集成光学用单模磁光波导薄膜

采用双层（ＢｉＡｌ）ＹＩＧ膜结构来制作单模磁光波导。通过改变外延生长工艺来调节两层薄膜的折射率，可在一定波导的厚度范围内实现单模传输。Ｘ射线衍射测量表明薄膜质量良好，且易磁化方向平行膜面，最后利用棱镜耦合，观察了波导中的暗ｍ线。     

非对称三层钇铁石榴石薄膜光波导的模传输特性

通过液相外延法（ＬＰＥ），首先在钇镓石榴石（ＧＧＧ）基片（Ⅲ）晶面上生长ＣｏＹＩＧ薄膜，然后连续生长双层（ＢｉＡｌ）ＹＩＧ薄膜，制备出非对称三层钇铁石榴石薄膜波导，推导出这种结构的波导的波导层、缓冲层和吸收层模式的本征方程，以及微分法计算模吸收系数的公式。用这些方程计算了波导层模式的截止厚度和基模的有效折射率，以及波导层、缓冲层和吸收层模式的模吸收系数。     

非对称三层钇铁石榴石薄膜光波导的模传输特性

通过液相外延法（ＬＰＥ），首先在钆镓石榴石（ＧＧＧ）基片（ＩＩＩ）晶面上生长ＣｏＹＩＧ薄膜，然后连续生长双层（ＢｉＡｌ）ＹＩＧ薄膜，制备出非对称三层钆铁石榴石薄膜波导，推导出这种结构的波导的波导层、缓冲层和吸收层模式的本征方程，以及微分法计算模吸收系数的公式。用这些方程计算了波导层模式的截止厚度和基模的有效折射率，以及波导层、缓冲层和吸收层模式的模吸收系数。     

新型掺Bi的YIG磁光薄膜

对用于磁光法拉第旋转器件的掺Ｂｉ的ＹＩＧ薄膜进行了介绍与分析，这种新型磁光薄膜（ＹｂＴｂＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２是采用液相外延技术在ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ晶片的（１１１）方向生长的，通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀，光吸收小，在波长λ＝１．３１μｍ和λ＝１．５５μｍ时，插损分别为０．３ｄＢ和０．２ｄＢ，法拉第旋转角分别为２４００°／ｃｍ和１６００°／ｃｍ的薄膜，经抛光至２９０μｍ的厚度，法拉     

利用CBE技术在Si衬底上生长GaAs薄膜

采用化学束外延（ＣＢＥ）技术，以三乙基镓（ＴＥＧ）和砷烷（ＡｓＨ３）为源，在Ｓｉ（００１）衬底上生长ＧａＡｓ薄膜．利用Ｈａｌｌ效应、卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和高分辨率透射电子显微镜（ＨＲＴＥＭ）检测了外延层的质量．结果表明，ＧａＡｓ薄膜具有ｎ型导电性，载流子浓度为１．３×１０１５ｃｍ－３，其杂质估计是Ｓｉ，它来自衬底的自扩散．外延层的质量随着膜厚的增加而得到明显的改善．在ＧａＡｓ／Ｓｉ界面及其附近，存在高密度的结构缺陷，包括失配位错、堆垛层错和孪晶．这些缺陷完全缓解了ＧａＡｓ外延层和Ｓｉ衬底之间因晶格失配引     

磁光薄膜波导中光导波的模式转换和衍射效率计算

根据耦合模理论,应用微扰方法分析了Ｂｉ：ＹＩＧ薄膜波导中斜向静磁场对静磁波与导波光相互作用的影响,计算了斯托克斯和反斯托克斯相互作用中导波光的模式转换效率和衍效率。     

ICB方法生长CdTe单晶薄膜的研究

用ＩＣＢ外延技术在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上生长了ＣｄＴｅ单晶薄膜．Ｘ光衍射、电子背散射通道及ＲＨＥＥＤ都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面．外延取向关系为ＣｄＴｅ（１００）／ＮａＣｌ（１００）和ＣｄＴｅ（１１１）／Ｓｉ（１１１）．实验发现，生长温度小于２３０℃时，外延膜呈闪锌矿（立方）和钎锌矿（六方）的混合相结构．薄膜生长体现出团粒束淀积的规律，即随着团粒能量的增大，ＣｄＴｅ外延膜的结晶质量显著提高．在Ｓｉ衬底上，外延得到的最好的ＣｄＴｅ膜，其双晶衍射摆动曲线半高宽为１１弧分左右．     

纳米晶巨磁光BiAlDyIG薄膜的磁光性能研究

基于对ＢｉＡｌＤｙＩＧ巨磁光材料的紫蓝光波段法拉第角频谱分析，采用新型热分解法工艺合成优质ＢｉＡｌＤｙＩＧ磁光薄膜，经快速循环晶化处理的结果表明，由于晶粒细化，其平均有效法拉第角比常规热处理后的样品大０．５°左右，且随循环数增加而增大。同时由于Ａｌ３＋在四面体和八面体位的取代，导致居里温度下降（１４０～１６０℃），这些结果对提高磁光盘信噪比以及增大记录密度是极有意义的     

