LnP_5O_(14)晶体铁弹相变的研究

本文采用热台显微镜和传感应力仪,研究了LnP_5O_(14)(Ln:La→Dy)晶体铁弹性质,测定了该系列晶体铁弹相变温度和铁弹畴重新排列所需要的临界剪切应力,同时应用X射线劳厄法和光学法观察了畴的结构、类型,方位。探讨了畴的存在对晶体光学均匀性和激光性能的影响。     

BiVO_4晶体铁弹相变的光学研究

本文采用显微光学法成功地研究了 BiVO_4 晶体的铁弹转变。研究结果指出:铁弹转变的温度范围,升温时为 220～260℃,降温时为220～190℃,转变中的热滞后约为30℃。当施加机械应力为60～100kg/cm~2时,可观察到晶体内畴壁的移动。 文中结果与Pinczuk的拉曼光谱分析和Bierlein的差热分析作了比较,并指出了他们工作中的不足之处。     

五磷酸钕晶体中缺陷的X射线形貌研究

用X射线衍射形貌法研究了NdP_5O_(14)晶体中的微观缺陷,主要有铁弹畴、反相畴界、生长区的界面、生长层和位错。铁弹畴的应变矢量是R=[100],反相畴界的位移矢量是R=[001]。位错有螺位错和刃位错。部分螺位错的Burgers矢量为b=[100]。分析了晶体缺陷和生长条件之间的关系,提出提高晶体完美性的措施。     

五磷酸钕晶体的铁弹性观测

本文采用光学法观测了NdP_5O_(14)晶体的铁弹性质。显微光学法的实验结果指出:(100)晶面上的铁弹转变温度为96±1℃;两个邻近畴之间的消光角θ随着压力的增加而增加;在(100)晶面上加压6kg/cm~2时,晶体的相变温度为117±1℃。激光扫描曲线的结果指出:晶体双折射的异常温度为142℃和158℃     

LiTaO_3单晶的光象及其应用

研究了LiTaO_3单晶的光象及其形成条件,指出,光象的对称性反映了晶体结构的对称性,它与晶轴方向和极性有关。可利用光象来确定晶轴方向和极性,也可根据光象判断晶体是单畴还是多畴。     

弛豫型铁电单晶Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 - PbTiO3电畴结构与铁电性能的关系

驰豫型电单晶Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3[PMNT]的电畴结构与铁电性能随组分变化：由纯PMN至PMNT67／33晶体,晶体铁电性能由驰豫型铁电体向正常铁电体方向转变,电畴结构同微畴－不规则宏畴－规则宏畴演化,压电性能逐步增强。电畴类型的转化也可由电场和温度诱导。三方相PMNT晶体（001）与（111）切型晶片在极化后仍维持多畴态,它们在压电性能上的差异可从畴壁运动与两相共存方面获得解释,尽管受晶体组分与结构起伏的影响,电畴分布的不均匀性在退火与极化前后始终存在,但晶体生长后期的退火处理与极化条件的改善对调节电畴结构、提高压电性能仍有一定效应。     

铌酸钡钠晶体铁弹相变中的应变双折射

本文采用光学显微加热法和激光偏振扫描法观察和测定了铌酸钡钠晶体在铁弹相变过程中的双折射变化。实验结果发现双折射的大小与晶体内的双晶密度和入射光的方向有关。根据双折射与自发应变的线性关系可以推算出晶体在相变时的应变值,由此可以计算出去双晶时所需加压的大小,这一结果与我们的实验值相一致。根据室温——300℃内的△n光学异常,确定了铌酸钡钠晶体在四方转为斜方时的相变温度和温度滞后,并且指出了相变温度的波动(255～265℃)与晶体内的双晶密度有关。在实验基础上,本文进一步分析了微双晶的形成机理。     

溶胶-凝胶法制备PbTiO3基铁电陶瓷的高频晶粒尺寸效应

首次报道了溶胶－凝胶法制备钛酸铅基铁电陶瓷的晶粒尺寸对其高频介电性能的影响。实验研究表明,铁电陶瓷的高频介电弛豫主要是由材料内部的畴壁共振引起的,晶粒尺寸增加,畴壁尺寸增大,介电弛豫向低频移动,反之,晶粒尺寸减小,畴壁尺寸变小,介电弛豫向高频移动 。     

铝酸钇激光晶体中包裹物对激光性能的影响

本文首先揭示了引上法在石墨电阻炉钼坩埚和氩气中生长的YAP晶体中包裹物的存在,研究了它们的形貌特征、分布规律、采用电子探针和扫描电子显微镜分析了其组分。探讨了它们的存在对晶体光学均匀性和激光性能的影响、以及与激光破坏的关系。最后指出若提高晶体的激光性能、必须消除包裹物的影响。     

交换耦合复合介质及研究进展

交换耦合复合介质有望解决现有磁记录材料面临的三难问题,是非常有希望的下一代高密度磁记录介质。本文介绍了交换耦合复合介质的概念、物理原理以及交换耦合复合介质研究中的一些理论问题以及研究进展。在各类交换耦合复合介质中,多层纳米线被广泛看好。本文对多层纳米线中畴壁的特性、畴壁的运动以及基于畴壁运动的畴壁辅助磁记录模式的研究进行了重点介绍。     

