触角达到156°,加湿效率由48％提高为58.32％.     

OLED用ITO导电玻璃的研究进展

氧化铟锡(ITO)膜的电阻率及表面粗糙度将影响有机电致发光器件(OLED)的发光效率及其使用寿命.通过选择适当的工艺条件以及表面处理可以改善ITO膜的表面粗糙度、可见光透过率、电导率和功函数,以提高OLED的稳定性、发光效率和使用寿命.对薄膜的光学和电学性能进行了分析,提出了改进工艺的方向.     

激光测距系统中光学屏蔽膜系的研究

针对激光测距系统中光咱成像受电磁波干扰影响测量质量的问题，本文分析了比较了金属光学薄膜与ITO薄膜的光学屏蔽特性。采用磁控反应溅射的方法在关键光学零件表面制备了ITO膜，经过性能测试表明：ITO膜可以满足现代激光测距的光路屏蔽要求。     

碳纳米管气敏传感器的制备与性能研究

本文采用传统的光刻工艺、丝网印刷技术和烧结工艺在ITO透明导电薄膜上制备出电容式的碳纳米管(CNT)膜气敏传感器,探讨扫描电压、工作频率和各种工艺参数对其性能的影响.光学显微镜测试表明,丝网印刷的CNT膜表面平整、分布均匀.扫描电镜表征显示,在大气中300℃烧结能促使有机粘合剂充分地分解和蒸发,在CNT膜中留下能有效提...     

PET衬底上ITO薄膜的制备及光电性能

用脉冲磁控溅射法在柔性衬底聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了溅射气压、时间和衬底温度等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响,并采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的物相结构与表面形貌进行了分析。结果表明:薄膜的平均晶粒尺寸随衬底温度的升高而增大;当溅射时间增加时,方块电阻与光透过率均减小;当衬底温度升高时,方块电阻减小,可见光透过率增大。     

炭膜表面疏水改性及老化性能研究

采用溶胶凝胶法,以正硅酸乙酯(TEOS)和甲基三乙氧基硅烷(MTES)为混合硅源,合成疏水硅溶胶,将其浸渍涂覆在卷式炭膜上,经干燥、热处理制备了具有高疏水性能的疏水炭膜.考察了硅溶胶制备工艺和膜热处理工艺对所制备炭膜疏水性能的影响.采用水接触角测试仪、TG、FTIR、AFM、SEM和TEM等测试手段,对疏水炭膜的表面结构和疏水性能进行了表征.结果表明,通过硅溶胶表面改性,在炭膜表面引入了甲基化的二氧化硅的表面结构,提高了其疏水性能.硅溶胶的制备工艺对所制备疏水炭膜的表面化学结构、形貌及粗糙度有较大的影响.其中硅溶胶合成反应温度对提高膜表面疏水性能的影响最为显著;膜表面甲基基团含量对改善炭膜表面的疏水性能起到决定性作用.通过控制硅溶胶合成和膜的热处理工艺可以有效地调控疏水炭膜的表面疏水性能;在最佳条件下制备的疏水炭膜,其表面粗糙度为34.263nm;水接触角达到138°左右,表现出良好的疏水性能.气体渗透性能测试表明,炭膜疏水改性对炭膜的气体渗透性能影响较小,但明显地提高了炭膜的抗老化性能.     

工艺参数对铝合金AAO膜光学特性参数的影响研究

研究了6063铝合金阳极氧化工艺的电流密度、槽液温度、氧化时间、氧化膜表面粗糙度以及表面形貌对太阳吸收率(α_s)和半球发生率(ε_H)的影响,确定制备低比值α_s/ε_H热控涂层的阳极氧化工艺。研究表明6063铝合金制备低比值的α_s/ε_H热控涂层的阳极氧化工艺:电流密度1. 0 A/dm~2,电解液温度18℃,氧化时间30 min,氧化膜表面的粗糙度为0. 58,此种工艺制备出的氧化膜的α_s/ε_H比值最小为0. 164,同时研究发现氧化膜封孔的质量对αs/εH具有重要影响。     

低温沉积ITO透明导电膜的研究

通过探讨半导体氧化物ITO膜的透光和导电机理,用反应性直流磁控溅射的镀膜工艺,在有机玻璃上低温镀制(ITO)膜,研究ITO膜溅射工艺参数与透光和导电性能的关系,实现了在低温下镀制(ITO)膜的技术,其透光率≥80%以上,表面电阻≤30Ω/□.     