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。     

Si衬底上热壁外延制备GaAs单晶薄膜材料

报道了采用热壁外延（ＨＷＥ）技术,在Ｓｉ表面生长ＧａＡｓ薄膜。先通过活化剂活化Ｓｉ表面,再采取两步生长法外延ＧａＡｓ单晶薄膜,最后进行断续多层循环退火（ＩＭＣＡ）。经电子探针（ＥＰＭＡ）、Ｒａｍａｎ光谱、Ｈａｌｌ测量和荧光（ＰＬ）光谱测试分析,证实在Ｓｉ表面获得了的４μｍ厚的ＧａＡｓ单晶薄膜。     

迅速发展的LCVD技术

超低阈值电流的InGaAs激光二极管记录的低阈值电流—在原解理面InGaAs/AlGaAs激光器中为1mA,在镀高反射膜InGaAs/AlGaAs激光器中脉冲电流为0.25mA—在单量子阱结构中已经获得。     

多波段防护镜光学薄膜的研制

紫外、蓝光、近红外等波段的光对人眼有一定程度的危害,这些波段的光存在于各种光电系统中,使用者需要佩戴防护镜进行防护。为了能够同时实现对上述三个波段的防护,通过膜系设计软件设计了防护膜系和增透膜系,采用电子束蒸发的方式进行了镀制,以电阻蒸发的方式在镜片两侧加镀了防水膜,并对镜片的光谱性能和防水性能进行了测试。结果表明,研制的镀膜镜片在250~360 nm的紫外波段、400~430 nm的蓝光波段、500~780 nm的可见光波段、900~1400 nm近红外波段平均透过率分别约为0.5%、38%、96%、40%,水滴角可达113°,能够有效减少紫外、蓝光、近红外对人眼的伤害,且镜片低偏色、可见光透过率高、防水效果好。     

反射型LCD中的光学膜

介绍了多种光学膜的性能。这些膜在反射型LCD中起了重要作用。使用这些新型光学膜使反射型LCD具有更高的亮度，更宽的视角。     

PECVDSiO_2和SiON薄膜的工艺优化及其应用

在等离子激发条件下，进行了ＳｉＯ＿２，和ＳｉＯＮ介质薄膜生长实验，研究了沉积参数射频功率、反应压力、反应气体流量比及总流量、反应温度对沉积薄膜的生长速率、均匀性和折射率的影响，并优化了工艺条件，得到了生长速率为１５０ｎｍ／ｍｉｎ、均匀性为±０．４４％、折射率ｎ为１．４６３±０．００２的ＳｉＯ＿２和生长速率为１１７ｎｍ／ｍｉｎ、均匀性为±３．０％、折射率ｎ为１．５０６±０．００４的ＳｉＯＮ介质薄膜。还介绍了这两种介质薄膜的应用。     

不同膜厚的NiO薄膜电致变色特性的研究

主要研究膜厚对NiO薄膜电致变色特性的影响，通过对不同膜厚的NiO薄膜在原始、着色和褪色态的透过率光谱曲线和电流时间响应曲线的分析比较，总结出通过控制膜厚来提高NiO薄膜电致变色性能的方法。     

FPC用聚酰亚胺材料

概述了非热塑性聚酰亚胺膜,热塑性聚酰亚胺膜和感光性聚酰亚胺保护膜等聚酰亚胺系列产品,适用于制造高性能的FPC。     

现代介质薄膜

介质薄膜是一类重要的电子薄膜。现代常用的介质薄膜种类很多，按其成分可分为无机薄膜、有机薄膜和复合薄膜三类。同一种介质薄膜当制造工艺略有不同时，就会出现性能差别较大的结果，且随着膜厚的减小，这种现象表现得越来越明显。现在介质薄膜的进展可归纳为：（１）成膜技术的提高，其工艺特点是精细、程控和准确；（２）薄膜下限厚度的减小，如陶瓷薄膜已降到１μｍ，大量生产的高分子聚合物薄膜已降至１００ｎｍ；（３）涌现出了不少新型介质薄膜。从８０年代以来兴起了对纳米级介质薄膜的研究热潮     

CH11型电容器的研制

采用聚酯－聚丙烯膜、铝箔电极、有感式卷绕结构，研制ＣＨ１１型聚酯－聚丙烯膜复合介质电容器。有关试验结果表明，该电容器的性能达到ＧＢ１１３０８标准要求。三年来，产品质量稳定，用户试用反映良好。     

银基复合透明导电薄膜作为薄膜太阳能电池前电极的研究

提出采用超薄银薄膜和具有陷光结构的薄TCO薄膜组成的复合膜层作为薄膜太阳能电池前电极,有效利用了超薄银膜的高电导性、高透过性,并解决了单银膜无法制作陷光结构以及在产业化生产过程中存在的激光选择性刻划问题。实验采用直流磁控溅射法在9个不同厚度的SnO2：F薄膜导电玻璃上制备方阻为3/,透过率为89%,厚度为10-15nm的超薄银膜构成前电极,并采用相同的工艺制作成单节的非晶硅薄膜太阳能电池组件,结果表明,方阻为80/的SnO2：F薄膜与超薄银膜构成的前电极能获得最佳的非晶硅薄膜太阳能电池输出性能,相比于普通的非晶硅薄膜太阳能电池输出功率提升了4%。     

混合MIC电路的制作质量要素

随着微波技术的发展，混合微波集成越来越受到人们的重视。介绍了制造混合ＭＩＣ电路的制作质量要素，即工艺控制难点所在。文章从厚膜，薄膜，微波印制，微组装以及表面组装五个大的方面进行了阐述。