一维相位缺陷量子行走的共振传输

从分立时间量子行走理论出发, 分别在包含两个格点相位缺陷和一段格点相位缺陷(方相位势)的一维格点线上研究量子行走的静态共振传输. 利用系统独特的色散关系和边界点上的能量守恒条件, 获得量子行走通过缺陷区域的透射率, 讨论了相位缺陷的强度和宽度不同时透射率随入射动量的变化行为. 在相位缺陷强度π/2两侧, 透射率表现出不同的共振特性, 并给出了强缺陷强度下共振峰和缺陷宽度的关系.     

关于一维量子散射中一些问题的简单说明

简单讨论了一维量子散射的各种处理手段,对于一维量子散射中的一些问题和误区给予说明与澄清.     

一维量子散射的极点与束缚态能量

讨论了一维定态薛定谔方程解的解析性质，得到了透射系数与束缚态能量的关系，并举例说明。     

星图上的散射量子行走搜索算法

量子行走是一种典型的量子计算模型, 近年来开始受到量子计算理论研究者们的广泛关注. 本文首先证明了在星图上硬币量子行走与散射量子行走的酉等价关系, 之后提出了一个在星图上的散射量子行走搜索算法. 该算法的时间复杂度与Grover算法相同, 但是当搜索的目标数目多于总数的1/3时搜索成功概率大于Grover算法.     

球型量子点中的电子拉曼散射

研究了球型半导体量子点中的电子拉曼散射.讨论了初态为导带全满,价带全空时的电子跃迁过程,给出了电子拉曼散射的跃迁选择定则。通过计算GaAs和CdS材料球型量子点中电子及空穴参与拉曼散射的微分散射截面,分别比较了电子和空穴的不同影响,发现电子对拉曼散射的贡献要远大于空穴的贡献;当选取不同量子点半径时,拉曼散射微分散射截面变化也非常明显;量子点尺寸不变的条件下,改变入射光子能量,可以发现,微分散射截面随入射光子能量增大而减小。     

量子散射跃迁矩阵元的双线性变分法

应用Schwinger变分原理,发展了计算量子散射跃迁矩阵元的双线性变分法.取最简单的试探函数得到的跃迁矩阵元的表示式相当于二级以上的Born近似,它的高能与低能极限分别包含了对Sudden近似与绝热近似的高级修正. 关键词：     

基于散射量子行走的完全图上结构异常搜索算法

完全图K_N 上某个顶点连接到图G将破坏其对称性. 为加速定位这类结构异常, 基于散射量子行走模型设计搜索算法, 首先给出了算法酉算子的定义, 在此基础上利用完全图的对称性, 将算法的搜索空间限定为一个低维的坍缩图空间. 以G为一个顶点的情况为例, 利用硬币量子行走模型上的研究结论简化了坍缩图空间中酉算子的计算, 并借助矩阵扰动理论分析算法演化过程. 针对星图S_N 上结构异常的研究表明, 以星图中心节点为界将整个图分为左右两个部分, 当且仅当两部分在N→∞时具有相同的特征值, 搜索算法可以获得量子加速. 本文说明星图上的分析方法和结论可以推广至完全图的坍缩图上. 基于此, 本文证明无论完全图连接的图G结构如何, 搜索算法均可在O(√N) 时间内定位到目标顶点, 成功概率为1-O(1√N), 即量子行走搜索该类异常与经典搜索相比有二次加速.     

金属双层膜中量子输运的表面和界面散射效应

运用格林函数的解析方法研究金属双层膜的电子输运.考虑了量子尺寸效应和来自杂质、粗糙表面和粗糙界面三方面的散射,计算单粒子格林函数和平行电导率,得到了金属双层膜的电导公式.计算结果表明,在薄膜极限和表面及界面散射的最低阶近似下,系统总电导率等于各子能级通道的电导率之和,而各子能级通道中杂质、表面和界面产生的散射率是可相加的. 关键词：     

受激拉曼散射中的二阶量子关联

利用全量子理论和多模受激拉曼散射模型，研究了拉曼放大中，考虑泵浦光耗散时，斯托克斯光和泵浦光二阶量子关联函数随相互作用距离变化的特性，在不计及色散的影响时，斯托克斯光和泵浦光的二阶量子关联函数的变化主要取决于输入斯托克斯光和泵浦光的光强比，在极限情况下，本文的计算结果与拉曼产生的计算结果和经典耦合波理论的计算结果相符合。     

量子反应散射理论及其应用

用交叉分子束和激光技术能够获得从反应物到产物化学变化过程中全部微观的、动态的知识,从而把化学反应动力学发展到基元反应的态态层次.量子反应散射理论能够对自然定律所容许的所有基元双分子态态反应作出最完整的描述.对当前分子反应动力学领域常用的几种量子反应散射理论计算方法,如含时波包传播法,紧耦合微分方程法,散射矩阵变分法及排列通道线性组合散射波函数法的原理及其应用作简单介绍,同时对发展动向作出展望.     