烧结气氛压力对高性能TFT用ITO靶材结瘤性能的研究

通过在烧结过程中调节气氛气压改变烧结压力来制备高性能ITO靶材,采用磁控溅射生长ITO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜等对ITO薄膜进行表征并对靶材表面进行观察。结果表明烧结压力略高于标准大气压(0.105 MPa)工艺条件下制备的ITO靶材表面的结瘤更少。磁控溅射制备的薄膜均处于非晶状态,薄膜的表面粗糙度由0.35nm降低至0.28nm,薄膜的平均光学透过率均高于84%。改善工艺后的ITO靶材制备的ITO薄膜刻蚀残留非常少。在优化的工艺条件下,靶材质量得到有效改善,透明导电氧化物薄膜性能得到提高。     

转移法火焰喷涂静电屏蔽涂层

叙述了转移法火焰喷涂碳纤维增强复合材料零件表面静电屏蔽涂层工艺及模具上分离膜的制备方法,试验通过在碳纤维预浸料固化时分离膜上的静电屏蔽涂层,涂层完整转移至复合材料零件表面,涂层结合牢固,涂层表面光滑平整,与复合材料零件成为一个整体,并且不改变零件外形的完整性,不影响构件的空气动力学特性.所制备的铝涂层具有良好的静电屏蔽和导电性能,电阻值可控制在0.5～1.3 mΩ,涂层与复合材料基体间结合强度＞20 MPa,完全能满足现代飞机结构对碳纤维增强复合材料的表面涂层性能要求.     

不连续Pt薄膜对ITO薄膜气敏特性的影响

在320℃时,如氧化铟锡(ITO)薄膜暴露在乙醇气氛中则其电阻急剧下降。利用直流平面磁控反应溅射的方法在约1Pa的氧与氩的混合气体中溅射铟锡合金制备了ITO薄膜。如果在ITO薄膜表面沉积一层不连续的Rt膜,薄膜对乙醇蒸汽的检测灵敏度大大提高,而且工作温度下降。本文就制备工艺对薄膜检测灵敏度的影响做了一些探讨,并且对Rt膜的作用进行了讨论。     

用交流孪生靶磁控反应溅射法制备ITO薄膜

采用氧化铟锡(ITO)陶瓷靶(质量分数为90%的In2O3与10%的SnO2)作为溅射源,通过交流孪生靶反应磁控溅射制备出了性能优良的ITO薄膜,其光谱透射率大于85%。结合对所镀制ITO薄膜的表面形貌及化学成分分析,研究了反应气体流量、退火等工艺参数对ITO薄膜光学和电学性能的影响。     

工艺参数对CrNx涂层性能的影响

采用直流磁控溅射技术制备了氮化铬(CrNx)涂层,研究了制备CrNx涂层的工艺参数对所制备的CrNx涂层的膜基结合力及力学性能的影响。研究结果表明:工艺参数对CrNx涂层性能的影响不成各向同性关系;在较低的N_2含量、较高的脉冲偏压、约100V的直流偏压、较高的真空度、较高的沉积温度和较高的靶功率下制备的CrNx涂层的硬度较高,而在较低的N_2含量、恰当的脉冲偏压和占空比配对、较高的直流偏压、较高的真空度、较高的沉积温度和较高的靶功率下制备的CrNx涂层的表面形貌较好。     

304不锈钢纳米TiO_2涂层的结构形貌与防腐蚀性能

纳米TiO2涂层对304不锈钢具有较好的防腐蚀性能.采用溶胶-凝胶法与浸渍提拉技术在304不锈钢上制备纳米TiO涂层,用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对涂层的结构、形貌及组成进行了表征,采用电化学方法研究了涂层的防腐蚀性能,并对其光阴极保护机理进行了探讨.结果表明:所制备的纳米TiO2涂层外观呈蓝色,表面连续、均匀,颗粒呈球形;TiO2为锐钛矿型;涂层主要由Ti,O和C 3种元素组成;纳米TiO2涂层具有一定的光电化学效应和防腐蚀性能.     

