磁泡条畴头 Bloch 线产生的三维模拟

用改进的Ｄｕｆｏｒｔ－Ｆｒａｎｃｋｅｌ显示格式差分法求解条畴头畴壁运动时中心位置ｑ（ｚ，β，ｔ）和畴壁中心磁化矢量方位角（ｚ，β，ｔ）的耦合微分方程组．讨论了畴壁膨胀及杂散面内场对畴壁运动的作用以及脉冲驱动磁场Ｈｚ和薄膜材料阻尼因子对Ｂｌｏｃｈ线产生的影响．     

磁泡研究有效突破——在磁畴壁上读取信息

本文报告了最新重要科技信息，利用外加磁场的控制布洛赫畴壁（简记BL）可产生磁化矢量复杂扭转。其中能形成一些磁化方向垂直指向膜面的小区域，称为垂直布洛赫线（或VBL）。利用这些成对的布洛赫线，可以制成存储密度极高的计算机存储器。因为信息是在布洛赫线内被编码寄存的，而不是在磁泡本身的。因此，极限信息密度可达到10^10bit/cm^2，从布洛赫线存储器中检索信息只需要约2／1000s，而目前检索信息要10s。     

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中VBL对其缩灭场的影响

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中ＶＢＬ对其缩灭场的影响河北师范大学物理系唐贵德，孙会元，曹新国，聂向富本文以实验为依据，近似算出石榴石磁泡膜泡状硬磁畴的缩灭场及缩灭泡径与其畴壁中的ＶＢＬ数目的关系曲线，将这个多年来未能解决的问题向前推进了一步．在磁泡技术发...     

温度对普通硬磁泡畴壁中VBL链的影响

实验研究了温度对普通硬磁泡（ＯＨＢ）畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界温度范围〔Ｔ１；Ｔ２〕，为准确测得ＶＢＬ链不稳定的最小临界温度提供了一种实验方法     

石榴石磁泡膜中哑铃畴缩灭行为的进一步研究

通过对于第一类哑铃畴（ＩＤ）缩灭行为的实验研究，发现在直流偏场增加的过程中，ＩＤ以稳定的圆形畴存在的直流偏场范围ΔＨｂ随着其条泡转变场的增加而减小，直至趋于零．据此也讨论了第二类哑铃畴的缩灭行为     

磁泡材料中硬磁畴与物性的关系

利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软的第1类哑铃畴(ID),而较软的第1类哑铃畴(ID)又可以随着温度的升高转变为较软的第2类哑铃畴(IID);为3类硬磁畴畴壁结构的一致性提供了直接证据.此外,VBL的这些温度特性反映出BLM方案的不足.     

在磁泡材料中作用在BL线和BL串上的动力学反应作用力

本文讨论了含有BL线和BL串的磁泡畴壁的动力学。应用磁畴壁运动的基本方程推导出作用在单个BL线和正常磁泡畴壁的动力学反应作用力并由含有BL串的畴磁壁运动的耦合方程给出这些力的合成形式。     

石榴石磁泡膜中枝状畴的形成

“低直流偏场法”是一种以枝状畴为出发点来形成硬磁畴的新方法；使用它能够在“脉冲偏场法”无法 产生硬磁畴的磁泡薄膜上很容易地产生三类硬磁畴。     

Bloch线存储功能芯片专用电路设计

研究了场存取方式的Ｂｌｏｃｈ线丰了取功能芯片结构，设计了配套的读写操作专用时序脉冲电路，着重分析了电路元器件参数对长下降沿梯形波变换的影响以及时序脉冲幅度，上升沿，下降沿等对读写操作区的影响，为场存取功能芯片设计提供了重要依据。     

普通硬磁泡温度特性的进一步研究

实验研究了经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下的温度特性，通过与未经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下温度特性的对比，发现：在非压缩状态下，在Ｔ和Ｔ（Ｔ和Ｔ０是两个与样品参数有关的临界温度）之间，经温度作用后，所有的普通硬磁泡畴壁中的垂直布洛赫线都要丢失，且含有垂直布洛赫线少的普通硬磁泡最先被软化为软泡。     

在磁泡材料中作用在BL线和BL串上的动力学反作用力

本文讨论了含有BL线和BL串的磁泡畴壁的动力学.应用磁畴壁运动的基本方程推导出作用在单个BL线和正常磁泡畴壁的动力学反作用力并由含有BL串的畴磁壁运动的耦合方程给出这些力的合成形式.     

磁畴壁物理和布洛赫线存贮器研究现状和前景

主要介绍了磁泡的产生，消失和磁泡存贮器的特点、应用以及它的现状。另外，还介绍了布洛赫线存贮器的研究情况和应用前景。     

面向场对处于直流偏磁场压缩状态下的ⅡD畴壁中布…

实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ⅡＤ畴壁中的垂布洛赫线链的影响，发现存在一个阈值直流偏场口口口口Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ〈（Ｈｂ）ｔｈ时，使ⅡＤ开始转变为ＩＤ、ＯＨＢ和ＳＢ的临界面内场     

布洛赫线物理研究中的若干参数和测量方法

具体详细地总结了布洛灶线物理研究中的一些基本参数及其测量方法，其中有些名词、术语已被国内外同行所采用。     

Bloch线链传输特性的计算机模拟

本文用有限差分法求解磁泡薄膜畴壁运动非线性耦合微分方程组,讨论了二维含Bloch线链畴壁的边界条件和初始条件,用计算机模拟了VBL势阱对畴壁运动的影响及VBL传输特性.     

直流偏磁场对第二类哑玲畴长度的影响

本文通过研究直流偏磁场Ｈｂ对标称成份为（ＹＳｍＣａ）３（ＦｅＧｅ）５Ｏ１２石榴石磁泡材料中第二类哑铃畴（ＩＤ）长度的影响，观察到：１）ＩＤ的长度随Ｈｂ的升高而缩短；２）经过直流偏场从低到高两次大幅度地准静态升降，ＩＤ长度与Ｈｂ的关系曲线基本重合；３）随着Ｈｂ的升高，直至ＩＩＤ缩灭的过程中，较长ＩＤ与较短ＩＤ的长度比变化不大．这些实验现象暗示，在Ｈｂ的准静态变化过程中ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）数目保持不变     

3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性

研究了温度作用下3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失过程，发现和证实了普通硬磁泡(OHBs)，第Ⅰ类哑铃畴(IDs)和第Ⅱ类哑铃畴(IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围，对同一样品而言，3类硬磁畴的起始临界温度是相同的，而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的，在临界温度范围内，3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的，而且是逐步消失的。     

硬磁泡畴壁中VBL特性的进一步研究

实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VBL数目就越多;泡径越小的硬泡,缩灭场就越小,VBL数目就越少,即硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是均匀分布的,且存在一个平衡间距.实验结果验证了均匀旋转模型的正确性.     

面内场作用下第一类哑铃畴的条泡转变与直流偏场关系的…

本文研究面内磁场作用下第一类哑铃畴的条泡转变与固定直流偏场（Ｈｂ）ｆ的关系。实验结果显示：（１）使ＩＤ发生条泡转变包需的面内场（Ｈｉｐ）ｓｂ随所高定的直流偏场（Ｈｂ）ｆ的增加而减小；（２）存在一个特征直流偏场（Ｈｂ）ｆ１，当（Ｈｂ）ｆ１时，在面内场