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分析了一起因TA安装位置不当引起未遂事故的保护动作;通过综合比较,从两种方案中选择出一种可行的实用方案,为《防止电力生产重大事故及二十五项重点要求》第20.1.5条规定提供实例。 相似文献
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IGBT驱动与保护的设计是中高压变频器研究开发一个难点与技术关键点,文中首先分析了IGBT的工作特性、驱动电路要求,接着选用CONCEPT公司生产的2SD315A驱动模块进行电路设计,详细分析了其模块组成结构与工作原理,叙述了电路设计方法与详细参数计算,最后经过长时间运行验证,该电路可以很好满足使用要求。 相似文献
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IGBT驱动保护方式直接关系到IGBT寿命、输出波形畸变率、甚至包括系统可靠性与稳定性.目的在于研究功率单元IGBT的驱动与保护,为此首先分析了各种驱动方案的优缺点,然后确定了IGBT驱动保护方案,接着根据IGBT工作特点,选用2SD315A作为驱动保护元件进行设计,最后将此方法应用到实践中,经过长时间运行验证,该电路可以满足使用要求. 相似文献
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一种线路死区的保护方式 总被引:4,自引:0,他引:4
阐述了线路盲区(死区)的概念和相应保护重要性,分析了我国电网目前常用的盲区保护方式及特点,介绍了某国外保护利用光纤纵差保护处理线路盲区保护的实现方法,通过真实的事例说明这种盲区保护的可行性,从而证明了这种方法在灵敏性、快速性和可靠性等方面都比目前常用的保护方式优越.对不同盲区保护方式进行比较,旨在我国继电保护技术的提高和发展. 相似文献
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阐述了线路盲区(死区)的概念和相应保护重要性,分析了我国电网目前常用的盲区保护方式及特点,介绍了某国外保护利用光纤纵差保护处理线路盲区保护的实现方法,通过真实的事例说明这种盲区保护的可行性,从而证明了这种方法在灵敏性、快速性和可靠性等方面都比目前常用的保护方式优越。对不同盲区保护方式进行比较,旨在我国继电保护技术的提高和发展。 相似文献
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针对GaN功率器件在应用的过程中可能出现误导通、电压尖峰与振铃、过电压、过电流等问题,通过简要分析GaN功率器件驱动回路、过电压、过电流故障问题出现原因,设计一种GaN功率器件独立拉灌输出、过电流分级保护栅极驱动电路.当GaN功率器件出现额定电流两倍以内的过电流现象时,可实现GaN功率器件快速关断;当GaN功率器件出现... 相似文献
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依托DSP2812配合CPLD为IPM集成功率模块提供单极性PWM信号,用以驱动机载平台下快速反射镜的音圈电机所需PWM波。比传统的DSP直接用死区寄存器设计的死区时间方便灵活而且准确。传统驱动功率级方法大多利用集成模块本身的死区来控制电机,在DSP死区寄存器中设置死区时间繁琐,不能方便地得到整微秒,而在CPLD中使用D触发器能够准确地得到整微秒死区时间。试验表明,该方法实际得到的功率驱动PWM波死区时间为5.8μs,与理论值6μs仅差0.2μs,完全符合工程需要。稍带尖峰的PWM波提高了带载能力,增加驱动的快速性。该方法已成功应用在某项目中,并在直流调速中对PWM波的获取有很好的通用性和借鉴性。 相似文献
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牵引供电线路与电力系统输电线路不同,前者使用的是交流两相,而变电站输出设备均为三相.由于保护配置及CT安装位置的原因,非供电相在变电站出线端可能存在保护死区,当发生非供电相单相接地故障时,母线差动保护及线路保护均不能快速动作切除故障.以一起牵引供电线路非供电相接地故障为例,分析牵引供电线路保护死区问题,并结合一、二次设备的配置,提出改进措施. 相似文献
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旁路开关代主变开关运行时,常用的做法是将变压器的差动电流回路被切换到主变的套管电流互感器二次电流回路,这样就形成了一段无主保护的死区,该文提出了两种解决方案一是将旁路电流互感器再启用一备用绕组切换到主变差动保护电流回路。将死区纳人差动的保护范围;二是采用将旁路保护的距离保护投人跳闸位置,而高频保护、零序保护、综合重合闸等退出,一旦发生死区内故障,保护出口跳旁路开关,并比较了它们的优缺点。 相似文献
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介绍了220 kV远安变电所在主变220 kV侧旁路开关代主变高压开关后,在变电所220 kV系统侧存在一段快速保护死区,对三种解决方案进行了分析,并针对不同情况提出了建议。 相似文献
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以双母线接线为例,对国内典型的BP-2B、RCS-915型微机母线保护中母联失灵及死区问题从保护动作逻辑及应用时需注意的问题进行了分析,提出了母联开关位置量对母联失灵及死区故障保护的影响,并对接线方式提出了建议。 相似文献