硫酸铜浓度对镁合金微弧氧化膜层热控性能的影响

为了提高镁合金的热防护性能,在硅酸盐、磷酸盐、铝酸盐等电解液体系中引入硫酸铜,采用微弧氧化技术在MB15镁合金表面制备微弧氧化膜层。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)和CIE颜色系统研究了电解液中硫酸铜浓度对涂层的色度、厚度、粗糙度和热控性能的影响。结果表明:微弧氧化膜层微观上具备典型的多孔结构,铝酸盐涂层主要由MgAl_2O_4晶相组成,硅酸盐涂层主要由MgO晶相和Mg_2SiO_4晶相组成,磷酸盐涂层主要由MgO晶相组成,而各膜层中的Cu元素均以非晶相形式存在;随着硫酸铜浓度增加,3种体系制备的膜层表面颜色均向黑色过渡,微孔数量增多;硅酸盐体系和磷酸盐体系中制备的微弧氧化膜层具有高吸收率和高发射率等特点,而铝酸盐体系中制备的微弧氧化膜层具有高吸收率和低发射率的特点。     

TiAlN涂层材料的制备及性能研究

采用独立靶材在YG6硬质合金上以电弧离子镀工艺制备了TiAlN涂层,研究了钛靶弧流对涂层的微观形貌、成分和性能的影响,对TiAlN涂层的膜基结合强度及高温抗氧化性能进行了测试分析,并将TiAlN涂层的YG6硬质合金刀具与未涂层的YG6硬质合金刀具对T12工模具钢(50HRC)进行对比切削试验。结果表明:钛靶弧流为60～70A时,涂层具有较理想的表面结构,膜基结合力较好,可达44N;钛靶电流对涂层中N含量的影响不大,对Al及Ti含量有较明显的影响。在干式切削条件下,TiAlN涂层刀具的使用寿命是未涂层刀具的3倍。     

ITO透明导电膜制备工艺研究

电子器件柔性化、超薄化对柔性ITO透明导电膜需求越来越为迫切,但是由于ITO薄膜本身性质局限和柔性衬底问题,使得ITO透明导电膜的光电性能极容易受到影响。以PET柔性基材制备ITO膜为例,从ITO透明导电膜膜系结构出发,研究就ITO透明导电膜的制备工艺,对提高ITO透明导电膜的光电性能进行简要的探讨。     

工艺参数对阴极电弧离子镀ZrN薄膜表面形貌及结构的影响

本文采用阴极电弧离子镀技术制备了ZrN膜层,研究了工作气压、偏压、弧流等工艺参数对ZrN膜层表面形貌和结构的影响,分别用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)分析了膜层的表面形貌及相结构。结果表明:工作气压、偏压、弧电流等工艺参数对ZrN膜层的表面形貌有较大的影响,在本实验内适当提高N2压强、偏压以及在稳弧前提下降低弧流有利于减少大颗粒,改善ZrN膜层表面形貌,提高膜层综合性能;不同工艺参数下制备的ZrN膜层均具有典型的面心立方结构,工作气压和弧电流对ZrN膜层晶体生长方向的影响较小,偏压对晶体生长方向的影响显著,在20 V偏压下,晶体呈(200)面择优取向,继续提高偏压(100 V~300 V),晶体生长呈(111)面择优取向。     

工业纯钛表面高能喷丸对溶胶-凝胶法制备羟基磷灰石涂层的影响

将表面抛光和高能喷丸处理的工业纯钛在8mol/L NaOH溶液中处理后,采用溶胶-凝胶(sol-gel)法在其表面制备羟基磷灰石(HAP)涂层.用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对涂层的表面、截面形貌及成份进行了分析;用拉伸试验机测试了涂层与基体之间的结合强度;动态凝血实验测试了涂层的血液相溶性;探讨了高能喷丸工艺对钛基体及涂层的影响.结果表明,通过sol-gel法,在两种基体表面制备了HAP涂层;高能喷丸工艺增加了基体的表面粗糙度和表面积,利于HAP的涂覆.提高了涂层与基体间的结合力,由抛光处理的10MPa提高到喷丸处理的30MPa;喷丸基体表面的涂层具有更好的抗凝血性.     

柔性衬底ITO薄膜的制备及其光电性能研究

在室温下,采用直流反应磁控溅射法,在聚酯薄膜（PEP）衬底上镀制了高性能的ITO薄膜。为了提高薄膜与基底的结合力,溅射前采用多弧离子源对PEP表面进行了等离子体清洗。研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电性能和红外发射率的影响规律,探讨了ITO膜的透光和导电机理,并分析了方块电阻与红外发射率的相互关系。实验结果表明,通过等离子体清洗,ITO薄膜的结合力和光电性能都得到了改善。ITO薄膜的红外发射率和方块电阻受制备条件的影响规律具有相似之处,红外发射率随薄膜方块电阻的增大而呈增加的趋势。