Mg:LiNbO_3晶体中生长条纹和畴的特性及其形成的初步探讨

提拉法生长的Mg:LiNbO_3晶体具有精细而复杂的生长条纹形态。对条纹区的电子探针分析表明:Nb~(5+)浓度在条纹区的剧增和Mg~(2+)浓度在边界层的贫化是形成生长条纹的主要原因。腐蚀结果指出:y 面上的生长条纹与电畴的分布一一相对应,生长条纹可以诱发电畴的形成。当晶体加热到110℃以上时,生长条纹基本消失。这一特征对晶体光学质量的改善和抗光伤能力的提高是有利的,因此,Mg:LiNbO_3晶体在激光倍频和光参量振荡方面有应用前景。     

KIO3晶体的去孪去畴及其物理性能

给出了KIO_3晶体去孪去畴的方法,测量了无孪无畴的KIO_3单晶的主折射率、电导率、介电常数、压电系数和电光系数,研究了其非线性光学性能。     

柱状多层磁纳米线的畴壁结构

使用微磁学方法仔细分析了柱状多层纳米线畴壁的轴向和径向分布.在轴对称的情况下,通过适当改变各向异性能的形式,得到了柱状多层纳米线畴壁的径向分布欧拉方程的一个解析解.数值计算说明,此解析解可以给出合理的畴壁分布.     

3K_2O·22Nb_2O_5晶体的透射电子显微镜研究

本文报道用电子衍射和高分辨电子显微象研究3K_2O·22Nb_2O_5晶体的结果。晶体属单斜晶系,空间群为Pm,晶胞参数a=2.75nm,b=2.73nm,c=0.396nm,a=β=90°和γ≤90°。从高分辨电子显微象上观察到晶体的反相畴和反演畴,提出晶体结构可能由Nb—O八面体和不同形状的多边形通道所组成。     

氟化钙晶体的生长和应用研究

CaF2晶体作为一种传统晶体材料,应用十分广泛。文中综合介绍了CaF2晶体在深紫外光刻机的光学元件、激光晶体和被动Q开关三个领域的应用现状及趋势,归总了CaF2晶体具有的优异性能,阐述了CaF2晶体与深紫外准分子激光之间的作用,晶体结构对激光性能的影响,晶体生长和加工等诸多方面的研究进展。     

掺镁近化学计量比LiTaO3晶体的生长及光学性能

在同成分LiTaO3熔体中掺入一定剂量的K2O,采用顶部籽晶提拉法生长掺镁近化学计量比LiTaO3晶体.对晶体分别进行光谱分析,畴结构和抗光损伤阈值的测定.结果表明:与同成分掺镁LiTaO3晶体相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,红外吸收峰变弱.腐蚀晶片的晶相显微镜观察结果表明:掺镁近化学剂量比晶体的畴结构是较为规则的六边形;晶体的抗光致散射能力明显提高.     

过氧化物晶体的制备及晶体性能研究

过氧化物晶体具有低声子能量,极高的热导率和破坏阈值,是优异的中红外固体激光基质,然而由于熔点高,激光晶体极难生长.本文以热交换法为晶体生长方法,研究过氧化物晶体的生长,并对过氧化物晶体的性能进行了初步研究.     

Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3铁电薄膜光伏效应研究

通过脉冲激光沉积技术在(001)方向的La_(0.7)Sr_(0.3)Mn O_3/Sr Ti O_3上制备了厚度为500 nm的Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3铁电薄膜,研究了薄膜中的光伏效应。结果表明,铁电薄膜中短路光电流的方向不依赖于整流方向,但始终与极化方向相反,其大小随极化强度的增加变大,并且在净极化强度为零时短路光电流恰好为零。然而,当畴壁浓度或氧空位分布的影响足以补偿由极化所产生的效果时,短路光电流不依赖于极化方向。通过改变畴壁浓度或者氧空位分布,不改变极化方向时可以使得短路光电流的方向发生转变;通过改变氧空位的分布,极化方向改变时,光电流的方向也可以不变。我们的结果为通过改变极化方向、氧空位分布、界面势垒的高度以及电畴密度等因素来调控铁电薄膜中光伏效应具有一定的价值。     

生长和退火气氛对Cr：Mg2SiO4晶体光谱的影响

在不同氧含量的气氛中生长了Ｃｒ：Ｍｇ２ＳｉＯ４晶体，研究了生长及退火气氛对晶体光谱的影响。实验表明，提高生长气氛中的氧含量，有利于４价Ｃｒ离子的形成。调节生长气氛中的氧含量，可以改变所生长晶体的荧光光谱，以满足可调谐激光的要求。晶体的退火实验表明，退火气氛对晶体光谱也有明显影响。研究结果有助于进一步加强对该晶体发光中心及其作用机理的认识。     

热退火条件对磷锗锌晶体性质的影响

以高纯度的Zn,Ge和P粉末作为原料,采用垂直Bridgman法生长了磷锗锌（ZnGeP2,ZGP）晶体;分别在真空、磷蒸汽和ZGP晶体粉末中对生长的ZGP晶体进行了退火。测量了不同的退火条件下ZGP晶体中各元素的含量、激光损伤阈值、透过光谱和Rarllarl光谱。研究表明：在ZGP晶体粉末中退火后的晶体激光损伤阈值为96．43MW／cm^2,比在真空、磷蒸汽中退火的高：在近红外区域的吸收有所减少。Raman光谱测量结果表明,晶体的Ranqan振动模的数量发生了变化,表明退火环境对ZGP晶体的结果有一定影响。在ZGP晶体粉末中退火的ZGP晶体的性能有明显改善。