多层金属圆柱线中量子输运的表面和界面散射效应

考虑了量子尺寸效应以及来自杂质、粗糙表面和粗糙界面三方面的散射,运用量子统计的格林函数方法和久保公式,计算多层金属圆柱线中的各种散射电导率.计算结果表明,在杂质、表面和界面的弱散射极限下,系统总电导率等于各个子能级通道的电导率之和,而各子能级通道中杂质、表面和界面产生的散射率是可相加的. 关键词：     

Berry型量子纯态与Berry型量子系统

提出了Berry型量子纯态与Berry型量子系统的新概念，讨论了它们的性质和意义，并指出绝热量子系统可近似地视为完全Berry型量子系统. 关键词：     

量子可积系统和量子反散射方法简介(续)

4 .3　ＸＸＸ模型的本征值问题 ,Ｂｅｔｈｅ假设方程ｔ(ｕ)的本征值问题实际上也是Ｔ(ｕ)的本征值问题 ,它涉及到Ｔ(ｕ)的对角化问题 ,也就是说 ,对辅助空间选什么样的基矢可使Ｔ(ｕ)的表示是对角的 .1 )ＴＮ(ｕ)的矩阵元之间的对易关系在关于谐振子问题的描述中 ,我们已看到算符之间的对易关系的作用 .现在我们需要的是Ｔ(ｕ)的矩阵元之间的对易关系 ,实际上它们已经包含在ＹＢ关系中了 .前面已经指出 ,Ｔ(ｕ)相对于辅助空间为矩阵 ,这涉及到Ｖ的基矢的问题 .在Ｖ中选取自然基 :|ｅ+ 〉 =10 ,|ｅ- 〉 =01 ( 4 0 )则Ｖ Ｖ =Ｃ2 Ｃ2 中的自…     

量子可积系统和量子反散射方法简介

讨论了量子可积性的概念，通过XXX模型介绍了量子反散射方法，并简单的说明了几种推广。     

p型掺杂Si/Ge量子点的电子拉曼散射(英文)

在本文中我们首次报道了p型掺杂的自组织Si/Ge量子点中空穴能级子带间的电子拉曼散射,此电子跃迁的能量为105meV。Si/Ge量子点Ge Ge模的共振拉曼散射表明此空穴能级间的电子拉曼散射与Γ点附近的E0(≈2.52eV)发生了共振,而E1的能量小于2.3eV.变温实验和偏振实验进一步证实了我们的指认。所有观测的实验数据与6 bandk·p能带结构理论的计算结果吻合得很好。     

半导体量子结构中量子力学新效应

量子力学波函数的相位、相干性与退相干,正成为当前物理学研究的一个热点,半导体材料及其低维量子结构,以其制备工艺的精良和物理研究的透彻而成为最佳研究对象,对于半导体量子结构中载流子相位和关联的实验研究,主要遵循两路线：（1）使系统特征尺度与相干长度可比,研究介观系统与小量子系统输运过程中量子相干效应;（2）发展超短脉宽激光器与超快探测技术,研究与相干时间可比的时间尺度内的动力学,文章结合笔者的研究工作,着重介绍半导体及其量子结构中超快光学过程研究,包括电声子散射的量子动力学,直流与THz交流电场驱动的半导体超晶格激子态、吸收光谱与四波混频谱,动力学Fano共振和多体相互作用中超越平均场近似的重要性。     

一维多量子阱的能级

给出了一维多量子阱能级满足的超越方程,利用此方程可以求出任意一维势的束缚态能级．     

关于量子不变量及其与量子相位关系的几点注记

基于量子不变量构造定理，简化地导出和扩充了Lewis和Riesenfeld的结果．指出所谓的Lewis-Riesenfeld相位一般没有物理意义；为了使其有物理意义，不变量必须取特殊形式．文中给出了这种形式．以磁场中的自旋系统为例，作了具体讨论． 关键词：     

非对称耦合量子阱ZnCdSe/ZnSe的荧光光谱与拉曼散射谱

本文研究了非对称Ⅱ -Ⅳ族耦合多量子阱Zn1-xCdxSe/ZnSe的荧光光谱和拉曼散射谱特性。实验中观察到了比较明显的量子阱荧光峰 ;在拉曼散射谱中观察到了分别对应于与ZnCdSe窄阱和宽阱的一级限制光学模LOL 和LOW 及对应于ZnSe/GaAs界面的声子和等离子体的耦合模 ,并对它们进行了简单分析。